元器件型号:5451
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*fet 类型

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*漏源极电压(vdss)

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*电流 - 连续漏极(id)

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不同id,vgs 时的rds on(最大值)

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不同 id 时的 vgs(th)(最大值)

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不同 vgs 时的栅极电荷(qg)

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不同 vds 时的输入电容(ciss)

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: GWM100-01X1-SLSAM
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):-
1Fet类型1:6 N-沟道(3 相桥)
5Fet功能5:标准
2漏源极电压(vdss)2:100V
3电流-连续漏极(id)3:90A
4最大功率值4:-
6工作温度6:-55°C ~ 175°C(TJ)
外壳:17-SMD,扁平引线
封装:ISOPLUS-DIL™
料号:JTG10-1795
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GWM100-01X1-SLSAM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM100-01X1-SLSAM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM100-01X1-SLSAM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM100-01X1-SLSAM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: GWM100-01X1-SMDSAM
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):-
1Fet类型1:6 N-沟道(3 相桥)
5Fet功能5:标准
2漏源极电压(vdss)2:100V
3电流-连续漏极(id)3:90A
4最大功率值4:-
6工作温度6:-55°C ~ 175°C(TJ)
外壳:17-SMD,鸥翼型
封装:ISOPLUS-DIL™
料号:JTG10-1796
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GWM100-01X1-SMDSAM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM100-01X1-SMDSAM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM100-01X1-SMDSAM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM100-01X1-SMDSAM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: GWM180-004X2-SL
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):-
1Fet类型1:6 N-沟道(3 相桥)
5Fet功能5:标准
2漏源极电压(vdss)2:40V
3电流-连续漏极(id)3:180A
4最大功率值4:-
6工作温度6:-55°C ~ 175°C(TJ)
外壳:17-SMD,扁平引线
封装:ISOPLUS-DIL™
料号:JTG10-1797
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GWM180-004X2-SL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM180-004X2-SL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM180-004X2-SL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM180-004X2-SL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: GWM180-004X2-SLSAM
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):-
1Fet类型1:6 N-沟道(3 相桥)
5Fet功能5:标准
2漏源极电压(vdss)2:40V
3电流-连续漏极(id)3:180A
4最大功率值4:-
6工作温度6:-55°C ~ 175°C(TJ)
外壳:17-SMD,扁平引线
封装:ISOPLUS-DIL™
料号:JTG10-1798
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GWM180-004X2-SLSAM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号: GWM180-004X2-SMD
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):-
1Fet类型1:6 N-沟道(3 相桥)
5Fet功能5:标准
2漏源极电压(vdss)2:40V
3电流-连续漏极(id)3:180A
4最大功率值4:-
6工作温度6:-55°C ~ 175°C(TJ)
外壳:17-SMD,鸥翼型
封装:ISOPLUS-DIL™
料号:JTG10-1799
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GWM180-004X2-SMD' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM180-004X2-SMD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM180-004X2-SMD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM180-004X2-SMD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):-
1Fet类型1:6 N-沟道(3 相桥)
5Fet功能5:标准
2漏源极电压(vdss)2:40V
3电流-连续漏极(id)3:180A
4最大功率值4:-
6工作温度6:-55°C ~ 175°C(TJ)
外壳:17-SMD,鸥翼型
封装:ISOPLUS-DIL™
料号:JTG10-1800
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GWM180-004X2-SMDSAM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM180-004X2-SMDSAM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM180-004X2-SMDSAM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号: GWM120-0075P3-SL
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:118A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5.5 毫欧 @ 60A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):-
1Fet类型1:6 N-沟道(3 相桥)
5Fet功能5:标准
2漏源极电压(vdss)2:75V
3电流-连续漏极(id)3:118A
4最大功率值4:-
6工作温度6:-55°C ~ 175°C(TJ)
外壳:17-SMD,扁平引线
封装:ISOPLUS-DIL™
料号:JTG10-1801
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GWM120-0075P3-SL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:118A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5.5 毫欧 @ 60A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):-
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6工作温度6:-55°C ~ 175°C(TJ)
外壳:17-SMD,扁平引线
封装:ISOPLUS-DIL™
料号:JTG10-1802
包装:
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM220-004P3-SL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: GWM220-004P3-SMD
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:118A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5.5 毫欧 @ 60A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):-
1Fet类型1:6 N-沟道(3 相桥)
5Fet功能5:标准
2漏源极电压(vdss)2:40V
3电流-连续漏极(id)3:180A
4最大功率值4:-
6工作温度6:-55°C ~ 175°C(TJ)
外壳:17-SMD,鸥翼型
封装:ISOPLUS-DIL™
料号:JTG10-1803
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GWM220-004P3-SMD' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM220-004P3-SMD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM220-004P3-SMD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM220-004P3-SMD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
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状态: 在售
型号: FMM65-015P
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: MOSFET 2N-CH 150V 65A I4-PAC-5
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:118A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5.5 毫欧 @ 60A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:65A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):22 毫欧 @ 50A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):230nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):-
1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:标准
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3电流-连续漏极(id)3:65A
4最大功率值4:-
6工作温度6:-55°C ~ 175°C(TJ)
外壳:I4-PAC™-5
封装:ISOPLUS I4-PAC™
料号:JTG10-1804
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合作现货:0
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品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: MOSFET 6N-CH 85V 103A ISOPLUS
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:118A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5.5 毫欧 @ 60A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:65A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):22 毫欧 @ 50A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):230nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:85V *3电流-连续漏极(id)*3:103A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):6.2 毫欧 @ 75A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):114nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):-
1Fet类型1:6 N-沟道(3 相桥)
5Fet功能5:标准
2漏源极电压(vdss)2:85V
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4最大功率值4:-
6工作温度6:-55°C ~ 175°C(TJ)
外壳:17-SMD,鸥翼型
封装:ISOPLUS-DIL™
料号:JTG10-1805
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合作现货:0
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品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:118A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5.5 毫欧 @ 60A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:65A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):22 毫欧 @ 50A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):230nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:85V *3电流-连续漏极(id)*3:103A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):6.2 毫欧 @ 75A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):114nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:118A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5.5 毫欧 @ 60A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):-
