首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 多通道MOS管
元器件型号：5451 件
当前类别共5451 件相关商品

系列

清除

制造商统称

清除

制造商统称

清除

类目

清除

*fet 类型

清除

*fet 功能

清除

*漏源极电压（vdss）

清除

*电流 - 连续漏极（id）

清除

不同id，vgs 时的rds on（最大值）

清除

不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

清除

不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

清除

不同 vds 时的输入电容（ciss）

清除

*功率 - 最大值

清除

工作温度

清除

安装类型

清除
清除筛选 应用筛选 筛选结果： 5451
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： SP8M2FU6TB
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：3.5A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOP
料号：JTG10-1540
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SP8M2FU6TB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8M2FU6TB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8M2FU6TB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8M2FU6TB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NTMFD4C20NT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 30V SO8FL
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A，13.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：9.1A，13.7A
4最大功率值4：1.09W，1.15W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERTDFN
封装：8-DFN（5X6） 双标记（SO8FL-双通道-非对称）
料号：JTG10-1541
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTMFD4C20NT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD4C20NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD4C20NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD4C20NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NVMFD5875NLT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A，13.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：7A
4最大功率值4：3.2W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-POWERTDFN
封装：8-DFN（5X6） 双标记（SO8FL-双通道-非对称）
料号：JTG10-1542
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NVMFD5875NLT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5875NLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5875NLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5875NLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AON6884
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET 2N-CH 40V 9A DFN5X6
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A，13.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 20V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：9A
4最大功率值4：1.6W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERSMD，扁平引线
封装：8-DFN（5X6）
料号：JTG10-1543
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AON6884' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON6884' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON6884' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON6884' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AON6932A
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET 2N-CH 30V 22A/36A 8DFN
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A，13.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1037pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：22A，36A
4最大功率值4：3.6W，4.3W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERVDFN
封装：8-DFN（5X6）
料号：JTG10-1544
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AON6932A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON6932A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON6932A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON6932A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AO4826
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET 2N-CH 60V 6.3A 8-SOIC
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A，13.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1037pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2300pF @ 30V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-1545
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4826' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4826' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4826' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4826' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI5515DC-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A，13.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1037pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2300pF @ 30V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：4.4A，3A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：1206-8 CHIPFET™
料号：JTG10-1546
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI5515DC-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5515DC-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5515DC-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5515DC-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMNH6021SPDQ-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A，13.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1037pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2300pF @ 30V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.2A，32A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1143pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：8.2A，32A
4最大功率值4：1.5W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-POWERTDFN
封装：POWERDI5060-8
料号：JTG10-1547
包装： 2500个/
￥6.93 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMNH6021SPDQ-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMNH6021SPDQ-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMNH6021SPDQ-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMNH6021SPDQ-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AON6932
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET 2N-CH 30V 22A/36A 8DFN
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A，13.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1037pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2300pF @ 30V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.2A，32A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1143pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1037pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：22A，36A
4最大功率值4：3.6W，4.3W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERVDFN
封装：8-DFN（5X6）
料号：JTG10-1548
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AON6932' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON6932' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON6932' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON6932' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SP8K1FU6TB
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A，13.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1037pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2300pF @ 30V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.2A，32A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1143pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1037pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：5A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOP
料号：JTG10-1549
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SP8K1FU6TB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8K1FU6TB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8K1FU6TB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8K1FU6TB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NTLGD3502NT2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A，13.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1037pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2300pF @ 30V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.2A，32A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1143pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1037pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A，3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：4.3A，3.6A
4最大功率值4：1.74W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-VDFN 裸露焊盘
封装：6-DFN（3X3）
料号：JTG10-1550
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTLGD3502NT2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTLGD3502NT2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTLGD3502NT2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTLGD3502NT2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： TPC8223-H,LQ(S
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A，13.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1037pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2300pF @ 30V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.2A，32A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1143pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1037pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A，3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：9A
4最大功率值4：450mW
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOP
料号：JTG10-1551
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TPC8223-H,LQ(S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPC8223-H,LQ(S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPC8223-H,LQ(S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPC8223-H,LQ(S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： TPC8407,LQ(S
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： MOSFET N/P-CH 30V 9A/7.4A 8SOP
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A，13.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1037pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2300pF @ 30V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.2A，32A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1143pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1037pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A，3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9A，7.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 10V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：9A，7.4A
