晶体管单路晶体管-双极(BJT)商品目录【辰科芯查】

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状态：在售型号： BCP56T1G 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： TRANS NPN 80V 1A SOT223 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 150mA，2V 5功率-最大值：1.5W 4频率-跃迁：130MHz	外壳：TO-261-4，TO-261AA 封装：SOT-223 料号：JTG1-21 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FMMT495TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS NPN 150V 1A SOT23-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：150V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：10 @ 250mA，10V 5功率-最大值：500mW 4频率-跃迁：100MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3 料号：JTG1-22 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FMMT6517TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：500mA 2电压-集射极击穿(最大值)：350V 6电流-集电极截止(最大值)：50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：20 @ 50mA，10V 5功率-最大值：330mW 4频率-跃迁：50MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3 料号：JTG1-23 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NSS40201LT1G 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： TRANS NPN 40V 2A SOT23-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：2A 2电压-集射极击穿(最大值)：40V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：200 @ 500mA，2V 5功率-最大值：460mW 4频率-跃迁：150MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3（TO-236）料号：JTG1-24 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BCX56-16,115 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANS NPN 80V 1A SOT89 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 150mA，2V 5功率-最大值：1.25W 4频率-跃迁：180MHz	外壳：TO-243AA 封装：SOT-89-3 料号：JTG1-25 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BCX56-16,135 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANS NPN 80V 1A SOT89 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 150mA，2V 5功率-最大值：1.25W 4频率-跃迁：180MHz	外壳：TO-243AA 封装：SOT-89-3 料号：JTG1-26 资料：规格书/封装库包装： 4000个/ 圆盘	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BCX56-16,147 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANS NPN 80V 1A SOT89 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 150mA，2V 5功率-最大值：1.25W 4频率-跃迁：180MHz	外壳：TO-243AA 封装：SOT-89-3 料号：JTG1-27 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FMMT458TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS NPN 400V 0.225A SOT23-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：225mA 2电压-集射极击穿(最大值)：400V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 50mA，10V 5功率-最大值：500mW 4频率-跃迁：50MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3 料号：JTG1-28 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FMMT493TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS NPN 100V 1A SOT23-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：100V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 250mA，10V 5功率-最大值：500mW 4频率-跃迁：150MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3 料号：JTG1-29 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FMMT497TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 100mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:75MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：500mA 2电压-集射极击穿(最大值)：300V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：80 @ 100mA，10V 5功率-最大值：500mW 4频率-跃迁：75MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3 料号：JTG1-30 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FMMT591ATA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS PNP 40V 1A SOT23-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 100mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:75MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：40V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：300 @ 100mA，5V 5功率-最大值：500mW 4频率-跃迁：150MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3 料号：JTG1-31 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FMMT558TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS PNP 400V 0.15A SOT23-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 100mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:75MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：150mA 2电压-集射极击穿(最大值)：400V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 50mA，10V 5功率-最大值：500mW 4频率-跃迁：50MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3 料号：JTG1-32 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NSS1C201LT1G 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： TRANS NPN 100V 2A SOT23-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 100mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:75MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:120 @ 500mA，2V 5功率-最大值:490mW 4频率-跃迁:110MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：2A 2电压-集射极击穿(最大值)：100V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：120 @ 500mA，2V 5功率-最大值：490mW 4频率-跃迁：110MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3（TO-236）料号：JTG1-33 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： PBSS4350X,135 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANS NPN 50V 3A SOT89 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 100mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:75MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:120 @ 500mA，2V 5功率-最大值:490mW 4频率-跃迁:110MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：3A 2电压-集射极击穿(最大值)：50V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：300 @ 1A，2V 5功率-最大值：1.6W 4频率-跃迁：100MHz	外壳：TO-243AA 封装：SOT-89-3 料号：JTG1-34 资料：规格书/封装库包装： 4000个/ 圆盘	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： PBSS4350X,115 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANS NPN 50V 3A SOT89 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 100mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:75MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:120 @ 500mA，2V 5功率-最大值:490mW 4频率-跃迁:110MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：3A 2电压-集射极击穿(最大值)：50V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：300 @ 1A，2V 5功率-最大值：1.6W 4频率-跃迁：100MHz	外壳：TO-243AA 封装：SOT-89-3 料号：JTG1-35 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： PBSS4350X,146 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANS NPN 50V 3A SOT89 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 100mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:75MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:120 @ 500mA，2V 5功率-最大值:490mW 4频率-跃迁:110MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：3A 