1Fet类型1:6 N-沟道(3 相桥)
5Fet功能5:标准
2漏源极电压(vdss)2:75V
3电流-连续漏极(id)3:118A
4最大功率值4:-
6工作温度6:-55°C ~ 175°C(TJ)
外壳:17-SMD,鸥翼型
封装:ISOPLUS-DIL™
料号:JTG10-1806
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GWM120-0075P3-SMD SAM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:118A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5.5 毫欧 @ 60A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:65A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):22 毫欧 @ 50A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):230nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:85V *3电流-连续漏极(id)*3:103A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):6.2 毫欧 @ 75A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):114nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:118A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5.5 毫欧 @ 60A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):-
1Fet类型1:6 N-沟道(3 相桥)
5Fet功能5:标准
2漏源极电压(vdss)2:40V
3电流-连续漏极(id)3:180A
4最大功率值4:-
6工作温度6:-55°C ~ 175°C(TJ)
外壳:17-SMD,扁平引线
封装:ISOPLUS-DIL™
料号:JTG10-1807
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GWM220-004P3-SL SAM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM220-004P3-SL SAM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM220-004P3-SL SAM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:118A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5.5 毫欧 @ 60A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:65A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):22 毫欧 @ 50A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):230nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:85V *3电流-连续漏极(id)*3:103A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):6.2 毫欧 @ 75A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):114nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:118A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5.5 毫欧 @ 60A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):-
1Fet类型1:6 N-沟道(3 相桥)
5Fet功能5:标准
2漏源极电压(vdss)2:40V
3电流-连续漏极(id)3:180A
4最大功率值4:-
6工作温度6:-55°C ~ 175°C(TJ)
外壳:17-SMD,鸥翼型
封装:ISOPLUS-DIL™
料号:JTG10-1808
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GWM220-004P3-SMD SAM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM220-004P3-SMD SAM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM220-004P3-SMD SAM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM220-004P3-SMD SAM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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1~2周可到达
状态: 在售
型号: LKK47-06C5
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: MOSFET 2N-CH 600V 47A ISOPLUS264
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:118A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5.5 毫欧 @ 60A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:65A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):22 毫欧 @ 50A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):230nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:85V *3电流-连续漏极(id)*3:103A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):6.2 毫欧 @ 75A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):114nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:118A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5.5 毫欧 @ 60A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:CoolMOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:47A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):45 毫欧 @ 44A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):190nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):6800pF @ 100V
1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:超级结
2漏源极电压(vdss)2:600V
3电流-连续漏极(id)3:47A
4最大功率值4:-
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:ISOPLUS264™
封装:ISOPLUS264™
料号:JTG10-1809
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LKK47-06C5' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LKK47-06C5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LKK47-06C5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LKK47-06C5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: HCT802
品牌: TT Electronics TT Electronics/Optek Technology
描述: MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:118A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5.5 毫欧 @ 60A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:65A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):22 毫欧 @ 50A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):230nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:85V *3电流-连续漏极(id)*3:103A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):6.2 毫欧 @ 75A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):114nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:118A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5.5 毫欧 @ 60A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:CoolMOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:47A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):45 毫欧 @ 44A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):190nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):6800pF @ 100V 系列:- 制造商:TT Electronics 制造商统称:未设定 制造商统称:TT Electronics/Optek Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:90V *3电流-连续漏极(id)*3:2A,1.1A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5 欧姆 @ 1A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):70pF @ 25V
1Fet类型1:N 和 P 沟道
5Fet功能5:标准
2漏源极电压(vdss)2:90V
3电流-连续漏极(id)3:2A,1.1A
4最大功率值4:500mW
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-SMD,无引线
封装:6-SMD
料号:JTG10-1810
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HCT802' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TT Electronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HCT802' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HCT802' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HCT802' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: VMM45-02F
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: MOSFET 2N-CH 200V 45A TO-240AA
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:118A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5.5 毫欧 @ 60A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:65A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):22 毫欧 @ 50A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):230nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:85V *3电流-连续漏极(id)*3:103A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):6.2 毫欧 @ 75A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):114nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:118A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5.5 毫欧 @ 60A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:CoolMOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:47A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):45 毫欧 @ 44A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):190nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):6800pF @ 100V 系列:- 制造商:TT Electronics 制造商统称:未设定 制造商统称:TT Electronics/Optek Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:90V *3电流-连续漏极(id)*3:2A,1.1A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5 欧姆 @ 1A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):70pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:45A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):45 毫欧 @ 22.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):225nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):7500pF @ 25V
