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元器件型号：2486 件
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*电流 - 集电极（ic）（最大值）

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电流 - 集电极截止（最大值）

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*输入

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： FP40R12KE3BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 55A 210W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：55A
4最大值功率(W)4：210W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1241
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FP40R12KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP40R12KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FF100R12KS4HOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 150A 780W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:650nF @ 25V
1配置1：2 个独立式
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：150A
4最大值功率(W)4：780W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1242
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF100R12KS4HOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF100R12KS4HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF100R12KS4HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF100R12KS4HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： F3L200R12W2H3B11BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 100A 600W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:650nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11.5nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：100A
4最大值功率(W)4：600W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1243
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'F3L200R12W2H3B11BPSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F3L200R12W2H3B11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F3L200R12W2H3B11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F3L200R12W2H3B11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FF200R06KE3HOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 600V 260A 680W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:650nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11.5nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:260A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5mA
1配置1：半桥
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：260A
4最大值功率(W)4：680W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1244
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF200R06KE3HOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF200R06KE3HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF200R06KE3HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF200R06KE3HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： FF150R12KT3GHOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 225A 780W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:650nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11.5nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:260A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V
1配置1：单斩波器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：225A
4最大值功率(W)4：780W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1245
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF150R12KT3GHOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF150R12KT3GHOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF150R12KT3GHOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF150R12KT3GHOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： F1225R12KT4GBOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 25A 160W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:650nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11.5nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:260A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：25A
4最大值功率(W)4：160W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1246
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'F1225R12KT4GBOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F1225R12KT4GBOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F1225R12KT4GBOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： FD200R12KE3HOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 1200V 1050W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:650nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11.5nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:260A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V
1配置1：单斩波器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：1200V
4最大值功率(W)4：1050W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1247
包装：
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合作现货:0
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型号： FP50R12KT4BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 50A 280W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:650nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11.5nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:260A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V
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2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1248
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP50R12KT4BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FZ400R12KE4HOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 400A 2400W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:650nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11.5nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:260A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V
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6ntc热敏电阻6：是
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封装：模块
料号：JTG11-1249
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FZ400R12KE4HOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： FF200R12KE4HOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 240A 1100W
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包装：
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品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 320A 1100W
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描述： IGBT MOD 1200V 50A 280W
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型号： FF150R12KS4HOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 225A 1250W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:650nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11.5nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:260A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:240A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:320A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:EconoPIM™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V
1配置1：2 个独立式
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：225A
4最大值功率(W)4：1250W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1253
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF150R12KS4HOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： FS75R12KE3BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 105A 350W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:650nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11.5nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:260A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:240A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:320A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:EconoPIM™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：105A
4最大值功率(W)4：350W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1254
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS75R12KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS75R12KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS75R12KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FF300R06KE3HOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 600V 400A 940W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:650nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11.5nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:260A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:240A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:320A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:EconoPIM™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V
1配置1：2 个独立式
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：400A
4最大值功率(W)4：940W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1255
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF300R06KE3HOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF300R06KE3HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF300R06KE3HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： FF300R07KE4HOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 650V 940W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:650nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11.5nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:260A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:240A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:320A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:EconoPIM™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:650V *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V
1配置1：2 个独立式
2集射极击穿-最大电压(V)：650V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：650V
4最大值功率(W)4：940W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：无
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1256
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF300R07KE4HOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FP40R12KT3GBOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 55A 210W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:650nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11.5nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:260A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:25A *4最大值功率(W)*4:160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.45nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单斩波器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:1200V *4最大值功率(W)*4:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:单路 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:240A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:320A *4最大值功率(W)*4:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V 系列:EconoPIM™ 2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:650V *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，401A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：55A
4最大值功率(W)4：210W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1257
包装：
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合作现货:0
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型号： FS75R12KT3BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 105A 355W
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1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：105A
4最大值功率(W)4：355W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1258
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FS75R12KT3BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FS75R12KT3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FP40R12KE3GBOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MOD 1200V 55A 210W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:650nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11.5nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:260A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 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IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:650V *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，401A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：1200V
3集电极(ic)最大电流值(A)3：55A
4最大值功率(W)4：210W
5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1259
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： FP75R06KE3BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IGBT MODULE 600V 95A 250W
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:150A *4最大值功率(W)*4:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:650nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:100A *4最大值功率(W)*4:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.75V @ 15V，100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11.5nF @ 25V 系列:C 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:半桥 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:260A *4最大值功率(W)*4:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 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IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:50A *4最大值功率(W)*4:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:225A *4最大值功率(W)*4:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:NPT *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:400A *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:2 个独立式 *2集射极击穿-最大电压(V):650V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:650V *4最大值功率(W)*4:940W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，300A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:- *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，401A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:105A *4最大值功率(W)*4:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):1200V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:55A *4最大值功率(W)*4:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，40A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 IGBT类型*7:沟槽型场截止 *1配置*1:三相反相器 *2集射极击穿-最大电压(V):600V *3集电极(ic)最大电流值(A)*3:95A *4最大值功率(W)*4:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流-集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V
1配置1：三相反相器
2集射极击穿-最大电压(V)：600V
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5输入5：标准
6ntc热敏电阻6：是
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG11-1260
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP75R06KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP75R06KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FP75R06KE3BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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