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元器件型号：5451 件
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*fet 类型

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 停产
型号： VQ1001P
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V
1Fet类型1：4 个 N 通道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：830mA
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：-
封装：14-DIP
料号：JTG10-1815
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VQ1001P' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VQ1001P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VQ1001P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VQ1001P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： VQ1001P-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V
1Fet类型1：4 个 N 通道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：830mA
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：-
封装：14-DIP
料号：JTG10-1816
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VQ1001P-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VQ1001P-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VQ1001P-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VQ1001P-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTC80H29T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2254pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：800V
3电流-连续漏极(id)3：15A
4最大功率值4：156W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-1817
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC80H29T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC80H29T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC80H29T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC80H29T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTM50H15FT1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 500V 25A SP1
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2254pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:170nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5448pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：500V
3电流-连续漏极(id)3：25A
4最大功率值4：208W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG10-1818
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM50H15FT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50H15FT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50H15FT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50H15FT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTM10DDAM19T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2254pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:170nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5448pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：70A
4最大功率值4：208W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-1819
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM10DDAM19T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM10DDAM19T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM10DDAM19T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM10DDAM19T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTM10DSKM19T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2254pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:170nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5448pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：70A
4最大功率值4：208W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-1820
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM10DSKM19T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM10DSKM19T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM10DSKM19T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： APTC80DDA15T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2254pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:170nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5448pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：800V
3电流-连续漏极(id)3：28A
4最大功率值4：277W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-1821
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC80DDA15T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC80DDA15T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC80DDA15T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC80DDA15T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTC80DSK15T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2254pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:170nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5448pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V
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4最大功率值4：277W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-1822
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC80DSK15T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC80DSK15T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC80DSK15T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC80DSK15T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： HCT802TX
品牌： TT Electronics TT Electronics/Optek Technology
描述： MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2254pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:170nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5448pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:TT Electronics 制造商统称:未设定 制造商统称:TT Electronics/Optek Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:90V *3电流-连续漏极(id)*3:2A，1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：90V
3电流-连续漏极(id)3：2A，1.1A
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-SMD，无引线
封装：6-SMD
料号：JTG10-1823
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HCT802TX' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TT Electronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HCT802TX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HCT802TX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HCT802TX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTC60AM45T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2254pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:170nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5448pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:TT Electronics 制造商统称:未设定 制造商统称:TT Electronics/Optek Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:90V *3电流-连续漏极(id)*3:2A，1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：49A
4最大功率值4：250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG10-1824
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60AM45T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60AM45T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60AM45T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTM60H23FT1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2254pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:170nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5448pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:TT Electronics 制造商统称:未设定 制造商统称:TT Electronics/Optek Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:90V *3电流-连续漏极(id)*3:2A，1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:276 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:165nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5316pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：20A
4最大功率值4：208W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG10-1825
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM60H23FT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM60H23FT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM60H23FT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM60H23FT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VMK90-02T2
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 2N-CH 200V 83A TO-240AA
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2254pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:170nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5448pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:TT Electronics 制造商统称:未设定 制造商统称:TT Electronics/Optek Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:90V *3电流-连续漏极(id)*3:2A，1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:276 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:165nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5316pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:83A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:450nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15000pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：200V
3电流-连续漏极(id)3：83A
4最大功率值4：380W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-240AA
封装：TO-240AA
料号：JTG10-1826
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VMK90-02T2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VMK90-02T2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VMK90-02T2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VMK90-02T2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTM60A11FT1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2254pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:170nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5448pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:TT Electronics 制造商统称:未设定 制造商统称:TT Electronics/Optek Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:90V *3电流-连续漏极(id)*3:2A，1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:276 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:165nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5316pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:83A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:450nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:40A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:132 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:330nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10552pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：40A
4最大功率值4：390W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG10-1827
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM60A11FT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM60A11FT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM60A11FT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： VMM85-02F
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 2N-CH 200V 84A Y4
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2254pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:170nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5448pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:TT Electronics 制造商统称:未设定 制造商统称:TT Electronics/Optek Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:90V *3电流-连续漏极(id)*3:2A，1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:276 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:165nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5316pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:83A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:450nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:40A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:132 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:330nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10552pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:84A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 8mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:450nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15000pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：200V
3电流-连续漏极(id)3：84A
4最大功率值4：370W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：Y4
封装：Y4
料号：JTG10-1828
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VMM85-02F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VMM85-02F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VMM85-02F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VMM85-02F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APTM120H140FT1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2254pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:170nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5448pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:TT Electronics 制造商统称:未设定 制造商统称:TT Electronics/Optek Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:90V *3电流-连续漏极(id)*3:2A，1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:276 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:165nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5316pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:83A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:450nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:40A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:132 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:330nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10552pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:84A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 8mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:450nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.68 欧姆 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:145nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3812pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：8A
4最大功率值4：208W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG10-1829
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM120H140FT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM120H140FT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM120H140FT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM120H140FT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTM50DDA10T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2254pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:170nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5448pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:TT Electronics 制造商统称:未设定 制造商统称:TT Electronics/Optek Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:90V *3电流-连续漏极(id)*3:2A，1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:276 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:165nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5316pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:83A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:450nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:40A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:132 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:330nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10552pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:84A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 8mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:450nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.68 欧姆 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:145nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3812pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:37A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 18.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:96nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4367pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：500V
3电流-连续漏极(id)3：37A
4最大功率值4：312W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-1830
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM50DDA10T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50DDA10T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50DDA10T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50DDA10T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTM50DSK10T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2254pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:170nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5448pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:TT Electronics 制造商统称:未设定 制造商统称:TT Electronics/Optek Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:90V *3电流-连续漏极(id)*3:2A，1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:276 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:165nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5316pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:83A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:450nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:40A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:132 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:330nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10552pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:84A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 8mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:450nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.68 欧姆 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:145nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3812pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:37A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 18.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:96nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4367pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:37A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 18.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:96nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4367pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：500V
3电流-连续漏极(id)3：37A
4最大功率值4：312W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-1831
包装：
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合作现货:0
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型号： APTC80H15T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2254pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds 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制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:TT Electronics 制造商统称:未设定 制造商统称:TT Electronics/Optek Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:90V *3电流-连续漏极(id)*3:2A，1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds 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Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.68 欧姆 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:145nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3812pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:37A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 18.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:96nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4367pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:37A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 18.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:96nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4367pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 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1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
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2漏源极电压(vdss)2：800V
3电流-连续漏极(id)3：28A
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外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG10-1832
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC80H15T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTC60AM35T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2254pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:170nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5448pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:TT Electronics 制造商统称:未设定 制造商统称:TT Electronics/Optek Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:90V *3电流-连续漏极(id)*3:2A，1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:276 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:165nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5316pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:83A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:450nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:40A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:132 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:330nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10552pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:84A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 8mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:450nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.68 欧姆 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:145nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3812pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:37A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 18.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:96nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4367pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:37A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 18.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:96nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4367pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：72A
4最大功率值4：416W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG10-1833
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC60AM35T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60AM35T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60AM35T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60AM35T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTC60HM70T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 600V 39A SP1
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2254pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:170nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5448pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:TT Electronics 制造商统称:未设定 制造商统称:TT Electronics/Optek Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:90V *3电流-连续漏极(id)*3:2A，1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:276 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:165nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5316pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:83A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:450nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:40A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:132 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:330nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10552pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:84A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 8mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:450nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.68 欧姆 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:145nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3812pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:37A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 18.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:96nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4367pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:37A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 18.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:96nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4367pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：39A
4最大功率值4：250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG10-1834
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC60HM70T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60HM70T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60HM70T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60HM70T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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