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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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制造商统称

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*fet 类型

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： APTM10TAM09FPG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：139A
4最大功率值4：390W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6-P
料号：JTG10-1915
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM10TAM09FPG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM10TAM09FPG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM10TAM09FPG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM10TAM09FPG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTC80AM75SCG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:56A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:364nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9015pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：800V
3电流-连续漏极(id)3：56A
4最大功率值4：568W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG10-1916
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC80AM75SCG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC80AM75SCG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC80AM75SCG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC80AM75SCG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： VMM90-09F
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LI
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:56A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:364nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9015pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:85A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:76 毫欧 @ 65A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:960nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：900V
3电流-连续漏极(id)3：85A
4最大功率值4：-
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：Y3-LI
封装：Y3-LI
料号：JTG10-1917
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VMM90-09F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VMM90-09F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VMM90-09F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VMM90-09F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： VMM300-03F
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 2N-CH 300V 290A Y3-DCB
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:56A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:364nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9015pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:85A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:76 毫欧 @ 65A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:960nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:300V *3电流-连续漏极(id)*3:290A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.6 毫欧 @ 145A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1440nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40000pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：300V
3电流-连续漏极(id)3：290A
4最大功率值4：1500W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：Y3-DCB
封装：Y3-DCB
料号：JTG10-1918
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VMM300-03F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VMM300-03F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VMM300-03F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VMM300-03F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTM10DUM02G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:56A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:364nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9015pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:85A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:76 毫欧 @ 65A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:960nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:300V *3电流-连续漏极(id)*3:290A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.6 毫欧 @ 145A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1440nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:495A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 毫欧 @ 200A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1360nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40000pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：495A
4最大功率值4：1250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG10-1919
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM10DUM02G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM10DUM02G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM10DUM02G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM10DUM02G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTM20DUM05G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:56A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:364nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9015pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:85A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:76 毫欧 @ 65A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:960nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:300V *3电流-连续漏极(id)*3:290A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.6 毫欧 @ 145A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1440nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:495A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 毫欧 @ 200A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1360nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:317A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 158.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:448nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27400pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：200V
3电流-连续漏极(id)3：317A
4最大功率值4：1136W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG10-1920
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM20DUM05G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： APTM100A13DG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:56A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:364nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9015pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:85A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:76 毫欧 @ 65A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:960nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:300V *3电流-连续漏极(id)*3:290A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.6 毫欧 @ 145A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1440nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:495A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 毫欧 @ 200A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1360nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:317A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 158.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:448nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:65A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:156 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:562nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15200pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1000V（1kV）
3电流-连续漏极(id)3：65A
4最大功率值4：1250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG10-1921
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM100A13DG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM100A13DG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM100A13DG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： APTM120TDU57PG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:56A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:364nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9015pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:85A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:76 毫欧 @ 65A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:960nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:300V *3电流-连续漏极(id)*3:290A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.6 毫欧 @ 145A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1440nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:495A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 毫欧 @ 200A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1360nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:317A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 158.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:448nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:65A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:156 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:562nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:17A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:684 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:187nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5155pF @ 25V
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：17A
4最大功率值4：390W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6-P
料号：JTG10-1922
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM120TDU57PG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM120TDU57PG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTM120A20DG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:56A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:364nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9015pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:85A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:76 毫欧 @ 65A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:960nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:300V *3电流-连续漏极(id)*3:290A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.6 毫欧 @ 145A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1440nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:495A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 毫欧 @ 200A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1360nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:317A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 158.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:448nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:65A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:156 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:562nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:17A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:684 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:187nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5155pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15200pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：50A
4最大功率值4：1250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG10-1923
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM120A20DG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM120A20DG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM120A20DG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM120A20DG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTMC60TL11CT3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:56A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:364nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9015pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:85A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:76 毫欧 @ 65A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:960nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:300V *3电流-连续漏极(id)*3:290A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.6 毫欧 @ 145A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1440nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:495A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 毫欧 @ 200A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1360nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:317A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 158.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:448nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:65A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:156 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:562nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:17A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:684 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:187nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5155pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:49nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 1000V
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外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-1924
包装：
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型号： APTM20TAM16FPG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P
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型号： APTM120A20SG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:56A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:364nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9015pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:85A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:76 毫欧 @ 65A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:960nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:300V *3电流-连续漏极(id)*3:290A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.6 毫欧 @ 145A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1440nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:495A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 毫欧 @ 200A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1360nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:317A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 158.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:448nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:65A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:156 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:562nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:17A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:684 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:187nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5155pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:49nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15200pF @ 25V
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM120A20SG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM120A20SG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： APTM50TAM65FPG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:56A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:364nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9015pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:85A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:76 毫欧 @ 65A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:960nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:300V *3电流-连续漏极(id)*3:290A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.6 毫欧 @ 145A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1440nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:495A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 毫欧 @ 200A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1360nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:317A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 158.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:448nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:65A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:156 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:562nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:17A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:684 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:187nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5155pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:49nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 25.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：标准
