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描述：
TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 600mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):700µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 3A，4V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:3MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：6A
2电压-集射极击穿(最大值)：100V
6电流-集电极截止(最大值)：700µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：15 @ 3A，4V
5功率-最大值：2W
4频率-跃迁：3MHz
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外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：D2PAK
料号：JTG1-5604
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MJB41CT4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJB41CT4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJB41CT4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJB41CT4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS PNP 80V 10A D2PAK-3
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 600mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):700µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 3A，4V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:40MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：10A
2电压-集射极击穿(最大值)：80V
6电流-集电极截止(最大值)：10µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 4A，1V
5功率-最大值：2W
4频率-跃迁：40MHz
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外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：D2PAK
料号：JTG1-5605
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MJB45H11' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJB45H11' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJB45H11' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJB45H11' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 600mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):700µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 3A，4V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 2A，3V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:25MHz
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1晶体管类型：NPN - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：2A
2电压-集射极击穿(最大值)：100V
6电流-集电极截止(最大值)：20µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：1000 @ 2A，3V
5功率-最大值：1.75W
4频率-跃迁：25MHz
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外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：DPAK-3
料号：JTG1-5606
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MJD112RL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJD112RL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJD112RL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJD112RL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 600mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):700µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 3A，4V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 2A，3V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 2A，3V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:25MHz
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1晶体管类型：PNP - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：2A
2电压-集射极击穿(最大值)：100V
6电流-集电极截止(最大值)：20µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：1000 @ 2A，3V
5功率-最大值：1.75W
4频率-跃迁：25MHz
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外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：DPAK-3
料号：JTG1-5607
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MJD117' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJD117' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJD117' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJD117' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 600mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):700µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 3A，4V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 2A，3V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 2A，3V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 2A，3V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:25MHz
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1晶体管类型：PNP - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：2A
2电压-集射极击穿(最大值)：100V
6电流-集电极截止(最大值)：20µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：1000 @ 2A，3V
5功率-最大值：1.75W
4频率-跃迁：25MHz
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外壳：TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
封装：I-PAK
料号：JTG1-5608
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MJD117-001' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJD117-001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJD117-001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJD117-001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 600mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):700µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 3A，4V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 2A，3V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 2A，3V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 2A，3V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 80mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):5mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 4A，4V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:4MHz
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1晶体管类型：PNP - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：8A
2电压-集射极击穿(最大值)：120V
6电流-集电极截止(最大值)：5mA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：1000 @ 4A，4V
5功率-最大值：1.75W
4频率-跃迁：4MHz
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外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：DPAK-3
料号：JTG1-5609
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MJD128T4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJD128T4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJD128T4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJD128T4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS NPN 25V 5A DPAK
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 600mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):700µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 3A，4V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 2A，3V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 2A，3V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 2A，3V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 80mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):5mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 4A，4V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):25V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 1A，5A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:45 @ 2A，1V *5功率-最大值:1.4W *4频率-跃迁:65MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：5A
2电压-集射极击穿(最大值)：25V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：45 @ 2A，1V
5功率-最大值：1.4W
4频率-跃迁：65MHz
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外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：DPAK-3
料号：JTG1-5610
包装：
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描述：
TRANS PNP 25V 5A DPAK
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 600mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):700µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 3A，4V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 2A，3V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 2A，3V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 2A，3V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 80mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):5mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 4A，4V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):25V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 1A，5A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:45 @ 2A，1V *5功率-最大值:1.4W *4频率-跃迁:65MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):25V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 1A，5A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:45 @ 2A，1V *5功率-最大值:1.4W *4频率-跃迁:65MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：5A
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5功率-最大值：1.4W
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外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：DPAK-3
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TRANS PNP 25V 5A DPAK
