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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： FP15R12KE3GBOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 25A 105W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：25A
4最大值功率(W)4：105W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1221
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FP15R12KE3GBOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP15R12KE3GBOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： FS25R12KT3BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 40A 145W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:145W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：40A
4最大值功率(W)4：145W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1222
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS25R12KT3BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS25R12KT3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS25R12KT3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS25R12KT3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： DF80R12W2H3FB11BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 20A 20MW
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:145W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:EconoPACK™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.35nF @ 25V
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：20A
4最大值功率(W)4：20mW
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1223
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DF80R12W2H3FB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF80R12W2H3FB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF80R12W2H3FB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF80R12W2H3FB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： FS3L30R07W2H3FB11BPSA2
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 650V 30A 20MW
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:145W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:EconoPACK™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.35nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：30A
4最大值功率(W)4：20mW
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1224
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS3L30R07W2H3FB11BPSA2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS3L30R07W2H3FB11BPSA2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS3L30R07W2H3FB11BPSA2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS3L30R07W2H3FB11BPSA2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： F3L150R07W2E3B11BOMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 650V 150A 335W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:145W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:EconoPACK™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.35nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：150A
4最大值功率(W)4：335W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1225
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'F3L150R07W2E3B11BOMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F3L150R07W2E3B11BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F3L150R07W2E3B11BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F3L150R07W2E3B11BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： FP25R12KT4BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 25A 160W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:145W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:EconoPACK™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.35nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：25A
4最大值功率(W)4：160W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1226
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FP25R12KT4BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP25R12KT4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP25R12KT4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP25R12KT4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FS35R12KT3BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 55A 210W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:145W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:EconoPACK™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.35nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V
1配置1：全桥反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：55A
4最大值功率(W)4：210W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1227
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS35R12KT3BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS35R12KT3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS35R12KT3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS35R12KT3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FS100R12W2T7B11BOMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 100A 20MW EASY
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:145W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:EconoPACK™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.35nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.50V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):9µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9µA
1配置1：单路
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：20mW
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：AG-EASY2B-1
料号：JTG11-1228
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS100R12W2T7B11BOMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS100R12W2T7B11BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS100R12W2T7B11BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS100R12W2T7B11BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： FP25R12KE3BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 40A 155W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:145W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:EconoPACK™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.35nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.50V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):9µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9µA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:155W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：40A
4最大值功率(W)4：155W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1229
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FP25R12KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP25R12KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP25R12KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP25R12KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： F3L150R12W2H3B11BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 75A 500W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:145W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:EconoPACK™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.35nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.50V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):9µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9µA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:155W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.7nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
4最大值功率(W)4：500W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1230
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F3L150R12W2H3B11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FS3L40R07W2H5FB11BOMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE LOW POWER EASY
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:145W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:EconoPACK™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.35nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.50V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):9µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9µA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:155W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.7nF @ 25V 系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.81V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):18µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：40A
4最大值功率(W)4：20mW
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：AG-EASY2B-2
料号：JTG11-1231
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS3L40R07W2H5FB11BOMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS3L40R07W2H5FB11BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS3L40R07W2H5FB11BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS3L40R07W2H5FB11BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 50A 350W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:145W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:EconoPACK™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.35nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.50V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):9µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9µA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:155W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.7nF @ 25V 系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.81V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):18µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 20V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V
1配置1：单斩波器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：50A
4最大值功率(W)4：350W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
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封装：模块
料号：JTG11-1232
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDB6U84N16RRBOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDB6U84N16RRBOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDB6U84N16RRBOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： F43L50R07W2H3FB11BPSA2
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 650V 50A 20MW
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:145W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:EconoPACK™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.35nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.50V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):9µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9µA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:155W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.7nF @ 25V 系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.81V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):18µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 20V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V 系列:EconoPACK™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：50A
4最大值功率(W)4：20mW
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1233
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'F43L50R07W2H3FB11BPSA2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F43L50R07W2H3FB11BPSA2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F43L50R07W2H3FB11BPSA2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F43L50R07W2H3FB11BPSA2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： NXH80B120H2Q0SG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： PIM 1200V, 40A DUAL BOOST
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:145W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:EconoPACK™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.35nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.50V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):9µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9µA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:155W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.7nF @ 25V 系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.81V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):18µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 20V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V 系列:EconoPACK™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:-
1配置1：-
2集射极击穿-最大电压(V)：-
3集电极(ic)最大电流值(A)3：-
4最大值功率(W)4：-
5输入5：-
6ntc热敏电阻6：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG11-1234
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NXH80B120H2Q0SG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NXH80B120H2Q0SG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NXH80B120H2Q0SG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NXH80B120H2Q0SG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FS50R12KT3BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 75A 280W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:145W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:EconoPACK™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.35nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.50V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):9µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9µA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:155W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.7nF @ 25V 系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.81V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):18µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 20V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V 系列:EconoPACK™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V
1配置1：全桥
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
4最大值功率(W)4：280W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1235
包装：
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合作现货:0
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型号： FS50R12KE3BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 75A 270W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:145W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:EconoPACK™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.35nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.50V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):9µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9µA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:155W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.7nF @ 25V 系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.81V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):18µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 20V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V 系列:EconoPACK™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：75A
4最大值功率(W)4：270W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1236
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS50R12KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS50R12KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS50R12KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS50R12KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FS3L50R07W2H3FB11BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 650V 50A 20MW
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:145W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:EconoPACK™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.35nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.50V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):9µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9µA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:155W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.7nF @ 25V 系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.81V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):18µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 20V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V 系列:EconoPACK™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：50A
4最大值功率(W)4：20mW
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1237
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： FP35R12KT4B15BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 35A 210W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:145W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:EconoPACK™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.35nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.50V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):9µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9µA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:155W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.7nF @ 25V 系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.81V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):18µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 20V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V 系列:EconoPACK™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：35A
4最大值功率(W)4：210W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1238
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FP35R12KT4B15BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP35R12KT4B15BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FP35R12KT4BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 35A 210W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:145W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:EconoPACK™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.35nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:335W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:全桥反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.50V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):9µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9µA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:155W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.7nF @ 25V 系列:TrenchStop™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.81V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):18µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 20V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V 系列:EconoPACK™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V
1配置1：三相反相器
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3集电极(ic)最大电流值(A)3：35A
4最大值功率(W)4：210W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1239
包装：
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型号： FP35R12KT4B11BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 35A 210W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V 系列:EconoPACK™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:40A *4最大值功率(W)*4:145W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V 系列:EconoPACK™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:20A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，20A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.35nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:30A *4最大值功率(W)*4:20mW 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制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 20V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V 系列:EconoPACK™2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:- *4最大值功率(W)*4:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流-集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:全桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:75A *4最大值功率(W)*4:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V 系列:EasyPACK™ 2B 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:35A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 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1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
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外壳：模块
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料号：JTG11-1240
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP35R12KT4B11BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP35R12KT4B11BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP35R12KT4B11BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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