晶体管单路晶体管-双极(BJT)商品目录【辰科物联】

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状态：在售型号： ZUMT619TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS NPN 50V 1A SC70-3 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：50V 6电流-集电极截止(最大值)：10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：200 @ 500mA，2V 5功率-最大值：385mW 4频率-跃迁：215MHz	外壳：SC-70，SOT-323 封装：SOT-323 料号：JTG1-41 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FMMT596TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS PNP 200V 0.3A SOT23-3 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：300mA 2电压-集射极击穿(最大值)：200V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：85 @ 250mA，10V 5功率-最大值：500mW 4频率-跃迁：150MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3 料号：JTG1-42 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： PBSS8110T,215 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANS NPN 100V 1A TO236AB 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：100V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：150 @ 250mA，10V 5功率-最大值：480mW 4频率-跃迁：100MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23（TO-236AB）料号：JTG1-43 资料：规格书/封装库包装： 3000个/ 圆盘	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BST39TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS NPN 350V 0.5A SOT-89 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：500mA 2电压-集射极击穿(最大值)：350V 6电流-集电极截止(最大值)：20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 20mA，10V 5功率-最大值：1W 4频率-跃迁：70MHz	外壳：TO-243AA 封装：SOT-89-3 料号：JTG1-44 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： PMBTA45,215 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANS NPN 500V 0.15A SOT23 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：150mA 2电压-集射极击穿(最大值)：500V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：50 @ 50mA，10V 5功率-最大值：300mW 4频率-跃迁：35MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23（TO-236AB）料号：JTG1-45 资料：规格书/封装库包装： 3000个/ 圆盘	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NJT4031NT1G 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： TRANS NPN 40V 3A SOT223 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，1V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：3A 2电压-集射极击穿(最大值)：40V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：200 @ 1A，1V 5功率-最大值：2W 4频率-跃迁：215MHz	外壳：TO-261-4，TO-261AA 封装：SOT-223 料号：JTG1-46 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： ZXTN4004KTC 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS NPN 150V 1A TO252 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，1V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):50nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，250mV 5功率-最大值:3.8W 4频率-跃迁:- 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：150V 6电流-集电极截止(最大值)：50nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 150mA，250mV 5功率-最大值：3.8W 4频率-跃迁：-	外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63 封装：TO-252 料号：JTG1-47 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FZT790A 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： TRANS PNP 40V 3A SOT223 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，1V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):50nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，250mV 5功率-最大值:3.8W 4频率-跃迁:- 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 10mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：3A 2电压-集射极击穿(最大值)：40V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：300 @ 10mA，2V 5功率-最大值：2W 4频率-跃迁：100MHz	外壳：TO-261-4，TO-261AA 封装：SOT-223 料号：JTG1-48 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FMMT560TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS PNP 500V 0.15A SOT23-3 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，1V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):50nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，250mV 5功率-最大值:3.8W 4频率-跃迁:- 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 10mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：150mA 2电压-集射极击穿(最大值)：500V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：80 @ 50mA，10V 5功率-最大值：500mW 4频率-跃迁：60MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3 料号：JTG1-49 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FMMT619TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS NPN 50V 2A SOT23-3 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，1V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):50nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，250mV 5功率-最大值:3.8W 4频率-跃迁:- 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 10mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，2V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:165MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：2A 2电压-集射极击穿(最大值)：50V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：200 @ 1A，2V 5功率-最大值：625mW 4频率-跃迁：165MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3 料号：JTG1-50 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FCX458TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS NPN 400V 0.225A SOT-89 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，1V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):50nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，250mV 5功率-最大值:3.8W 4频率-跃迁:- 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 10mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，2V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:165MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：225mA 2电压-集射极击穿(最大值)：400V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 50mA，10V 5功率-最大值：1W 4频率-跃迁：50MHz	外壳：TO-243AA 封装：SOT-89-3 料号：JTG1-51 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FCX491ATA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS NPN 40V 1A SOT-89 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，1V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):50nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，250mV 5功率-最大值:3.8W 4频率-跃迁:- 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 10mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，2V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:165MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 500mA，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：40V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：300 @ 500mA，5V 5功率-最大值：1W 4频率-跃迁：150MHz	外壳：TO-243AA 封装：SOT-89-3 料号：JTG1-52 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N3904BU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： TRANS NPN 40V 200MA TO92-3 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，1V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):50nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，250mV 5功率-最大值:3.8W 4频率-跃迁:- 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 10mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，2V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:165MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 500mA，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:300MHz 安装类型:通孔工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：200mA 2电压-集射极击穿(最大值)：40V 6电流-集电极截止(最大值)：- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 10mA，1V 5功率-最大值：625mW 4频率-跃迁：300MHz	外壳：TO-226-3,TO-92-3 标准主体(TO-226AA) 封装：TO-92-3 料号：JTG1-53 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： MJD44H11T4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRANS NPN 80V 8A DPAK 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，1V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):50nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，250mV 5功率-最大值:3.8W 4频率-跃迁:- 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 10mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，2V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:165MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 500mA，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:300MHz 安装类型:通孔工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):8A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A 6电流-集电极截止(最大值):1µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:60 @ 2A，1V 5功率-最大值:20W 4频率-跃迁:85MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：8A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：1µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：60 @ 2A，1V 5功率-最大值：20W 4频率-跃迁：85MHz	外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63 封装：D-PAK 料号：JTG1-54 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： ZXTN620MATA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS NPN 80V 3.5A 3-DFN 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，1V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):50nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，250mV 5功率-最大值:3.8W 4频率-跃迁:- 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 10mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，2V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:165MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 500mA，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:300MHz 安装类型:通孔工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):8A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A 