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元器件型号：2486 件
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*电流 - 集电极（ic）（最大值）

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*功率 - 最大值

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不同?vge，ic 时的?vce（on）

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电流 - 集电极截止（最大值）

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不同?vce 时的输入电容（cies）

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*输入

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*ntc 热敏电阻

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： F3L75R07W2E3B11BOMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 650V 95A 250W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:95A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：95A
4最大值功率(W)4：250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1201
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'F3L75R07W2E3B11BOMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F3L75R07W2E3B11BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F3L75R07W2E3B11BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F3L75R07W2E3B11BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： FP25R12W2T4PBPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 50A 20MW
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:95A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：50A
4最大值功率(W)4：20mW
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1202
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FP25R12W2T4PBPSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP25R12W2T4PBPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP25R12W2T4PBPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP25R12W2T4PBPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： F3L75R12W1H3B27BOMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 45A 275W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:95A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:275W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：45A
4最大值功率(W)4：275W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1203
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'F3L75R12W1H3B27BOMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F3L75R12W1H3B27BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F3L75R12W1H3B27BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F3L75R12W1H3B27BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： FP35R12W2T4PB11BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 70A 20MW
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:95A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:275W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：70A
4最大值功率(W)4：20mW
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1204
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FP35R12W2T4PB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP35R12W2T4PB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP35R12W2T4PB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP35R12W2T4PB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： DF100R07W1H5FPB54BPSA2
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 650V 40A 20MW
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:95A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:275W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V
1配置1：2 个独立式
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：40A
4最大值功率(W)4：20mW
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1205
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DF100R07W1H5FPB54BPSA2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF100R07W1H5FPB54BPSA2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF100R07W1H5FPB54BPSA2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF100R07W1H5FPB54BPSA2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： F3L100R07W2E3B11BOMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 650V 117A 300W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:95A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:275W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:117A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：117A
4最大值功率(W)4：300W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1206
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'F3L100R07W2E3B11BOMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： FP35R12W2T4B11BOMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 54A 215W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:95A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:275W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:117A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:54A *4最大值功率(W)*4:215W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：54A
4最大值功率(W)4：215W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1207
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP35R12W2T4B11BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP35R12W2T4B11BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP35R12W2T4B11BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FS50R12W2T4BOMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 83A 335W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:95A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:275W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:117A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:54A *4最大值功率(W)*4:215W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:83A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V
1配置1：全桥反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：83A
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1208
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS50R12W2T4BOMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS50R12W2T4BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS50R12W2T4BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS50R12W2T4BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FS50R12W2T7B11BOMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 50A
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:95A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:275W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:117A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:54A *4最大值功率(W)*4:215W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:83A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.5V @ 15V，50A（标准） 电流-集电极截止(最大值):7.9µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11.1nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：50A
4最大值功率(W)4：20mW
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1209
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS50R12W2T7B11BOMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS50R12W2T7B11BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS50R12W2T7B11BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS50R12W2T7B11BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FP35R12W2T4PBPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 70A 20MW
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:95A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:275W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:117A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:54A *4最大值功率(W)*4:215W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:83A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.5V @ 15V，50A（标准） 电流-集电极截止(最大值):7.9µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11.1nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：70A
4最大值功率(W)4：20mW
5输入5：三相桥式整流器
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1210
包装：
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合作现货:0
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型号： DF100R07W1H5FPB53BPSA2
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 650V 40A 20MW
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:95A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:275W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:117A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:54A *4最大值功率(W)*4:215W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:83A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.5V @ 15V，50A（标准） 电流-集电极截止(最大值):7.9µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11.1nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V
1配置1：2 个独立式
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：40A
4最大值功率(W)4：20mW
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1211
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DF100R07W1H5FPB53BPSA2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF100R07W1H5FPB53BPSA2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF100R07W1H5FPB53BPSA2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF100R07W1H5FPB53BPSA2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NXH80T120L2Q0S2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： PIM 1200V, 80A TNPC CUSTO
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:95A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:275W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:117A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:54A *4最大值功率(W)*4:215W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:83A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.5V @ 15V，50A（标准） 电流-集电极截止(最大值):7.9µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11.1nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
1配置1：-
2集射极击穿-最大电压(V)：-