2电压-集射极击穿(最大值)：50V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：300 @ 1A，2V 5功率-最大值：1.6W 4频率-跃迁：100MHz	外壳：TO-243AA 封装：SOT-89-3 料号：JTG1-36 资料：规格书/封装库包装： 1000个/ 圆盘	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： PBSS4350X,147 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANS NPN 50V 3A SOT89 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 100mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:75MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:120 @ 500mA，2V 5功率-最大值:490mW 4频率-跃迁:110MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：3A 2电压-集射极击穿(最大值)：50V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：300 @ 1A，2V 5功率-最大值：1.6W 4频率-跃迁：100MHz	外壳：TO-243AA 封装：SOT-89-3 料号：JTG1-37 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NSS1C200LT1G 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： TRANS PNP 100V 2A SOT-23 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 100mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:75MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:120 @ 500mA，2V 5功率-最大值:490mW 4频率-跃迁:110MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:120 @ 50mA，2V 5功率-最大值:490mW 4频率-跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：2A 2电压-集射极击穿(最大值)：100V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：120 @ 50mA，2V 5功率-最大值：490mW 4频率-跃迁：120MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3（TO-236）料号：JTG1-38 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： PBSS5350Z,135 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANS PNP 50V 3A SOT223 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 100mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:75MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:120 @ 500mA，2V 5功率-最大值:490mW 4频率-跃迁:110MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:120 @ 50mA，2V 5功率-最大值:490mW 4频率-跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 2A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：3A 2电压-集射极击穿(最大值)：50V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 2A，2V 5功率-最大值：2W 4频率-跃迁：100MHz	外壳：TO-261-4，TO-261AA 封装：SOT223 料号：JTG1-39 资料：规格书/封装库包装： 4000个/ 圆盘	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FMMT597TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS PNP 300V 0.2A SOT23-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 100mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:75MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:120 @ 500mA，2V 5功率-最大值:490mW 4频率-跃迁:110MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:120 @ 50mA，2V 5功率-最大值:490mW 4频率-跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 2A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 20mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:75MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：200mA 2电压-集射极击穿(最大值)：300V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 50mA，10V 5功率-最大值：500mW 4频率-跃迁：75MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3 料号：JTG1-40 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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状态：在售型号： BCP56T1G 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： TRANS NPN 80V 1A SOT223 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 150mA，2V 5功率-最大值：1.5W 4频率-跃迁：130MHz	外壳：TO-261-4，TO-261AA 封装：SOT-223 料号：JTG1-21 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FMMT495TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS NPN 150V 1A SOT23-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：150V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：10 @ 250mA，10V 5功率-最大值：500mW 4频率-跃迁：100MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3 料号：JTG1-22 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FMMT6517TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：500mA 2电压-集射极击穿(最大值)：350V 6电流-集电极截止(最大值)：50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：20 @ 50mA，10V 5功率-最大值：330mW 4频率-跃迁：50MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3 料号：JTG1-23 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NSS40201LT1G 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： TRANS NPN 40V 2A SOT23-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：2A 2电压-集射极击穿(最大值)：40V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：200 @ 500mA，2V 5功率-最大值：460mW 4频率-跃迁：150MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3（TO-236）料号：JTG1-24 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BCX56-16,115 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANS NPN 80V 1A SOT89 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 150mA，2V 5功率-最大值：1.25W 4频率-跃迁：180MHz	外壳：TO-243AA 封装：SOT-89-3 料号：JTG1-25 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BCX56-16,135 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANS NPN 80V 1A SOT89 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 150mA，2V 5功率-最大值：1.25W 4频率-跃迁：180MHz	外壳：TO-243AA 封装：SOT-89-3 料号：JTG1-26 资料：规格书/封装库包装： 4000个/ 圆盘	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BCX56-16,147 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANS NPN 80V 1A SOT89 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 150mA，2V 5功率-最大值：1.25W 4频率-跃迁：180MHz	外壳：TO-243AA 封装：SOT-89-3 料号：JTG1-27 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FMMT458TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS NPN 400V 0.225A SOT23-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：225mA 2电压-集射极击穿(最大值)：400V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 50mA，10V 5功率-最大值：500mW 4频率-跃迁：50MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3 料号：JTG1-28 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FMMT493TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS NPN 100V 1A SOT23-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：100V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 250mA，10V 5功率-最大值：500mW 4频率-跃迁：150MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3 料号：JTG1-29 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FMMT497TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 100mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:75MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：500mA 2电压-集射极击穿(最大值)：300V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：80 @ 100mA，10V 5功率-最大值：500mW 4频率-跃迁：75MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3 料号：JTG1-30 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FMMT591ATA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS PNP 40V 1A