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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： APTM20AM08FTG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：200V
3电流-连续漏极(id)3：208A
4最大功率值4：781W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG10-1895
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM20AM08FTG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20AM08FTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20AM08FTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20AM08FTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： APTM20HM16FTG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 200V 104A SP4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：200V
3电流-连续漏极(id)3：104A
4最大功率值4：390W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG10-1896
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM20HM16FTG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20HM16FTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20HM16FTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20HM16FTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APTSM120AM55CT1AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： POWER MODULE - SIC
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:272nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5120pF @ 1000V
1Fet类型1：2 个 N 通道（双），肖特基
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：74A（Tc）
4最大功率值4：470W
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG10-1897
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTSM120AM55CT1AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTSM120AM55CT1AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTSM120AM55CT1AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTSM120AM55CT1AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APTM50AM35FTG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:272nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5120pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：500V
3电流-连续漏极(id)3：99A
4最大功率值4：781W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG10-1898
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM50AM35FTG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50AM35FTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50AM35FTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50AM35FTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTM50HM65FTG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 500V 51A SP4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:272nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5120pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 25.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：500V
3电流-连续漏极(id)3：51A
4最大功率值4：390W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG10-1899
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM50HM65FTG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50HM65FTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50HM65FTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50HM65FTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： APTM10DHM05G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:272nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5120pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 25.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）非对称型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：278A
4最大功率值4：780W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG10-1900
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM10DHM05G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： VQ2001P-2
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:272nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5120pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 25.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 P 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 1A，12V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 15V
1Fet类型1：4 个 P 通道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：600mA
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP
封装：14-DIP
料号：JTG10-1901
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VQ2001P-2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VQ2001P-2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VQ2001P-2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VQ2001P-2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTM100A18FTG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:272nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5120pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 25.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 P 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 1A，12V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:43A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:210 毫欧 @ 21.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:372nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10400pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1000V（1kV）
3电流-连续漏极(id)3：43A
4最大功率值4：780W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG10-1902
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM100A18FTG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM100A18FTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM100A18FTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM100A18FTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： APTM100H35FTG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:272nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5120pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 25.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 P 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 1A，12V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:43A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:210 毫欧 @ 21.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:372nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:186nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5200pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1000V（1kV）
3电流-连续漏极(id)3：22A
4最大功率值4：390W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG10-1903
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM100H35FTG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM100H35FTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM100H35FTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM100H35FTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTM120A29FTG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:272nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5120pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 25.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 P 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 1A，12V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:43A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:210 毫欧 @ 21.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:372nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:186nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:34A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:348 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:374nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10300pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
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3电流-连续漏极(id)3：34A
4最大功率值4：780W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG10-1904
包装：
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合作现货:0
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型号： APTM20DHM08G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:272nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5120pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 25.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 P 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 1A，12V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:43A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:210 毫欧 @ 21.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:372nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:186nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:34A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:348 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:374nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10300pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）非对称型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：200V
3电流-连续漏极(id)3：208A
4最大功率值4：781W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG10-1905
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM20DHM08G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTC90HM60T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:272nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5120pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 25.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 P 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 1A，12V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:43A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:210 毫欧 @ 21.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:372nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:186nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:34A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:348 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:374nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10300pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：超级结
2漏源极电压(vdss)2：900V
3电流-连续漏极(id)3：59A
4最大功率值4：462W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-1906
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC90HM60T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC90HM60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC90HM60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC90HM60T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTM50DHM35G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 500V 99A SP6
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:272nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5120pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 25.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 P 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 1A，12V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:43A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:210 毫欧 @ 21.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:372nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:186nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:34A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:348 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:374nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10300pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）非对称型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：500V
3电流-连续漏极(id)3：99A
4最大功率值4：781W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG10-1907
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM50DHM35G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50DHM35G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50DHM35G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50DHM35G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VMM90-09P
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LI
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:272nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5120pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 25.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 P 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 1A，12V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:43A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:210 毫欧 @ 21.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:372nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:186nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:34A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:348 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:374nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10300pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:* 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：
封装：
料号：JTG10-1908
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VMM90-09P' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VMM90-09P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VMM90-09P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VMM90-09P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTC60TAM35PG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:272nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5120pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 25.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 P 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 1A，12V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:43A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:210 毫欧 @ 21.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:372nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:186nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:34A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:348 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:374nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10300pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:* 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：72A
4最大功率值4：416W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6-P
料号：JTG10-1909
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC60TAM35PG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： APTM10TDUM09PG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:272nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5120pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 25.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 P 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 1A，12V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:43A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:210 毫欧 @ 21.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:372nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:186nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:34A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:348 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:374nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10300pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:* 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V
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6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6-P
料号：JTG10-1910
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM10TDUM09PG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTM50HM75SCTG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:272nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5120pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 25.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 P 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 1A，12V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:43A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:210 毫欧 @ 21.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:372nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:186nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:34A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:348 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:374nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10300pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:* 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:46A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 23A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:123nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5590pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：500V
3电流-连续漏极(id)3：46A
4最大功率值4：357W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG10-1911
包装：
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合作现货:0
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型号： VMM650-01F
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI
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沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:* 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:46A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 23A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:123nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5590pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V 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6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：Y3-LI
封装：Y3-LI
料号：JTG10-1912
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： APTM50AM38SCTG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:272nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5120pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 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沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:* 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:46A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 23A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:123nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5590pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:680A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 毫欧 @ 500A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1440nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 45A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:246nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11200pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：500V
3电流-连续漏极(id)3：90A
4最大功率值4：694W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG10-1913
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM50AM38SCTG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50AM38SCTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50AM38SCTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： APTM20AM06SG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 200V 300A SP6
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:272nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5120pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 25.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 P 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 1A，12V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 15V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:43A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:210 毫欧 @ 21.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:372nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:186nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:34A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:348 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:374nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10300pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:* 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:46A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 23A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:123nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5590pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:680A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 毫欧 @ 500A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1440nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 45A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:246nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:300A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.2 毫欧 @ 150A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:325nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18500pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：200V
3电流-连续漏极(id)3：300A
4最大功率值4：1250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG10-1914
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM20AM06SG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20AM06SG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20AM06SG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20AM06SG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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