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元器件型号：5430 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

清除

*电流 - 连续漏极（id）

清除

不同id，vgs 时的rds on（最大值）

清除

不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

清除

不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

清除

不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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工作温度

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安装类型

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： FDS6975
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1540pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：6A
4最大功率值4：900mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-153
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDS6975' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS6975' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS6975' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS6975' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： CSD87588N
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1540pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:736pF @ 15V *4最大功率值*4:6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：25A
4最大功率值4：6W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：5-XFLGA
封装：5-PTAB（3X2.5）
料号：JTG10-154
包装： 2500个/
￥3.47 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CSD87588N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CSD87588N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CSD87588N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CSD87588N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： FDS89161
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1540pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:736pF @ 15V *4最大功率值*4:6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 50V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：2.7A
4最大功率值4：1.6W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-155
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDS89161' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS89161' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS89161' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS89161' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： SI4922BDY-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1540pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:736pF @ 15V *4最大功率值*4:6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 50V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2070pF @ 15V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：8A
4最大功率值4：3.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-156
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4922BDY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4922BDY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4922BDY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4922BDY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI5908DC-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1540pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:736pF @ 15V *4最大功率值*4:6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 50V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2070pF @ 15V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：4.4A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：1206-8 CHIPFET™
料号：JTG10-157
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI5908DC-T1-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5908DC-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5908DC-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5908DC-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI5908DC-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1540pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:736pF @ 15V *4最大功率值*4:6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 50V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2070pF @ 15V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：4.4A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：1206-8 CHIPFET™
料号：JTG10-158
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI5908DC-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5908DC-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5908DC-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5908DC-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SI4288DY-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1540pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:736pF @ 15V *4最大功率值*4:6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 50V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2070pF @ 15V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:580pF @ 20V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：9.2A
4最大功率值4：3.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-159
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4288DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4288DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4288DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4288DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： SI7216DN-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1540pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:736pF @ 15V *4最大功率值*4:6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 50V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2070pF @ 15V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:580pF @ 20V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 20V *4最大功率值*4:20.8W *6工作温度*6:-50°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：6A
4最大功率值4：20.8W
6工作温度6：-50°C ~ 150°C（TJ）
外壳：POWERPAK® 1212-8 双
封装：POWERPAK® 1212-8 DUAL
料号：JTG10-160
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI7216DN-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI7216DN-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI7216DN-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI7216DN-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI7216DN-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1540pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:736pF @ 15V *4最大功率值*4:6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 50V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2070pF @ 15V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:580pF @ 20V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 20V *4最大功率值*4:20.8W *6工作温度*6:-50°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 20V *4最大功率值*4:20.8W *6工作温度*6:-50°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：6A
4最大功率值4：20.8W
6工作温度6：-50°C ~ 150°C（TJ）
外壳：POWERPAK® 1212-8 双
封装：POWERPAK® 1212-8 DUAL
料号：JTG10-161
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI7216DN-T1-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： SI7272DP-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1540pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:736pF @ 15V *4最大功率值*4:6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 50V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2070pF @ 15V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:580pF @ 20V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 20V *4最大功率值*4:20.8W *6工作温度*6:-50°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 20V *4最大功率值*4:20.8W *6工作温度*6:-50°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.3 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V *4最大功率值*4:22W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：25A
4最大功率值4：22W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：POWERPAK® SO-8 双
封装：POWERPAK® SO-8 DUAL
料号：JTG10-162
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI7272DP-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI7272DP-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1540pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:736pF @ 15V *4最大功率值*4:6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 50V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2070pF @ 15V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:580pF @ 20V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 20V *4最大功率值*4:20.8W *6工作温度*6:-50°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 20V *4最大功率值*4:20.8W *6工作温度*6:-50°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.3 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V *4最大功率值*4:22W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:565pF @ 20V *4最大功率值*4:15.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
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6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI7288DP-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI7288DP-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI7288DP-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI7288DP-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SI7228DN-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1540pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:736pF @ 15V *4最大功率值*4:6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 50V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2070pF @ 15V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:580pF @ 20V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 20V *4最大功率值*4:20.8W *6工作温度*6:-50°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 20V *4最大功率值*4:20.8W *6工作温度*6:-50°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.3 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V *4最大功率值*4:22W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:565pF @ 20V *4最大功率值*4:15.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:26A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 15V *4最大功率值*4:23W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：26A
4最大功率值4：23W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：POWERPAK® 1212-8 双
封装：POWERPAK® 1212-8 DUAL
料号：JTG10-164
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI7228DN-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI7228DN-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI7228DN-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI7228DN-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： STS8C5H30L
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1540pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:736pF @ 15V *4最大功率值*4:6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 50V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2070pF @ 15V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:580pF @ 20V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 20V *4最大功率值*4:20.8W *6工作温度*6:-50°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 20V *4最大功率值*4:20.8W *6工作温度*6:-50°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.3 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V *4最大功率值*4:22W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:565pF @ 20V *4最大功率值*4:15.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:26A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 15V *4最大功率值*4:23W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A，5.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:857pF @ 25V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：8A，5.4A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-165
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STS8C5H30L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS8C5H30L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS8C5H30L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS8C5H30L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： FDS8958A_F085
