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描述：
TRANS NPN 45V 0.8A TO-92
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 100mA，1V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:210MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：800mA
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5功率-最大值：625mW
4频率-跃迁：210MHz
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外壳：TO-226-3,TO-92-3 标准主体(TO-226AA)
封装：TO-92-3
料号：JTG1-5364
包装：
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描述：
TRANS NPN 45V 0.8A TO-92
参数：
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外壳：TO-226-3,TO-92-3 标准主体(TO-226AA)
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参数：
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1晶体管类型：NPN
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4频率-跃迁：210MHz
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外壳：TO-226-3,TO-92-3 标准主体(TO-226AA)
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料号：JTG1-5366
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1晶体管类型：NPN
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4频率-跃迁：210MHz
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG1-5367
包装：
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系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 100mA，1V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:210MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:250 @ 100mA，1V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:210MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:250 @ 100mA，1V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:210MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 100mA，1V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:210MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 100mA，1V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:210MHz
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描述：
TRANS NPN 45V 0.8A TO-92
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：800mA
2电压-集射极击穿(最大值)：45V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 100mA，1V
5功率-最大值：625mW
4频率-跃迁：210MHz
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG1-5369
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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描述：
TRANS NPN 45V 0.8A TO-92
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系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 100mA，1V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:210MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:250 @ 100mA，1V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:210MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:250 @ 100mA，1V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:210MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 100mA，1V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:210MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 100mA，1V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:210MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 100mA，1V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:210MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 100mA，1V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:210MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：800mA
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
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包装：
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
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料号：JTG1-5371
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：800mA
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5功率-最大值：625mW
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG1-5372
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合作现货:0
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描述：
TRANS NPN 45V 0.8A TO-92
参数：
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：800mA
2电压-集射极击穿(最大值)：45V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 100mA，1V
5功率-最大值：625mW
4频率-跃迁：210MHz
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG1-5376
包装：
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描述：
TRANS NPN 25V 0.8A TO-92
参数：
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：800mA
2电压-集射极击穿(最大值)：25V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA
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5功率-最大值：625mW
4频率-跃迁：210MHz
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG1-5377
包装：
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TRANS NPN 25V 0.8A TO-92
参数：
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：800mA
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6电流-集电极截止(最大值)：100nA
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4频率-跃迁：210MHz
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG1-5378
包装：
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描述：
TRANS NPN 20V 1A TO-92
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
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6电流-集电极截止(最大值)：10µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：85 @ 500mA，1V
5功率-最大值：625mW
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TRANS NPN 20V 1A TO-92
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
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料号：JTG1-5380
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TRANS PNP 20V 1A TO-92
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
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6电流-集电极截止(最大值)：10µA（ICBO）
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4频率-跃迁：65MHz
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外壳：TO-226-3,TO-92-3 标准主体(TO-226AA)
封装：TO-92-3
料号：JTG1-5382
包装：
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描述：
TRANS PNP 20V 1A TO-92
参数：
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2电压-集射极击穿(最大值)：20V
6电流-集电极截止(最大值)：10µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：85 @ 500mA，1V
5功率-最大值：625mW
4频率-跃迁：65MHz
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG1-5383
包装：
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BC369ZL1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
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合作现货:0
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