3集电极(ic)最大电流值(A)3：-
4最大值功率(W)4：-
5输入5：-
6ntc热敏电阻6：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG11-1212
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NXH80T120L2Q0S2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NXH80T120L2Q0S2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NXH80T120L2Q0S2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NXH80T120L2Q0S2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： FF100R12RT4HOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 100A 555W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:95A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:275W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:117A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:54A *4最大值功率(W)*4:215W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:83A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.5V @ 15V，50A（标准） 电流-集电极截止(最大值):7.9µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11.1nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:630nF @ 25V
1配置1：2 个独立式
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：555W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1213
包装：
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合作现货:0
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型号： F3L100R12W2H3B11BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 100A 375W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:95A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:275W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:117A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:54A *4最大值功率(W)*4:215W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:83A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.5V @ 15V，50A（标准） 电流-集电极截止(最大值):7.9µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11.1nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:630nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:375W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.15nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：375W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1214
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'F3L100R12W2H3B11BPSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： F3L15R12W2H3B27BOMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 20A 145W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:95A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:275W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:117A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:54A *4最大值功率(W)*4:215W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:83A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.5V @ 15V，50A（标准） 电流-集电极截止(最大值):7.9µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11.1nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:630nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:375W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:3 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:145W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:875pF @ 25V
1配置1：3 个独立式
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：20A
4最大值功率(W)4：145W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1215
包装：
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合作现货:0
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型号： FS75R12W2T7B11BOMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 75A
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1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1216
包装：
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型号： FS75R12W2T4BOMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 107A 375W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:95A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:275W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:117A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:54A *4最大值功率(W)*4:215W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:83A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.5V @ 15V，50A（标准） 电流-集电极截止(最大值):7.9µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11.1nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:630nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:375W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:3 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:145W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:875pF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.55V @ 15V，75A（标准） 电流-集电极截止(最大值):13µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:15.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:107A *4最大值功率(W)*4:375W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：107A
4最大值功率(W)4：375W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1217
包装：
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合作现货:0
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型号： FS75R12W2T4B11BOMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 107A 375W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:95A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:275W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:117A *4最大值功率(W)*4:300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:54A *4最大值功率(W)*4:215W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:83A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.5V @ 15V，50A（标准） 电流-集电极截止(最大值):7.9µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11.1nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:630nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:375W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:3 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:145W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:875pF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.55V @ 15V，75A（标准） 电流-集电极截止(最大值):13µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:15.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:107A *4最大值功率(W)*4:375W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:107A *4最大值功率(W)*4:375W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：107A
4最大值功率(W)4：375W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1218
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS75R12W2T4B11BOMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FP15R12KT3BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 18A 83.5W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:95A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:275W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 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*2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:83A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.5V @ 15V，50A（标准） 电流-集电极截止(最大值):7.9µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11.1nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.55V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):40µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:555W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:630nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:375W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.15nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:3 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:145W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:875pF @ 25V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.55V @ 15V，75A（标准） 电流-集电极截止(最大值):13µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:15.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:107A *4最大值功率(W)*4:375W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:107A *4最大值功率(W)*4:375W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:18A *4最大值功率(W)*4:83.5W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):5mA 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1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：18A
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1219
包装：
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合作现货:0
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型号： FS75R07W2E3B11ABOMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULES
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:95A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:45A *4最大值功率(W)*4:275W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V 系列:EasyPIM™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:70A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 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制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:65A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.55V @ 15V，75A（标准） 电流-集电极截止(最大值):13µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:15.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:107A *4最大值功率(W)*4:375W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:107A *4最大值功率(W)*4:375W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:18A *4最大值功率(W)*4:83.5W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，10A 电流-集电极截止(最大值):5mA 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1配置1：-
2集射极击穿-最大电压(V)：-
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5输入5：-
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料号：JTG11-1220
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS75R07W2E3B11ABOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS75R07W2E3B11ABOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS75R07W2E3B11ABOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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