SOT23-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 100mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:75MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：40V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：300 @ 100mA，5V 5功率-最大值：500mW 4频率-跃迁：150MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3 料号：JTG1-31 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FMMT558TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS PNP 400V 0.15A SOT23-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 100mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:75MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：150mA 2电压-集射极击穿(最大值)：400V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 50mA，10V 5功率-最大值：500mW 4频率-跃迁：50MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3 料号：JTG1-32 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NSS1C201LT1G 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： TRANS NPN 100V 2A SOT23-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 100mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:75MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:120 @ 500mA，2V 5功率-最大值:490mW 4频率-跃迁:110MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：2A 2电压-集射极击穿(最大值)：100V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：120 @ 500mA，2V 5功率-最大值：490mW 4频率-跃迁：110MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3（TO-236）料号：JTG1-33 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： PBSS4350X,135 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANS NPN 50V 3A SOT89 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 100mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:75MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:120 @ 500mA，2V 5功率-最大值:490mW 4频率-跃迁:110MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：3A 2电压-集射极击穿(最大值)：50V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：300 @ 1A，2V 5功率-最大值：1.6W 4频率-跃迁：100MHz	外壳：TO-243AA 封装：SOT-89-3 料号：JTG1-34 资料：规格书/封装库包装： 4000个/ 圆盘	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： PBSS4350X,115 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANS NPN 50V 3A SOT89 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 100mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:75MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:120 @ 500mA，2V 5功率-最大值:490mW 4频率-跃迁:110MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：3A 2电压-集射极击穿(最大值)：50V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：300 @ 1A，2V 5功率-最大值：1.6W 4频率-跃迁：100MHz	外壳：TO-243AA 封装：SOT-89-3 料号：JTG1-35 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： PBSS4350X,146 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANS NPN 50V 3A SOT89 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 100mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:75MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:120 @ 500mA，2V 5功率-最大值:490mW 4频率-跃迁:110MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：3A 2电压-集射极击穿(最大值)：50V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：300 @ 1A，2V 5功率-最大值：1.6W 4频率-跃迁：100MHz	外壳：TO-243AA 封装：SOT-89-3 料号：JTG1-36 资料：规格书/封装库包装： 1000个/ 圆盘	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： PBSS4350X,147 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANS NPN 50V 3A SOT89 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 100mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:75MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:120 @ 500mA，2V 5功率-最大值:490mW 4频率-跃迁:110MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：3A 2电压-集射极击穿(最大值)：50V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：300 @ 1A，2V 5功率-最大值：1.6W 4频率-跃迁：100MHz	外壳：TO-243AA 封装：SOT-89-3 料号：JTG1-37 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NSS1C200LT1G 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： TRANS PNP 100V 2A SOT-23 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 100mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:75MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:120 @ 500mA，2V 5功率-最大值:490mW 4频率-跃迁:110MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:120 @ 50mA，2V 5功率-最大值:490mW 4频率-跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：2A 2电压-集射极击穿(最大值)：100V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：120 @ 50mA，2V 5功率-最大值：490mW 4频率-跃迁：120MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3（TO-236）料号：JTG1-38 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： PBSS5350Z,135 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANS PNP 50V 3A SOT223 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 100mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:75MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:120 @ 500mA，2V 5功率-最大值:490mW 4频率-跃迁:110MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:120 @ 50mA，2V 5功率-最大值:490mW 4频率-跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 2A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：3A 2电压-集射极击穿(最大值)：50V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 2A，2V 5功率-最大值：2W 4频率-跃迁：100MHz	外壳：TO-261-4，TO-261AA 封装：SOT223 料号：JTG1-39 资料：规格书/封装库包装： 4000个/ 圆盘	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FMMT597TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS PNP 300V 0.2A SOT23-3 参数：制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:10 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 50mA，10V 5功率-最大值:330mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:115mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:460mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:1.25W 4频率-跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 100mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:75MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:120 @ 500mA，2V 5功率-最大值:490mW 4频率-跃迁:110MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 1A，2V 5功率-最大值:1.6W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:120 @ 50mA，2V 5功率-最大值:490mW 4频率-跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 2A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 20mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:75MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：200mA 2电压-集射极击穿(最大值)：300V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 50mA，10V 5功率-最大值：500mW 4频率-跃迁：75MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3 料号：JTG1-40 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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