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1540pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:736pF @ 15V *4最大功率值*4:6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 50V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2070pF @ 15V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:580pF @ 20V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 20V *4最大功率值*4:20.8W *6工作温度*6:-50°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 20V *4最大功率值*4:20.8W *6工作温度*6:-50°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.3 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V *4最大功率值*4:22W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:565pF @ 20V *4最大功率值*4:15.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:26A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 15V *4最大功率值*4:23W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A，5.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:857pF @ 25V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A，5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:575pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：7A，5A
4最大功率值4：900mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-166
包装： 带卷（TR）
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS8958A_F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS8958A_F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： ZXMN6A25DN8TA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1540pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:736pF @ 15V *4最大功率值*4:6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 50V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2070pF @ 15V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:580pF @ 20V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 20V *4最大功率值*4:20.8W *6工作温度*6:-50°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 20V *4最大功率值*4:20.8W *6工作温度*6:-50°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.3 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V *4最大功率值*4:22W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:565pF @ 20V *4最大功率值*4:15.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:26A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 15V *4最大功率值*4:23W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A，5.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:857pF @ 25V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A，5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:575pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1063pF @ 30V *4最大功率值*4:1.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：3.8A
4最大功率值4：1.8W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOP
料号：JTG10-167
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXMN6A25DN8TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FDS3890
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1540pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:736pF @ 15V *4最大功率值*4:6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 50V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2070pF @ 15V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:580pF @ 20V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 20V *4最大功率值*4:20.8W *6工作温度*6:-50°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 20V *4最大功率值*4:20.8W *6工作温度*6:-50°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.3 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V *4最大功率值*4:22W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:565pF @ 20V *4最大功率值*4:15.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:26A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 15V *4最大功率值*4:23W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A，5.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:857pF @ 25V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A，5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:575pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1063pF @ 30V *4最大功率值*4:1.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:44 毫欧 @ 4.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:35nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1180pF @ 40V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：80V
3电流-连续漏极(id)3：4.7A
4最大功率值4：900mW
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-168
包装：
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状态： 在售
型号： CSD87330Q3D
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1540pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:736pF @ 15V *4最大功率值*4:6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 50V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2070pF @ 15V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 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制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:565pF @ 20V *4最大功率值*4:15.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:26A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 15V *4最大功率值*4:23W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A，5.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:857pF @ 25V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V 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1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：20A
4最大功率值4：6W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERLDFN
封装：8-LSON（3.3X3.3）
料号：JTG10-169
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： SI7938DP-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1540pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:736pF @ 15V *4最大功率值*4:6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 50V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2070pF @ 15V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 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制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:565pF @ 20V *4最大功率值*4:15.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:26A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 15V *4最大功率值*4:23W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A，5.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:857pF @ 25V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A，5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:575pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1063pF @ 30V *4最大功率值*4:1.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:44 毫欧 @ 4.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:35nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1180pF @ 40V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 15V *4最大功率值*4:6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 18.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:65nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2300pF @ 20V *4最大功率值*4:46W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：60A
4最大功率值4：46W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：POWERPAK® SO-8 双
封装：POWERPAK® SO-8 DUAL
料号：JTG10-170
包装：
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海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： FDMC8030
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 40V 12A 8POWER33
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1540pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:736pF @ 15V *4最大功率值*4:6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 50V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2070pF @ 15V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:580pF @ 20V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 20V *4最大功率值*4:20.8W *6工作温度*6:-50°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 20V *4最大功率值*4:20.8W *6工作温度*6:-50°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.3 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V *4最大功率值*4:22W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:565pF @ 20V *4最大功率值*4:15.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:26A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 15V *4最大功率值*4:23W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A，5.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:857pF @ 25V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A，5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:575pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1063pF @ 30V *4最大功率值*4:1.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:44 毫欧 @ 4.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:35nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1180pF @ 40V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 15V *4最大功率值*4:6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 18.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:65nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2300pF @ 20V *4最大功率值*4:46W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:12A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1975pF @ 20V *4最大功率值*4:800mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：12A
4最大功率值4：800mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERWDFN
封装：8-MLP (3X3)，POWER33
料号：JTG10-171
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMC8030' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMC8030' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： FDMB2308PZ
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2P-CH MLP2X3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1540pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:736pF @ 15V *4最大功率值*4:6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 50V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2070pF @ 15V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:580pF @ 20V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 20V *4最大功率值*4:20.8W *6工作温度*6:-50°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 20V *4最大功率值*4:20.8W *6工作温度*6:-50°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.3 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V *4最大功率值*4:22W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:565pF @ 20V *4最大功率值*4:15.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:26A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 15V *4最大功率值*4:23W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A，5.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:857pF @ 25V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A，5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:575pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1063pF @ 30V *4最大功率值*4:1.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:44 毫欧 @ 4.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:35nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1180pF @ 40V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 15V *4最大功率值*4:6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 18.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:65nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2300pF @ 20V *4最大功率值*4:46W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:12A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1975pF @ 20V *4最大功率值*4:800mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3030pF @ 10V *4最大功率值*4:800mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 P 沟道（双）共漏
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：800mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-WDFN 裸露焊盘
封装：6-MLP（2X3）
料号：JTG10-172
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDMB2308PZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMB2308PZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMB2308PZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMB2308PZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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