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系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 600mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):700µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 3A，4V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 2A，3V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 2A，3V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 2A，3V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 80mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):5mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 4A，4V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):25V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 1A，5A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:45 @ 2A，1V *5功率-最大值:1.4W *4频率-跃迁:65MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):25V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 1A，5A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:45 @ 2A，1V *5功率-最大值:1.4W *4频率-跃迁:65MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):25V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 1A，5A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:45 @ 2A，1V *5功率-最大值:1.4W *4频率-跃迁:65MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：5A
2电压-集射极击穿(最大值)：25V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：45 @ 2A，1V
5功率-最大值：1.4W
4频率-跃迁：65MHz
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外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：DPAK-3
料号：JTG1-5612
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TRANS NPN 100V 4A DPAK-3
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TRANS PNP 100V 4A IPAK
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外壳：TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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TRANS PNP 60V 10A DPAK
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外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：DPAK-3
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描述：
TRANS PNP 60V 10A IPAK
参数：
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：10A
2电压-集射极击穿(最大值)：60V
6电流-集电极截止(最大值)：50µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：20 @ 4A，4V
5功率-最大值：1.75W
4频率-跃迁：2MHz
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外壳：TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
封装：I-PAK
料号：JTG1-5616
包装：
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TRANS PNP 60V 10A IPAK
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：10A
2电压-集射极击穿(最大值)：60V
6电流-集电极截止(最大值)：50µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：20 @ 4A，4V
5功率-最大值：1.75W
4频率-跃迁：2MHz
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外壳：TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
封装：I-PAK
料号：JTG1-5617
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TRANS NPN 60V 10A DPAK
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系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 600mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):700µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 3A，4V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 2A，3V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 2A，3V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 2A，3V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 80mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):5mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 4A，4V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):25V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 1A，5A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:45 @ 2A，1V *5功率-最大值:1.4W *4频率-跃迁:65MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):25V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 1A，5A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:45 @ 2A，1V *5功率-最大值:1.4W *4频率-跃迁:65MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):25V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 1A，5A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:45 @ 2A，1V *5功率-最大值:1.4W *4频率-跃迁:65MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 200mA，1V *5功率-最大值:1.4W *4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 200mA，1V *5功率-最大值:1.4W *4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:8V @ 3.3A，10A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，4V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:8V @ 3.3A，10A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，4V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:8V @ 3.3A，10A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，4V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:8V @ 3.3A，10A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，4V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:2MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：10A
2电压-集射极击穿(最大值)：60V
6电流-集电极截止(最大值)：50µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：20 @ 4A，4V
5功率-最大值：1.75W
4频率-跃迁：2MHz
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外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：DPAK-3
料号：JTG1-5618
包装：
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描述：
TRANS NPN 60V 10A DPAK
参数：
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：10A
2电压-集射极击穿(最大值)：60V
6电流-集电极截止(最大值)：50µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：20 @ 4A，4V
5功率-最大值：1.75W
4频率-跃迁：2MHz
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外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：DPAK-3
料号：JTG1-5619
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TRANS NPN 100V 3A IPAK
参数：
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：3A
2电压-集射极击穿(最大值)：100V
6电流-集电极截止(最大值)：50µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：10 @ 3A，4V
5功率-最大值：1.56W
4频率-跃迁：3MHz
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外壳：TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
封装：I-PAK
料号：JTG1-5620
包装：
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描述：
TRANS NPN 100V 3A DPAK
参数：
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：3A
2电压-集射极击穿(最大值)：100V
6电流-集电极截止(最大值)：50µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：10 @ 3A，4V
5功率-最大值：1.56W
4频率-跃迁：3MHz
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外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：DPAK-3
料号：JTG1-5621
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MJD31CRL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJD31CRL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJD31CRL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS PNP 100V 3A DPAK
参数：
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：3A
2电压-集射极击穿(最大值)：100V
6电流-集电极截止(最大值)：50µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：10 @ 3A，4V
5功率-最大值：1.56W
4频率-跃迁：3MHz
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外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：DPAK-3
料号：JTG1-5622
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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描述：
TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
参数：
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达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 2A，3V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 80mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):5mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 4A，4V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):25V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 1A，5A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:45 @ 2A，1V *5功率-最大值:1.4W *4频率-跃迁:65MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):25V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 1A，5A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:45 @ 2A，1V *5功率-最大值:1.4W *4频率-跃迁:65MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):25V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 1A，5A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:45 @ 2A，1V *5功率-最大值:1.4W *4频率-跃迁:65MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 200mA，1V *5功率-最大值:1.4W *4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 200mA，1V *5功率-最大值:1.4W *4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:8V @ 3.3A，10A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，4V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:8V @ 3.3A，10A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，4V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:8V @ 3.3A，10A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，4V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:8V @ 3.3A，10A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，4V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:8V @ 3.3A，10A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，4V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:1.56W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:1.56W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:1.56W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 50mA，10V *5功率-最大值:1.56W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MJD340' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJD340' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJD340' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJD340' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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