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描述：
TRANS PNP 350V 0.5A TO-92
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，10V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:50MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：500mA
2电压-集射极击穿(最大值)：350V
6电流-集电极截止(最大值)：10nA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 10mA，10V
5功率-最大值：625mW
4频率-跃迁：50MHz
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外壳：TO-226-3,TO-92-3 标准主体(TO-226AA)
封装：TO-92-3
料号：JTG1-5564
包装：
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF493S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF493S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
TRANS PNP 350V 0.5A TO-92
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，10V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，10V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:50MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：500mA
2电压-集射极击穿(最大值)：350V
6电流-集电极截止(最大值)：10nA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 10mA，10V
5功率-最大值：625mW
4频率-跃迁：50MHz
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外壳：TO-226-3,TO-92-3 标准主体(TO-226AA)
封装：TO-92-3
料号：JTG1-5565
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF493SG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF493SG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF493SG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
TRANS NPN 300V 0.1A SOT-223
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，10V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，10V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，30mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 25mA，20V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:60MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA
2电压-集射极击穿(最大值)：300V
6电流-集电极截止(最大值)：10nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：50 @ 25mA，20V
5功率-最大值：1.5W
4频率-跃迁：60MHz
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外壳：TO-261-4，TO-261AA
封装：SOT-223
料号：JTG1-5566
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF720T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF720T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF720T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF720T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
TRANS PNP 300V 0.05A SOT-223
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，10V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，10V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，30mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 25mA，20V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):50mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 5mA，30mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 25mA，20V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:60MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：50mA
2电压-集射极击穿(最大值)：300V
6电流-集电极截止(最大值)：10nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：50 @ 25mA，20V
5功率-最大值：1.5W
4频率-跃迁：60MHz
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外壳：TO-261-4，TO-261AA
封装：SOT-223
料号：JTG1-5567
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF721T1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF721T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF721T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF721T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS PNP 300V 0.1A SOT-223
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，10V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，10V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，30mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 25mA，20V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):50mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 5mA，30mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 25mA，20V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 50mA，10V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:15MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA
2电压-集射极击穿(最大值)：300V
6电流-集电极截止(最大值)：50µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：30 @ 50mA，10V
5功率-最大值：1.5W
4频率-跃迁：15MHz
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外壳：TO-261-4，TO-261AA
封装：SOT-223
料号：JTG1-5568
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSP16T1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSP16T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSP16T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSP16T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，10V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，10V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，30mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 25mA，20V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):50mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 5mA，30mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 25mA，20V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 50mA，10V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:15MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.3V @ 500µA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 500mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
2电压-集射极击穿(最大值)：80V
6电流-集电极截止(最大值)：10µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：2000 @ 500mA，10V
5功率-最大值：800mW
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-261-4，TO-261AA
封装：SOT-223
料号：JTG1-5569
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSP52T3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSP52T3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSP52T3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSP52T3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS NPN 80V 0.1A SOT-23
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，10V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，10V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，30mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 25mA，20V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):50mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 5mA，30mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 25mA，20V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 50mA，10V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:15MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.3V @ 500µA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 500mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 15mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 10mA，1V *5功率-最大值:225mW *4频率-跃迁:60MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA
2电压-集射极击穿(最大值)：80V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：20 @ 10mA，1V
5功率-最大值：225mW
4频率-跃迁：60MHz
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG1-5570
包装：
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自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSS64LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
TRANS NPN 12V 0.1A SOT-23
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，10V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，10V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，30mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 25mA，20V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):50mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 5mA，30mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 25mA，20V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 50mA，10V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:15MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.3V @ 500µA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 500mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 15mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 10mA，1V *5功率-最大值:225mW *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，1V *5功率-最大值:225mW *4频率-跃迁:400MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA
2电压-集射极击穿(最大值)：12V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 10mA，1V
5功率-最大值：225mW
4频率-跃迁：400MHz
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG1-5571
包装：
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSV52LT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSV52LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSV52LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
TRANS NPN DARL 350V 10A TO-218
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，10V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，10V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，30mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 25mA，20V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):50mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 5mA，30mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 25mA，20V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 50mA，10V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:15MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.3V @ 500µA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 500mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 15mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 10mA，1V *5功率-最大值:225mW *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，1V *5功率-最大值:225mW *4频率-跃迁:400MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.7V @ 250mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:500 @ 5A，4.6V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:2MHz
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1晶体管类型：NPN - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：10A
2电压-集射极击穿(最大值)：350V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：500 @ 5A，4.6V
5功率-最大值：150W
4频率-跃迁：2MHz
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外壳：TO-218-3
封装：SOT-93
料号：JTG1-5572
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BU323Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BU323Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BU323Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BU323Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
参数：
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TRANS NPN 350V 4A DPAK
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1晶体管类型：NPN
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外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
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包装：
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TRANS NPN 350V 4A DPAK
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系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，10V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，10V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，30mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 25mA，20V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):50mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 5mA，30mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 25mA，20V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 50mA，10V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:15MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.3V @ 500µA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 500mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 15mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 10mA，1V *5功率-最大值:225mW *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，1V *5功率-最大值:225mW *4频率-跃迁:400MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.7V @ 250mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:500 @ 5A，4.6V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.7V @ 250mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:500 @ 5A，4.6V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 500mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 2A，5V *5功率-最大值:25W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 500mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 2A，5V *5功率-最大值:25W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN
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描述：
TRANS NPN 350V 4A DPAK
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，10V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，10V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，30mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 25mA，20V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):50mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 5mA，30mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 25mA，20V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 50mA，10V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:15MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.3V @ 500µA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 500mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 15mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 10mA，1V *5功率-最大值:225mW *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，1V *5功率-最大值:225mW *4频率-跃迁:400MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.7V @ 250mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:500 @ 5A，4.6V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.7V @ 250mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:500 @ 5A，4.6V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 500mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 2A，5V *5功率-最大值:25W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 500mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 2A，5V *5功率-最大值:25W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 500mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 2A，5V *5功率-最大值:25W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：4A
2电压-集射极击穿(最大值)：350V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：10 @ 2A，5V
5功率-最大值：25W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：DPAK-3
料号：JTG1-5576
包装：
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：4A
2电压-集射极击穿(最大值)：350V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA
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外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：DPAK-3
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TRANS NPN 700V 10A TO-220AB
参数：
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：10A
2电压-集射极击穿(最大值)：700V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：10 @ 5A，5V
5功率-最大值：100W
4频率-跃迁：23MHz
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外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：JTG1-5578
包装：
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描述：
TRANS NPN 400V 10A TO-220AB
参数：
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1晶体管类型：NPN
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外壳：TO-220-3
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TRANS NPN 700V 15A TO-220AB
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外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：JTG1-5580
包装：
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描述：
TRANS NPN 700V 15A TO-220AB
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：15A
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外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：JTG1-5581
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TRANS NPN 500V 4A TO-220AB
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封装：TO-220AB
料号：JTG1-5582
包装：
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描述：
TRANS NPN 500V 4A TO-220AB
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUH50G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUH50G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUH50G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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