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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： FMP76-010T
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET N/P-CH 100V 62A/54A I4PAC
参数： 系列:Trench™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:62A，54A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5080pF @ 25V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：62A，54A
4最大功率值4：89W，132W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：I4-PAC™-5
封装：ISOPLUS I4-PAC™
料号：JTG10-1775
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMP76-010T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMP76-010T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMP76-010T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMP76-010T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： FMM50-025TF
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 2N-CH 250V 30A I4-PAC
参数： 系列:Trench™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:62A，54A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5080pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：250V
3电流-连续漏极(id)3：30A
4最大功率值4：125W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：I4-PAC™-5
封装：ISOPLUS I4-PAC™
料号：JTG10-1776
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMM50-025TF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMM50-025TF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMM50-025TF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMM50-025TF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： FMM60-02TF
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 2N-CH 200V 33A I4-PAC
参数： 系列:Trench™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:62A，54A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5080pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:33A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：200V
3电流-连续漏极(id)3：33A
4最大功率值4：125W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：I4-PAC™-5
封装：ISOPLUS I4-PAC™
料号：JTG10-1777
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMM60-02TF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMM60-02TF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMM60-02TF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMM60-02TF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： FMP36-015P
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET N/P-CH 150V 36A/22A I4PAC
参数： 系列:Trench™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:62A，54A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5080pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:33A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V 系列:Polar™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:36A，22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 31A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 25V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：150V
3电流-连续漏极(id)3：36A，22A
4最大功率值4：125W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：I4-PAC™-5
封装：ISOPLUS I4-PAC™
料号：JTG10-1778
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMP36-015P' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMP36-015P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMP36-015P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMP36-015P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： FMM110-015X2F
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC
参数： 系列:Trench™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:62A，54A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5080pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:33A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V 系列:Polar™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:36A，22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 31A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 25V 系列:GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:53A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8600pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：150V
3电流-连续漏极(id)3：53A
4最大功率值4：180W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：I4-PAC™-5
封装：ISOPLUS I4-PAC™
料号：JTG10-1779
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMM110-015X2F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMM110-015X2F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMM110-015X2F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMM110-015X2F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FMM150-0075X2F
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 2N-CH 75V 120A I4-PAC-5
参数： 系列:Trench™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:62A，54A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5080pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:33A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V 系列:Polar™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:36A，22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 31A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 25V 系列:GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:53A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8600pF @ 25V 系列:HiPerFET™, TrenchT2™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:120A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:178nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 25V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）非对称型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：75V
3电流-连续漏极(id)3：120A
4最大功率值4：170W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：I4-PAC™-5
封装：ISOPLUS I4-PAC™
料号：JTG10-1780
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMM150-0075X2F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMM150-0075X2F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMM150-0075X2F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FMM22-05PF
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 2N-CH 500V 13A I4-PAC
参数： 系列:Trench™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:62A，54A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5080pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:33A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V 系列:Polar™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:36A，22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 31A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 25V 系列:GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:53A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8600pF @ 25V 系列:HiPerFET™, TrenchT2™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:120A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:178nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 25V 系列:HiPerFET™, PolarHT™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:13A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:50nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2630pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：500V
3电流-连续漏极(id)3：13A
4最大功率值4：132W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：I4-PAC™-5
封装：ISOPLUS I4-PAC™
料号：JTG10-1781
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMM22-05PF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMM22-05PF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMM22-05PF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMM22-05PF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5
参数： 系列:Trench™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:62A，54A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5080pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:33A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V 系列:Polar™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:36A，22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 31A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 25V 系列:GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:53A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8600pF @ 25V 系列:HiPerFET™, TrenchT2™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:120A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:178nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 25V 系列:HiPerFET™, PolarHT™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:13A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:50nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2630pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：75A
4最大功率值4：-
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：I4-PAC™-5
封装：ISOPLUS I4-PAC™
料号：JTG10-1782
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMM75-01F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMM75-01F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMM75-01F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMM75-01F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FMM22-06PF
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 2N-CH 600V 12A I4-PAC
参数： 系列:Trench™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:62A，54A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5080pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:33A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V 系列:Polar™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:36A，22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 31A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 25V 系列:GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:53A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8600pF @ 25V 系列:HiPerFET™, TrenchT2™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:120A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:178nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 25V 系列:HiPerFET™, PolarHT™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:13A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:50nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2630pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HiPerFET™, PolarHT™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:12A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3600pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
