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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： VKM60-01P1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 4N-CH 100V 75A ECO-PAC2
参数： 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：75A
4最大功率值4：300W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：ECO-PAC2
封装：ECO-PAC2
料号：JTG10-1835
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VKM60-01P1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VKM60-01P1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VKM60-01P1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VKM60-01P1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTC80H15T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 800V 28A SP3
参数： 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：800V
3电流-连续漏极(id)3：28A
4最大功率值4：277W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-1836
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC80H15T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC80H15T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC80H15T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC80H15T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 2N7334
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
参数： 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：4 个 N 通道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：1A
4最大功率值4：1.4W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：MO-036AB
料号：JTG10-1837
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N7334' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7334' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7334' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7334' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APTC60HM70T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
参数： 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：39A
4最大功率值4：250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-1838
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC60HM70T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60HM70T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60HM70T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60HM70T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTC90DDA12T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
参数： 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V
1Fet类型1：2 N 沟道（双路降压斩波器）
5Fet功能5：超级结
2漏源极电压(vdss)2：900V
3电流-连续漏极(id)3：30A
4最大功率值4：250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG10-1839
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC90DDA12T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC90DDA12T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC90DDA12T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC90DDA12T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APTC90DSK12T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
参数： 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V
1Fet类型1：2 N 沟道（双路降压斩波器）
5Fet功能5：超级结
2漏源极电压(vdss)2：900V
3电流-连续漏极(id)3：30A
4最大功率值4：250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG10-1840
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC90DSK12T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC90DSK12T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC90DSK12T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC90DSK12T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： VKM40-06P1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 4N-CH 600V 38A ECO-PAC2
参数： 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:220nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：38A
4最大功率值4：-
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：ECO-PAC2
封装：ECO-PAC2
料号：JTG10-1841
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VKM40-06P1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VKM40-06P1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VKM40-06P1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VKM40-06P1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： APTC60HM83FT2G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 600V 36A MODULE
参数： 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:220nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:255nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7290pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：36A
4最大功率值4：250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG10-1842
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC60HM83FT2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60HM83FT2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60HM83FT2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60HM83FT2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTC60HM70RT3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F
参数： 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:220nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:255nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7290pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥）+ 桥式整流器 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）+ 桥式整流器
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：39A
4最大功率值4：250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-1843
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC60HM70RT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60HM70RT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60HM70RT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60HM70RT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTC60DDAM35T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3
参数： 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:220nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:255nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7290pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥）+ 桥式整流器 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V
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封装：SP3
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描述： MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3
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描述： MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
参数： 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:220nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:255nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7290pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥）+ 桥式整流器 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V
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合作现货:0
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型号： APTM10DSKM09T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
参数： 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:220nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:255nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7290pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥）+ 桥式整流器 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：139A
4最大功率值4：390W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-1847
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM10DSKM09T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM10DSKM09T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM10DSKM09T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM10DSKM09T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： APTC60AM45B1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
参数： 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:220nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:255nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7290pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥）+ 桥式整流器 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V
1Fet类型1：3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：49A
4最大功率值4：250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG10-1848
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC60AM45B1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60AM45B1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60AM45B1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60AM45B1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： VQ1006P
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
参数： 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:220nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:255nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7290pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥）+ 桥式整流器 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:90V *3电流-连续漏极(id)*3:400mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：90V
3电流-连续漏极(id)3：400mA
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：-
封装：14-DIP
料号：JTG10-1849
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VQ1006P' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 停产
型号： VQ1006P-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
参数： 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:220nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:255nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7290pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥）+ 桥式整流器 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:90V *3电流-连续漏极(id)*3:400mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:90V *3电流-连续漏极(id)*3:400mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：90V
3电流-连续漏极(id)3：400mA
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：-
封装：14-DIP
料号：JTG10-1850
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VQ1006P-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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1~2周可到达
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型号： APTM120DDA57T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
参数： 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:220nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:255nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7290pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥）+ 桥式整流器 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:90V *3电流-连续漏极(id)*3:400mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:90V *3电流-连续漏极(id)*3:400mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:17A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:684 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:187nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5155pF @ 25V
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5Fet功能5：标准
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3电流-连续漏极(id)3：17A
4最大功率值4：390W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-1851
包装：
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型号： APTM120DSK57T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
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1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
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3电流-连续漏极(id)3：17A
4最大功率值4：390W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-1852
包装：
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状态： 在售
型号： APTC60AM24T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 600V 95A SP1
参数： 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:220nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:255nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7290pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥）+ 桥式整流器 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:90V *3电流-连续漏极(id)*3:400mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:90V *3电流-连续漏极(id)*3:400mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:17A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:684 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:187nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5155pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:17A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:684 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:187nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5155pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：95A
4最大功率值4：462W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG10-1853
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC60AM24T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60AM24T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60AM24T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60AM24T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTC60HM45T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 600V 49A SP1
参数： 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:75A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:220nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:255nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7290pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥）+ 桥式整流器 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:90V *3电流-连续漏极(id)*3:400mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:90V *3电流-连续漏极(id)*3:400mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:17A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:684 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:187nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5155pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:17A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:684 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:187nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5155pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：49A
4最大功率值4：250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG10-1854
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC60HM45T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60HM45T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60HM45T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60HM45T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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