1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:标准
2漏源极电压(vdss)2:200V
3电流-连续漏极(id)3:45A
4最大功率值4:190W
6工作温度6:-40°C ~ 150°C(TJ)
外壳:TO-240AA
封装:TO-240AA
料号:JTG10-1811
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VMM45-02F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VMM45-02F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VMM45-02F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: HCT802TXV
品牌: TT Electronics TT Electronics/Optek Technology
描述: MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:118A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5.5 毫欧 @ 60A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:65A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):22 毫欧 @ 50A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):230nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:85V *3电流-连续漏极(id)*3:103A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):6.2 毫欧 @ 75A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):114nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:118A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5.5 毫欧 @ 60A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:CoolMOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:47A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):45 毫欧 @ 44A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):190nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):6800pF @ 100V 系列:- 制造商:TT Electronics 制造商统称:未设定 制造商统称:TT Electronics/Optek Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:90V *3电流-连续漏极(id)*3:2A,1.1A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5 欧姆 @ 1A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):70pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:45A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):45 毫欧 @ 22.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):225nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):7500pF @ 25V 系列:- 制造商:TT Electronics 制造商统称:未设定 制造商统称:TT Electronics/Optek Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:90V *3电流-连续漏极(id)*3:2A,1.1A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5 欧姆 @ 1A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):70pF @ 25V
1Fet类型1:N 和 P 沟道
5Fet功能5:标准
2漏源极电压(vdss)2:90V
3电流-连续漏极(id)3:2A,1.1A
4最大功率值4:500mW
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-SMD,无引线
封装:6-SMD
料号:JTG10-1812
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HCT802TXV' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TT Electronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HCT802TXV' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HCT802TXV' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
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1~2周可到达
状态: 在售
型号: VHM40-06P1
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: MOSFET 2N-CH 600V 38A ECO-PAC2
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:118A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5.5 毫欧 @ 60A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:65A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):22 毫欧 @ 50A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):230nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:85V *3电流-连续漏极(id)*3:103A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):6.2 毫欧 @ 75A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):114nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:118A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5.5 毫欧 @ 60A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:CoolMOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:47A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):45 毫欧 @ 44A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):190nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):6800pF @ 100V 系列:- 制造商:TT Electronics 制造商统称:未设定 制造商统称:TT Electronics/Optek Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:90V *3电流-连续漏极(id)*3:2A,1.1A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5 欧姆 @ 1A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):70pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:45A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):45 毫欧 @ 22.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):225nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):7500pF @ 25V 系列:- 制造商:TT Electronics 制造商统称:未设定 制造商统称:TT Electronics/Optek Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:90V *3电流-连续漏极(id)*3:2A,1.1A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5 欧姆 @ 1A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):70pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:38A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):70 毫欧 @ 25A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):220nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):-
1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:标准
2漏源极电压(vdss)2:600V
3电流-连续漏极(id)3:38A
4最大功率值4:-
6工作温度6:-40°C ~ 150°C(TJ)
外壳:ECO-PAC2
封装:ECO-PAC2
料号:JTG10-1813
包装:
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合作现货:0
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型号: VMK165-007T
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: MOSFET 2N-CH 70V 165A TO-240AA
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):8.5 毫欧 @ 80A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):2.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:118A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5.5 毫欧 @ 60A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:65A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):22 毫欧 @ 50A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):230nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:85V *3电流-连续漏极(id)*3:103A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):6.2 毫欧 @ 75A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):114nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:118A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5.5 毫欧 @ 60A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):100nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道(3 相桥) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):94nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 系列:CoolMOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:47A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):45 毫欧 @ 44A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):190nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):6800pF @ 100V 系列:- 制造商:TT Electronics 制造商统称:未设定 制造商统称:TT Electronics/Optek Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:90V *3电流-连续漏极(id)*3:2A,1.1A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):5 欧姆 @ 1A,10V 不同 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*3电流-连续漏极(id)*3:165A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):7 毫欧 @ 82.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 8mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):480nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):8800pF @ 25V
1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:标准
2漏源极电压(vdss)2:70V
3电流-连续漏极(id)3:165A
4最大功率值4:390W
6工作温度6:-40°C ~ 150°C(TJ)
外壳:TO-240AA
封装:TO-240AA
料号:JTG10-1814
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VMK165-007T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VMK165-007T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VMK165-007T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VMK165-007T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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