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3电流-连续漏极(id)3：12A
4最大功率值4：130W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：I4-PAC™-5
封装：ISOPLUS I4-PAC™
料号：JTG10-1783
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMM22-06PF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMM22-06PF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMM22-06PF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMM22-06PF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FMK75-01F
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5
参数： 系列:Trench™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:62A，54A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5080pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:33A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V 系列:Polar™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:36A，22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 31A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 25V 系列:GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:53A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8600pF @ 25V 系列:HiPerFET™, TrenchT2™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:120A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:178nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 25V 系列:HiPerFET™, PolarHT™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:13A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:50nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2630pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HiPerFET™, PolarHT™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:12A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3600pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N-通道（双）
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6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：I4-PAC™-5
封装：ISOPLUS I4-PAC™
料号：JTG10-1784
包装：
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合作现货:0
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型号： GMM3X100-01X1-SMD
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 6N-CH 100V 90A 24-SMD
参数： 系列:Trench™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:62A，54A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5080pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:33A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V 系列:Polar™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:36A，22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 31A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 25V 系列:GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:53A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8600pF @ 25V 系列:HiPerFET™, TrenchT2™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:120A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:178nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 25V 系列:HiPerFET™, PolarHT™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:13A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:50nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2630pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HiPerFET™, PolarHT™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:12A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3600pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：90A
4最大功率值4：-
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：24-SMD，鸥翼型
封装：24-SMD
料号：JTG10-1785
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GMM3X100-01X1-SMD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： GMM3X60-015X2-SMD
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 6N-CH 150V 50A 24-SMD
参数： 系列:Trench™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:62A，54A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5080pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:33A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V 系列:Polar™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:36A，22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 31A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 25V 系列:GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:53A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8600pF @ 25V 系列:HiPerFET™, TrenchT2™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:120A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:178nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 25V 系列:HiPerFET™, PolarHT™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:13A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:50nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2630pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HiPerFET™, PolarHT™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:12A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3600pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:97nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5800pF @ 25V
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：150V
3电流-连续漏极(id)3：50A
4最大功率值4：-
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：ISOPLUS-DIL™
封装：ISOPLUS-DIL™
料号：JTG10-1786
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GMM3X60-015X2-SMD' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： GWM100-0085X1-SMD
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 6N-CH 85V 103A ISOPLUS
参数： 系列:Trench™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:62A，54A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5080pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:33A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V 系列:Polar™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:36A，22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 31A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 25V 系列:GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:53A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8600pF @ 25V 系列:HiPerFET™, TrenchT2™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:120A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:178nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 25V 系列:HiPerFET™, PolarHT™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:13A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:50nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2630pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HiPerFET™, PolarHT™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:12A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3600pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:97nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5800pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:85V *3电流-连续漏极(id)*3:103A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.2 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:114nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
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6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：17-SMD，鸥翼型
封装：ISOPLUS-DIL™
料号：JTG10-1787
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM100-0085X1-SMD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： GMM3X100-01X1-SMDSAM
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 6N-CH 100V 90A 24-SMD
参数： 系列:Trench™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:62A，54A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5080pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:33A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V 系列:Polar™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:36A，22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 31A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 25V 系列:GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:53A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8600pF @ 25V 系列:HiPerFET™, TrenchT2™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:120A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:178nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 25V 系列:HiPerFET™, PolarHT™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:13A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:50nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2630pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HiPerFET™, PolarHT™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:12A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3600pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:97nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5800pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:85V *3电流-连续漏极(id)*3:103A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.2 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:114nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
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5Fet功能5：标准
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外壳：24-SMD，鸥翼型
封装：24-SMD
料号：JTG10-1788
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GMM3X100-01X1-SMDSAM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GMM3X100-01X1-SMDSAM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GMM3X100-01X1-SMDSAM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GMM3X100-01X1-SMDSAM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： GMM3X120-0075X2-SMDSAM
