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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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制造商统称

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： NTMFD4C88NT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）非对称型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：11.7A，14.2A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERTDFN
封装：8-DFN（5X6）
料号：JTG10-1716
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTMFD4C88NT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD4C88NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD4C88NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD4C88NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FDS6994S
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:PowerTrench®, SyncFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A，8.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：6.9A，8.2A
4最大功率值4：900mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-1717
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDS6994S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS6994S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS6994S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS6994S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： ALD111933MAL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 2N-CH 10.6V 8MSOP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:PowerTrench®, SyncFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A，8.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5.9V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.35V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）配对
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：8-TSSOP,8-MSOP(3.00mm宽)
封装：8-MSOP
料号：JTG10-1718
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD111933MAL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD111933MAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD111933MAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD111933MAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ALD114904PAL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:PowerTrench®, SyncFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A，8.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5.9V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.35V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:360mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）配对
5Fet功能5：耗尽模式
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：12mA，3mA
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-PDIP
料号：JTG10-1719
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD114904PAL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD114904PAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD114904PAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD114904PAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： ALD111910MAL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 2N-CH 8MSOP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:PowerTrench®, SyncFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A，8.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5.9V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.35V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:360mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG10-1720
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD111910MAL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD111910MAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD111910MAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD111910MAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： FDMD8540L
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 40V 8POWER 5X6
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:PowerTrench®, SyncFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A，8.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5.9V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.35V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:360mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:33A，156A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:113nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7940pF @ 20V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：33A，156A
4最大功率值4：2.3W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERWDFN
封装：8-POWER 5X6
料号：JTG10-1721
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDMD8540L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMD8540L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMD8540L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMD8540L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NTMFD4C87NT3G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:PowerTrench®, SyncFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A，8.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5.9V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.35V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:360mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:33A，156A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:113nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7940pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）非对称型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：11.7A，14.9A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERTDFN
封装：8-DFN（5X6）
料号：JTG10-1722
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTMFD4C87NT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD4C87NT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD4C87NT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD4C87NT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ALD114913PAL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:PowerTrench®, SyncFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A，8.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5.9V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.35V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:360mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:33A，156A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:113nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7940pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）配对
5Fet功能5：耗尽模式
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：12mA，3mA
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-PDIP
料号：JTG10-1723
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD114913PAL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD114913PAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD114913PAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD114913PAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： NTMFD4C85NT3G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:PowerTrench®, SyncFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A，8.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5.9V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.35V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:360mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:33A，156A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:113nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7940pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15.4A，29.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1960pF @ 15V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）非对称型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：15.4A，29.7A
4最大功率值4：1.13W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERTDFN
封装：8-DFN（5X6）
料号：JTG10-1724
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTMFD4C85NT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD4C85NT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD4C85NT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD4C85NT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SMA5127
品牌： Sanken Sanken
描述： MOSFET 3N/3P-CH 60V 4A 12-SIP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:PowerTrench®, SyncFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A，8.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5.9V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.35V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:360mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:33A，156A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:113nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7940pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15.4A，29.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1960pF @ 15V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 2A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 10V
1Fet类型1：3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：4A
4最大功率值4：4W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：12-SIP，裸焊盘
封装：12-SIP
料号：JTG10-1725
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMA5127' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA5127' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA5127' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA5127' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： ALD1115MAL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET N/P-CH 10.6V 8MSOP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:PowerTrench®, SyncFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A，8.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5.9V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.35V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:360mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:33A，156A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:113nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7940pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15.4A，29.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1960pF @ 15V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 2A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 10V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1800 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 5V
1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：8-TSSOP,8-MSOP(3.00mm宽)
封装：8-MSOP
料号：JTG10-1726
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD1115MAL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1115MAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1115MAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1115MAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： ALD212900SAL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:PowerTrench®, SyncFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A，8.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5.9V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.35V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:360mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:33A，156A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:113nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7940pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15.4A，29.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1960pF @ 15V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 2A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 10V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1800 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 5V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）配对
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：80mA
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-1727