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3电流-连续漏极(id)3：51A
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外壳：SP6
封装：SP6-P
料号：JTG10-1927
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM50TAM65FPG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50TAM65FPG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50TAM65FPG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： APTM20HM10FG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 200V 175A SP6
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:56A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:364nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9015pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:85A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:76 毫欧 @ 65A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:960nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:300V *3电流-连续漏极(id)*3:290A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.6 毫欧 @ 145A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1440nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:495A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 毫欧 @ 200A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1360nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:317A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 158.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:448nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:65A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:156 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:562nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:17A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:684 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:187nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5155pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:49nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 25.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:175A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 87.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:224nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13700pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：200V
3电流-连续漏极(id)3：175A
4最大功率值4：694W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG10-1928
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM20HM10FG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20HM10FG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20HM10FG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20HM10FG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： APTC60TAM24TPG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 6N-CH 600V 95A SP6-P
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:56A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:364nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9015pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:85A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:76 毫欧 @ 65A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:960nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:300V *3电流-连续漏极(id)*3:290A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.6 毫欧 @ 145A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1440nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:495A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 毫欧 @ 200A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1360nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:317A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 158.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:448nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:65A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:156 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:562nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:17A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:684 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:187nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5155pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:49nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 25.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:175A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 87.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:224nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：超级结
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：95A
4最大功率值4：462W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6-P
料号：JTG10-1929
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC60TAM24TPG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： APTM100TA35FPG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:56A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:364nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9015pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:85A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:76 毫欧 @ 65A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:960nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:300V *3电流-连续漏极(id)*3:290A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.6 毫欧 @ 145A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1440nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:495A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 毫欧 @ 200A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1360nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:317A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 158.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:448nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:65A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:156 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:562nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:17A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:684 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:187nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5155pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:49nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 25.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:175A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 87.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:224nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:186nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5200pF @ 25V
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1000V（1kV）
3电流-连续漏极(id)3：22A
4最大功率值4：390W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6-P
料号：JTG10-1930
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTM20AM05FG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:56A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:364nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9015pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:85A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:76 毫欧 @ 65A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:960nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:300V *3电流-连续漏极(id)*3:290A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.6 毫欧 @ 145A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1440nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:495A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 毫欧 @ 200A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1360nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:317A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 158.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:448nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:65A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:156 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:562nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:17A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:684 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:187nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5155pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:49nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 25.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:175A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 87.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:224nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:186nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:317A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 158.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:448nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27400pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：200V
3电流-连续漏极(id)3：317A
4最大功率值4：1136W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG10-1931
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： APTM20DUM04G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:56A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:364nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9015pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:85A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:76 毫欧 @ 65A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:960nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:300V *3电流-连续漏极(id)*3:290A 不同id，vgs 时的rds 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1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：200V
3电流-连续漏极(id)3：372A
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6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG10-1932
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM20DUM04G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20DUM04G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTM50HM38FG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 500V 90A SP6
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:56A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:364nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9015pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:85A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:76 毫欧 @ 65A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:960nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:300V *3电流-连续漏极(id)*3:290A 不同id，vgs 时的rds 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制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:17A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:684 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:187nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5155pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:49nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 25.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:175A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 87.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:224nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:186nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:317A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 158.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:448nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:372A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 186A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28900pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 45A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:246nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11200pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：500V
3电流-连续漏极(id)3：90A
4最大功率值4：694W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG10-1933
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM50HM38FG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50HM38FG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50HM38FG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50HM38FG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTM50AM19FG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:139A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:350nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:800V *3电流-连续漏极(id)*3:56A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:364nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9015pF @ 25V 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:85A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:76 毫欧 @ 65A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:960nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HiPerFET™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:300V *3电流-连续漏极(id)*3:290A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.6 毫欧 @ 145A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1440nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:495A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 毫欧 @ 200A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1360nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:317A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 158.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:448nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:65A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:156 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:562nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:17A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:684 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:187nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5155pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:49nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 25.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:175A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 87.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:224nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:186nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:317A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 158.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:448nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:372A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 186A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28900pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 45A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:246nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:163A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 81.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:492nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22400pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：500V
3电流-连续漏极(id)3：163A
4最大功率值4：1136W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG10-1934
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM50AM19FG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50AM19FG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50AM19FG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50AM19FG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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