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 6N-CH 75V 110A 24-SMD
参数： 系列:Trench™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:62A，54A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5080pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:33A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V 系列:Polar™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:36A，22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 31A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 25V 系列:GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:53A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8600pF @ 25V 系列:HiPerFET™, TrenchT2™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:120A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:178nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 25V 系列:HiPerFET™, PolarHT™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:13A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:50nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2630pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HiPerFET™, PolarHT™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:12A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3600pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:97nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5800pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:85V *3电流-连续漏极(id)*3:103A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.2 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:114nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：75V
3电流-连续漏极(id)3：110A
4最大功率值4：-
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：24-SMD，鸥翼型
封装：24-SMD
料号：JTG10-1789
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： GMM3X160-0055X2-SMD
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 6N-CH 55V 150A 24-SMD
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外壳：24-SMD，鸥翼型
封装：24-SMD
料号：JTG10-1790
包装：
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： GMM3X160-0055X2-SMDSAM
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 6N-CH 55V 150A 24-SMD
参数： 系列:Trench™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:62A，54A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5080pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:33A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V 系列:Polar™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:36A，22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 31A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 25V 系列:GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:53A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8600pF @ 25V 系列:HiPerFET™, TrenchT2™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:120A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:178nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 25V 系列:HiPerFET™, PolarHT™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:13A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:50nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2630pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HiPerFET™, PolarHT™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:12A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3600pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:97nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5800pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:85V *3电流-连续漏极(id)*3:103A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.2 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:114nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：55V
3电流-连续漏极(id)3：150A
4最大功率值4：-
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：24-SMD，鸥翼型
封装：24-SMD
料号：JTG10-1791
包装：
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合作现货:0
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型号： GMM3X60-015X2-SMDSAM
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 6N-CH 150V 50A 24-SMD
参数： 系列:Trench™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:62A，54A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5080pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:33A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V 系列:Polar™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:36A，22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 31A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 25V 系列:GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:53A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8600pF @ 25V 系列:HiPerFET™, TrenchT2™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:120A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:178nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 25V 系列:HiPerFET™, PolarHT™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:13A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:50nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2630pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HiPerFET™, PolarHT™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:12A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3600pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:97nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5800pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:85V *3电流-连续漏极(id)*3:103A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.2 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:114nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:97nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5800pF @ 25V
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：150V
3电流-连续漏极(id)3：50A
4最大功率值4：-
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：ISOPLUS-DIL™
封装：ISOPLUS-DIL™
料号：JTG10-1792
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GMM3X60-015X2-SMDSAM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GMM3X60-015X2-SMDSAM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GMM3X60-015X2-SMDSAM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GMM3X60-015X2-SMDSAM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： GMM3X180-004X2-SMD
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 6N-CH 40V 180A 24-SMD
参数： 系列:Trench™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:62A，54A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5080pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:33A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V 系列:Polar™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:36A，22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 31A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 25V 系列:GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:53A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 55A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8600pF @ 25V 系列:HiPerFET™, TrenchT2™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:120A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:178nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 25V 系列:HiPerFET™, PolarHT™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:13A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:50nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2630pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HiPerFET™, PolarHT™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:12A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3600pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:97nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5800pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:85V *3电流-连续漏极(id)*3:103A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.2 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:114nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:97nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5800pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：180A
4最大功率值4：-
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：24-SMD，鸥翼型
封装：24-SMD
料号：JTG10-1793
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： GMM3X180-004X2-SMDSAM
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 6N-CH 40V 180A 24-SMD
参数： 系列:Trench™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:62A，54A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5080pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4000pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:33A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V 系列:Polar™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:36A，22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 31A，10V 不同 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制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HiPerFET™, PolarHT™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:12A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:58nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3600pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:97nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5800pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:85V *3电流-连续漏极(id)*3:103A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.2 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:114nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:97nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5800pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：180A
4最大功率值4：-
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：24-SMD，鸥翼型
封装：24-SMD
料号：JTG10-1794
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GMM3X180-004X2-SMDSAM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GMM3X180-004X2-SMDSAM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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