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD212900SAL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： ALD212902PAL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:PowerTrench®, SyncFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A，8.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5.9V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.35V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:360mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:33A，156A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:113nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7940pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15.4A，29.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1960pF @ 15V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 2A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 10V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1800 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N 沟道（双）配对
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：80mA
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-PDIP
料号：JTG10-1728
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD212902PAL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD212902PAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD212902PAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： ALD212902SAL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:PowerTrench®, SyncFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A，8.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5.9V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.35V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:360mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:33A，156A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:113nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7940pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15.4A，29.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1960pF @ 15V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 2A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 10V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1800 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N 沟道（双）配对
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：80mA
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-1729
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD212902SAL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD212902SAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD212902SAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD212902SAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： SIZF920DT-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:PowerTrench®, SyncFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A，8.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5.9V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.35V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:360mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:33A，156A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:113nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7940pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15.4A，29.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1960pF @ 15V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 2A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 10V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1800 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Ta），76A（Tc），49A（Ta），197A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.07 毫欧 @ 10A，10V，1.05 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V，125nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 15V，5230pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 N 通道（双），肖特基
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：28A（Ta），76A（Tc），49A（Ta），197A（Tc）
4最大功率值4：3.9W（Ta），28W（Tc），4.5W（Ta），74W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerWDFN
封装：8-PowerPair®（6x5）
料号：JTG10-3574
包装： 3000个/
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合作现货:0
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型号： ALD212904PAL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:PowerTrench®, SyncFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A，8.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5.9V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.35V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:360mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:33A，156A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:113nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7940pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15.4A，29.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1960pF @ 15V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 2A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 10V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1800 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Ta），76A（Tc），49A（Ta），197A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.07 毫欧 @ 10A，10V，1.05 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V，125nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 15V，5230pF @ 15V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N 沟道（双）配对
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：80mA
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-PDIP
料号：JTG10-1730
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： ALD212904SAL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:PowerTrench®, SyncFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A，8.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5.9V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.35V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:360mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:33A，156A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:113nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7940pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15.4A，29.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1960pF @ 15V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 2A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 10V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1800 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Ta），76A（Tc），49A（Ta），197A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.07 毫欧 @ 10A，10V，1.05 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V，125nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 15V，5230pF @ 15V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N 沟道（双）配对
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：80mA
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-1731
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD212904SAL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD212904SAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD212904SAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD212904SAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ALD212908PAL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:PowerTrench®, SyncFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A，8.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5.9V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.35V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:360mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:33A，156A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:113nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7940pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15.4A，29.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1960pF @ 15V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 2A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 10V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1800 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Ta），76A（Tc），49A（Ta），197A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.07 毫欧 @ 10A，10V，1.05 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V，125nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 15V，5230pF @ 15V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N 沟道（双）配对
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：80mA
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-PDIP
料号：JTG10-1732
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD212908PAL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD212908PAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD212908PAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD212908PAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： ALD212908SAL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:PowerTrench®, SyncFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A，8.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5.9V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.35V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:360mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:33A，156A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:113nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7940pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15.4A，29.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1960pF @ 15V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 2A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 10V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1800 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Ta），76A（Tc），49A（Ta），197A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.07 毫欧 @ 10A，10V，1.05 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V，125nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 15V，5230pF @ 15V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N 沟道（双）配对
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：80mA
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-1733
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD212908SAL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： NTMFD4C87NT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:PowerTrench®, SyncFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A，8.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5.9V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.35V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:360mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:33A，156A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:113nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7940pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15.4A，29.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1960pF @ 15V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 2A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 10V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1800 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Ta），76A（Tc），49A（Ta），197A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.07 毫欧 @ 10A，10V，1.05 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V，125nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 15V，5230pF @ 15V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A，14.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1252pF @ 15V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）非对称型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：11.7A，14.9A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERTDFN
封装：8-DFN（5X6）
料号：JTG10-1734
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTMFD4C87NT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD4C87NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD4C87NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD4C87NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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