4最大功率值4：450mW
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOP
料号：JTG10-1552
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TPC8407,LQ(S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPC8407,LQ(S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPC8407,LQ(S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPC8407,LQ(S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NVMFD5875NLWFT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A，13.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1037pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2300pF @ 30V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.2A，32A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1143pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1037pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A，3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9A，7.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：7A
4最大功率值4：3.2W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-POWERTDFN
封装：8-DFN（5X6） 双标记（SO8FL-双通道-非对称）
料号：JTG10-1553
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NVMFD5875NLWFT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5875NLWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5875NLWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5875NLWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AON6810
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET 2N-CH 30V 25A 8-DFN
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A，13.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1037pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2300pF @ 30V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.2A，32A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1143pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1037pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A，3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9A，7.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:34nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 15V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共漏
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：25A
4最大功率值4：4.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线裸焊盘
封装：8-DFN-EP（5.2X5.55）
料号：JTG10-1554
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AON6810' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON6810' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON6810' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON6810' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： ZXMP6A16DN8TC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A，13.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1037pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2300pF @ 30V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.2A，32A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1143pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1037pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A，3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9A，7.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:34nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:2.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1021pF @ 30V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：2.9A
4最大功率值4：1.25W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-1555
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXMP6A16DN8TC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXMP6A16DN8TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXMP6A16DN8TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXMP6A16DN8TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： LN60A01ES-LF-Z
品牌： MPS/芯源 Monolithic Power Systems Inc. 芯源系统
描述： MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A，13.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1037pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2300pF @ 30V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.2A，32A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1143pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1037pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A，3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9A，7.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:34nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:2.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1021pF @ 30V 系列:- 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道，共栅 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 欧姆 @ 10mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：3 N 沟道，共栅
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：80mA
4最大功率值4：1.3W
6工作温度6：-20°C ~ 125°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-1556
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LN60A01ES-LF-Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MPS/芯源' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LN60A01ES-LF-Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LN60A01ES-LF-Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LN60A01ES-LF-Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： EFC6612R-A-TF
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A，13.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1037pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2300pF @ 30V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.2A，32A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1143pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1037pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A，3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9A，7.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:34nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:2.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1021pF @ 30V 系列:- 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道，共栅 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 欧姆 @ 10mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N 沟道（双）非对称型
5Fet功能5：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：2.5W
6工作温度6：-
外壳：6-SMD，无引线
封装：6-CSP （1.77X3.54）
料号：JTG10-1557
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EFC6612R-A-TF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EFC6612R-A-TF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EFC6612R-A-TF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EFC6612R-A-TF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： EFC6611R-A-TF
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 12V 27A EFCP
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A，13.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1037pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2300pF @ 30V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.2A，32A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1143pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1037pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A，3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9A，7.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:34nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:2.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1021pF @ 30V 系列:- 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道，共栅 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 欧姆 @ 10mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：
封装：
料号：JTG10-1558
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EFC6611R-A-TF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EFC6611R-A-TF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EFC6611R-A-TF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EFC6611R-A-TF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SIZ904DT-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A，13.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1037pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2300pF @ 30V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.2A，32A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1143pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1037pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A，3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9A，7.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:34nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:2.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1021pF @ 30V 系列:- 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道，共栅 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 欧姆 @ 10mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:12A，16A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：12A，16A
4最大功率值4：20W，33W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-POWERPAIR™
封装：6-POWERPAIR™
料号：JTG10-1559
包装： 3000个/
￥4.45 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SIZ904DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZ904DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZ904DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZ904DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
  共有5451个记录    每页显示20条，本页1581-1600条    80/273页    首 页    上一页   76  77  78  79  80  81  82  83  84   下一页    尾 页      
复制成功

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科芯查介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科芯查有限公司 版权所有

销售在线 销售在线 工程师在线 工程师在线 电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询

0755-28435922