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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： APTC80TDU15PG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：800V
3电流-连续漏极(id)3：28A
4最大功率值4：277W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6-P
料号：JTG10-1875
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC80TDU15PG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC80TDU15PG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC80TDU15PG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC80TDU15PG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： APTM100H45FT3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:154nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4350pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1000V（1kV）
3电流-连续漏极(id)3：18A
4最大功率值4：357W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-1876
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM100H45FT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM100H45FT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM100H45FT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM100H45FT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APTM10TAM19FPG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:154nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4350pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：70A
4最大功率值4：208W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6-P
料号：JTG10-1877
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM10TAM19FPG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM10TAM19FPG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM10TAM19FPG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM10TAM19FPG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APTM10AM05FTG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:154nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4350pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：278A
4最大功率值4：780W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG10-1878
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM10AM05FTG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM10AM05FTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM10AM05FTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM10AM05FTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APTM20HM20STG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:154nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4350pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:89A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 44.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:112nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6850pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：200V
3电流-连续漏极(id)3：89A
4最大功率值4：357W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG10-1879
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM20HM20STG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20HM20STG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20HM20STG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20HM20STG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTM20AM10FTG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:154nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4350pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:89A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 44.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:112nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6850pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:175A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 87.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:224nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13700pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：200V
3电流-连续漏极(id)3：175A
4最大功率值4：694W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG10-1880
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM20AM10FTG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： APTC80A10SCTG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:154nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4350pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:89A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 44.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:112nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6850pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:175A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 87.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:224nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:42A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:273nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6761pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：800V
3电流-连续漏极(id)3：42A
4最大功率值4：416W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG10-1881
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC80A10SCTG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC80A10SCTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC80A10SCTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC80A10SCTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTM20HM20FTG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:154nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4350pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:89A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 44.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:112nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6850pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:175A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 87.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:224nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:42A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:273nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6761pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:89A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 44.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:112nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6850pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：200V
3电流-连续漏极(id)3：89A
4最大功率值4：357W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG10-1882
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM20HM20FTG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20HM20FTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20HM20FTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20HM20FTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTM20DUM08TG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:154nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4350pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:89A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 44.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:112nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6850pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:175A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 87.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:224nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:42A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:273nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6761pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:89A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 44.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:112nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6850pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V
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5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：200V
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6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG10-1883
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM20DUM08TG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20DUM08TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20DUM08TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20DUM08TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTM50AM38FTG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:154nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4350pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:89A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 44.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:112nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6850pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:175A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 87.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:224nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:42A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:273nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6761pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:89A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 44.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:112nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6850pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 45A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:246nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11200pF @ 25V
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封装：SP4
料号：JTG10-1884
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型号： APTM50HM75FTG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4
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外壳：SP4
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料号：JTG10-1885
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型号： APTM50DUM35TG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:154nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4350pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:89A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 44.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:112nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6850pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:175A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 87.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:224nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:42A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:273nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6761pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:89A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 44.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:112nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6850pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 45A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:246nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:46A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 23A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:123nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V
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包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50DUM35TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： VQ1001P-2
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:154nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4350pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:89A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 44.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:112nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6850pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:175A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 87.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:224nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:42A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:273nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6761pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:89A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 44.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:112nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6850pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 45A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:246nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:46A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 23A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:123nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V
1Fet类型1：4 个 N 通道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：830mA
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：-
封装：14-DIP
料号：JTG10-1887
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VQ1001P-2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VQ1001P-2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VQ1001P-2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VQ1001P-2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： APTM20AM10STG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:154nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4350pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:89A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 44.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:112nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6850pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:175A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 87.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:224nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:42A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:273nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6761pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:89A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 44.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:112nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6850pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 45A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:246nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:46A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 23A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:123nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:175A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 87.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:224nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13700pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：200V
3电流-连续漏极(id)3：175A
4最大功率值4：694W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG10-1888
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM20AM10STG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20AM10STG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20AM10STG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20AM10STG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTC60AM35SCTG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 600V 72A SP4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:154nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4350pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:89A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 44.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:112nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6850pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:175A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 87.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:224nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:42A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:273nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6761pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:89A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 44.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:112nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6850pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 45A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:246nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:46A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 23A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:123nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:175A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 87.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:224nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：72A
4最大功率值4：416W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG10-1889
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： APTM100H35FT3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:154nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4350pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:89A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 44.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:112nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6850pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:175A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 87.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:224nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:42A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:273nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6761pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:89A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 44.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:112nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6850pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 45A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:246nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:46A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 23A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:123nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:175A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 87.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:224nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:186nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5200pF @ 25V
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2漏源极电压(vdss)2：1000V（1kV）
3电流-连续漏极(id)3：22A
4最大功率值4：390W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-1890
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM100H35FT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM100H35FT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTC60HM70SCTG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 600V 39A SP4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:154nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4350pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:89A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 44.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:112nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6850pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:175A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 87.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:224nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:42A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:273nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6761pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:89A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 44.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:112nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6850pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 45A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:246nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:46A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 23A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:123nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:175A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 87.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:224nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:186nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
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3电流-连续漏极(id)3：39A
4最大功率值4：250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG10-1891
包装：
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合作现货:0
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型号： APTM100A23STG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:154nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4350pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:89A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 44.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:112nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6850pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:175A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 87.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:224nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:42A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:224nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:186nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:308nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8700pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1000V（1kV）
3电流-连续漏极(id)3：36A
4最大功率值4：694W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG10-1892
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM100A23STG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM100A23STG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APTM50DHM38G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:154nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4350pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:89A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 44.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:112nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6850pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:175A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 87.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:224nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:42A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:273nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6761pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:89A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 44.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:112nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6850pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 45A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:246nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:46A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 23A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:123nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:175A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 87.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:224nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:186nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:308nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 45A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:246nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11200pF @ 25V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）非对称型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：500V
3电流-连续漏极(id)3：90A
4最大功率值4：694W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG10-1893
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM50DHM38G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50DHM38G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50DHM38G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 停产
型号： VQ1006P-2
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:180nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4507pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:154nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4350pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:89A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 44.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:112nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6850pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:175A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 87.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:224nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:42A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:273nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6761pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:89A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 44.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:112nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6850pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 45A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:246nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:46A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 23A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:123nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:830mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.75 欧姆 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:175A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 87.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:224nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:186nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:308nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 45A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:246nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11200pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:90V *3电流-连续漏极(id)*3:400mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：90V
3电流-连续漏极(id)3：400mA
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：-
封装：14-DIP
料号：JTG10-1894
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VQ1006P-2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VQ1006P-2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VQ1006P-2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VQ1006P-2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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