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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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*fet 类型

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： ALD1110EPAL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）配对
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：10V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：600mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-PDIP
料号：JTG10-1755
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD1110EPAL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1110EPAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1110EPAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1110EPAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： ALD1110ESAL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）配对
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：10V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：600mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-1756
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD1110ESAL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1110ESAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1110ESAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1110ESAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ALD1108ESCL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 4N-CH 10V 16SOIC
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V
1Fet类型1：4 N 沟道，配对
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：10V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：600mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SOIC
料号：JTG10-1757
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD1108ESCL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1108ESCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1108ESCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1108ESCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ALD1108EPCL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 4N-CH 10V 16DIP
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V
1Fet类型1：4 N 沟道，配对
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：10V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：600mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：16-DIP(7.62mm)
封装：16-PDIP
料号：JTG10-1758
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD1108EPCL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1108EPCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1108EPCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1108EPCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ALD210808APCL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：4 N 沟道，配对
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：80mA
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：16-DIP(7.62mm)
封装：16-PDIP
料号：JTG10-1759
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD210808APCL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD210808APCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD210808APCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD210808APCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： ALD210808ASCL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：4 N 沟道，配对
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：80mA
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SOIC
料号：JTG10-1760
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD210808ASCL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD210808ASCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD210808ASCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD210808ASCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ALD1101BPAL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N 沟道（双）配对
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6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1101BPAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V
1Fet类型1：2 P 沟道（双）配对
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
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外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
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料号：JTG10-1762
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1102BPAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1102BPAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 P 沟道（双）配对
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-1763
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD1102BSAL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1102BSAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1102BSAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1102BSAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： ALD1101BSAL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:40mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N 沟道（双）配对
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：40mA
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-1764
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD1101BSAL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1101BSAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1101BSAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1101BSAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： IRF3546MTRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41PQFN
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:40mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.9 毫欧 @ 27A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 35µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1310pF @ 13V
1Fet类型1：4 个 N 通道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：25V
3电流-连续漏极(id)3：16A（Tc），20A（Tc）
4最大功率值4：-
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：41-POWERVFQFN
封装：41-PQFN（6X8）
料号：JTG10-1765
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRF3546MTRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF3546MTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF3546MTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF3546MTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： TC1550TG-G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET N/P-CH 500V 8SOIC
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:40mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.9 毫欧 @ 27A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 35µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1310pF @ 13V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 欧姆 @ 50mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 25V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：500V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-1766
包装： 3300个/
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC1550TG-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： ALD1101APAL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:40mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.9 毫欧 @ 27A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 35µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1310pF @ 13V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 欧姆 @ 50mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 25V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）配对
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-PDIP
料号：JTG10-1767
包装：
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD1101APAL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1101APAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1101APAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1101APAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SLA5037
品牌： Sanken Sanken
描述： MOSFET 4N-CH 100V 10A 12SIP
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:40mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.9 毫欧 @ 27A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 35µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1310pF @ 13V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 欧姆 @ 50mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 25V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1630pF @ 10V
1Fet类型1：4 个 N 通道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：10A
4最大功率值4：5W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：12-SIP，裸焊盘
封装：12-SIP
料号：JTG10-1768
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SLA5037' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SLA5037' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SLA5037' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SLA5037' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SMA5112
品牌： Sanken Sanken
描述： MOSFET 6N-CH 250V 7A 12-SIP
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:40mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.9 毫欧 @ 27A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 35µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1310pF @ 13V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 欧姆 @ 50mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 25V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1630pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:450pF @ 10V
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：250V
3电流-连续漏极(id)3：7A
4最大功率值4：4W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：12-SIP，裸焊盘
封装：12-SIP
料号：JTG10-1769
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMA5112' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA5112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA5112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA5112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SLA5041
品牌： Sanken Sanken
描述： MOSFET 4N-CH 200V 10A 12SIP
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:40mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.9 毫欧 @ 27A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 35µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1310pF @ 13V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 欧姆 @ 50mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 25V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1630pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:450pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 10V
1Fet类型1：4 个 N 通道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：200V
3电流-连续漏极(id)3：10A
4最大功率值4：5W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：12-SIP，裸焊盘
封装：12-SIP
料号：JTG10-1770
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SLA5041' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SLA5041' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SLA5041' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SLA5041' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SLA5065 LF830
品牌： Sanken Sanken
描述： MOSFET 4N-CH 60V 7A 15-SIP
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:40mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.9 毫欧 @ 27A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 35µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1310pF @ 13V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 欧姆 @ 50mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 25V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1630pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:450pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 10V
1Fet类型1：4 个 N 通道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：7A
4最大功率值4：4.8W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：15-SIP
封装：15-SIP
料号：JTG10-1771
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SLA5065 LF830' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SLA5065 LF830' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SLA5065 LF830' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： TC8020K6-G-M937
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:40mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.9 毫欧 @ 27A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 35µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1310pF @ 13V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 欧姆 @ 50mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 25V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1630pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:450pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 10V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N 和 6 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V
1Fet类型1：6 N 和 6 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：200V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：56-VFQFN 裸露焊盘
封装：56-QFN（8X8）
料号：JTG10-1772
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC8020K6-G-M937' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC8020K6-G-M937' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC8020K6-G-M937' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC8020K6-G-M937' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SLA5068 LF853
品牌： Sanken Sanken
描述： MOSFET 6N-CH 60V 7A 15-SIP
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:40mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.9 毫欧 @ 27A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 35µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1310pF @ 13V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 欧姆 @ 50mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 25V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1630pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:450pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 10V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N 和 6 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 10V
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：7A
4最大功率值4：5W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：15-SIP
封装：15-SIP
料号：JTG10-1773
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： IXTL2X180N10T
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:40mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.9 毫欧 @ 27A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 35µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1310pF @ 13V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 欧姆 @ 50mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 25V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1630pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:450pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 10V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N 和 6 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 10V 系列:Trench™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:100A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.4 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:151nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6900pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：100A
4最大功率值4：150W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：ISOPLUSI5-PAK™
封装：ISOPLUSI5-PAK™
料号：JTG10-1774
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXTL2X180N10T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXTL2X180N10T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXTL2X180N10T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXTL2X180N10T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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