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描述：
TRANS NPN 45V 0.1A TO-92
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:110 @ 2mA，5V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:300MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA
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6电流-集电极截止(最大值)：15nA
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5功率-最大值：625mW
4频率-跃迁：300MHz
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG1-5424
包装：
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描述：
TRANS NPN 45V 0.1A TO-92
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:110 @ 2mA，5V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:110 @ 2mA，5V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:300MHz
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1晶体管类型：NPN
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5功率-最大值：625mW
4频率-跃迁：300MHz
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG1-5425
包装：
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描述：
TRANS NPN 45V 0.1A TO-92
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1晶体管类型：NPN
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5功率-最大值：625mW
4频率-跃迁：300MHz
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG1-5426
包装：
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TRANS NPN 45V 0.1A TO-92
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA
2电压-集射极击穿(最大值)：45V
6电流-集电极截止(最大值)：15nA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：110 @ 2mA，5V
5功率-最大值：625mW
4频率-跃迁：300MHz
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG1-5427
包装：
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描述：
TRANS NPN 45V 0.1A TO-92
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:110 @ 2mA，5V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:110 @ 2mA，5V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:110 @ 2mA，5V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:110 @ 2mA，5V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:110 @ 2mA，5V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:300MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG1-5428
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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描述：
TRANS NPN 45V 0.1A TO-92
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:110 @ 2mA，5V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:110 @ 2mA，5V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:110 @ 2mA，5V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:110 @ 2mA，5V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:110 @ 2mA，5V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2mA，5V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:300MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA
2电压-集射极击穿(最大值)：45V
6电流-集电极截止(最大值)：15nA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：200 @ 2mA，5V
5功率-最大值：625mW
4频率-跃迁：300MHz
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG1-5429
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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自营现货:0
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TRANS NPN 45V 0.1A TO-92
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描述：
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外壳：TO-226-3,TO-92-3 标准主体(TO-226AA)
封装：TO-92-3
料号：JTG1-5436
包装：
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1晶体管类型：NPN
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5功率-最大值：625mW
4频率-跃迁：300MHz
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG1-5437
包装：
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TRANS NPN 30V 0.1A TO-92
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA
2电压-集射极击穿(最大值)：30V
6电流-集电极截止(最大值)：15nA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：420 @ 2mA，5V
5功率-最大值：625mW
4频率-跃迁：300MHz
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG1-5438
包装：
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描述：
TRANS NPN 30V 0.1A TO-92
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA
2电压-集射极击穿(最大值)：30V
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7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：200 @ 2mA，5V
5功率-最大值：625mW
4频率-跃迁：250MHz
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外壳：TO-226-3,TO-92-3 标准主体(TO-226AA)
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料号：JTG1-5439
包装：
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描述：
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG1-5442
包装：
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描述：
TRANS PNP 65V 0.1A TO-92
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4频率-跃迁：280MHz
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG1-5443
包装：
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自营现货:0
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合作现货:0
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