6电流-集电极截止(最大值):1µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:60 @ 2A，1V 5功率-最大值:20W 4频率-跃迁:85MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3.5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:325mV @ 300mA，3.5A 6电流-集电极截止(最大值):25nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 200mA，2V 5功率-最大值:3W 4频率-跃迁:160MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：3.5A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：25nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：300 @ 200mA，2V 5功率-最大值：3W 4频率-跃迁：160MHz	外壳：3-UDFN 封装：DFN2020B-3 料号：JTG1-55 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： ZXTN618MATA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS NPN 20V 4.5A 3-DFN 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，1V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):50nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，250mV 5功率-最大值:3.8W 4频率-跃迁:- 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 10mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，2V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:165MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 500mA，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:300MHz 安装类型:通孔工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):8A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A 6电流-集电极截止(最大值):1µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:60 @ 2A，1V 5功率-最大值:20W 4频率-跃迁:85MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3.5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:325mV @ 300mA，3.5A 6电流-集电极截止(最大值):25nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 200mA，2V 5功率-最大值:3W 4频率-跃迁:160MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):4.5A 2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 125mA，4.5A 6电流-集电极截止(最大值):25nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 2A，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:140MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：4.5A 2电压-集射极击穿(最大值)：20V 6电流-集电极截止(最大值)：25nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：200 @ 2A，2V 5功率-最大值：1.5W 4频率-跃迁：140MHz	外壳：3-UDFN 封装：DFN2020B-3 料号：JTG1-56 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FMMT624TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS NPN 125V 1A SOT23-3 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，1V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):50nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，250mV 5功率-最大值:3.8W 4频率-跃迁:- 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 10mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，2V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:165MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 500mA，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:300MHz 安装类型:通孔工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):8A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A 6电流-集电极截止(最大值):1µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:60 @ 2A，1V 5功率-最大值:20W 4频率-跃迁:85MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3.5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:325mV @ 300mA，3.5A 6电流-集电极截止(最大值):25nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 200mA，2V 5功率-最大值:3W 4频率-跃迁:160MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):4.5A 2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 125mA，4.5A 6电流-集电极截止(最大值):25nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 2A，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:140MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 200mA，10V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:155MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：125V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：300 @ 200mA，10V 5功率-最大值：625mW 4频率-跃迁：155MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3 料号：JTG1-57 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FMMT722TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS PNP 70V 1.5A SOT23-3 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，1V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):50nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，250mV 5功率-最大值:3.8W 4频率-跃迁:- 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 10mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，2V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:165MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 500mA，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:300MHz 安装类型:通孔工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):8A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A 6电流-集电极截止(最大值):1µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:60 @ 2A，1V 5功率-最大值:20W 4频率-跃迁:85MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3.5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:325mV @ 300mA，3.5A 6电流-集电极截止(最大值):25nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 200mA，2V 5功率-最大值:3W 4频率-跃迁:160MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):4.5A 2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 125mA，4.5A 6电流-集电极截止(最大值):25nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 2A，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:140MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 200mA，10V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:155MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A 2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:260mV @ 200mA，1.5A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 100mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：1.5A 2电压-集射极击穿(最大值)：70V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：300 @ 100mA，5V 5功率-最大值：625mW 4频率-跃迁：200MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3 料号：JTG1-58 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： MJD127T4G 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，1V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):50nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，250mV 5功率-最大值:3.8W 4频率-跃迁:- 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 10mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，2V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:165MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 500mA，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:300MHz 安装类型:通孔工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):8A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A 6电流-集电极截止(最大值):1µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:60 @ 2A，1V 5功率-最大值:20W 4频率-跃迁:85MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3.5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:325mV @ 300mA，3.5A 6电流-集电极截止(最大值):25nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 200mA，2V 5功率-最大值:3W 4频率-跃迁:160MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):4.5A 2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 125mA，4.5A 6电流-集电极截止(最大值):25nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 2A，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:140MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 200mA，10V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:155MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A 2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:260mV @ 200mA，1.5A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 100mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP - 达林顿 3电流-集电极(ic)(最大值):8A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 80mA，8A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1000 @ 4A，4V 5功率-最大值:1.75W 4频率-跃迁:4MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP - 达林顿 3电流-集电极(ic)(最大值)：8A 2电压-集射极击穿(最大值)：100V 6电流-集电极截止(最大值)：10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：1000 @ 4A，4V 5功率-最大值：1.75W 4频率-跃迁：4MHz	外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63 封装：DPAK-3 料号：JTG1-59 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FMMT459TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS NPN 450V 0.15A SOT23-3 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，1V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):50nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，250mV 5功率-最大值:3.8W 4频率-跃迁:- 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 10mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，2V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:165MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 500mA，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:300MHz 安装类型:通孔工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):8A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A 6电流-集电极截止(最大值):1µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:60 @ 2A，1V 5功率-最大值:20W 4频率-跃迁:85MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3.5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:325mV @ 300mA，3.5A 6电流-集电极截止(最大值):25nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 200mA，2V 5功率-最大值:3W 4频率-跃迁:160MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):4.5A 2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 125mA，4.5A 6电流-集电极截止(最大值):25nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 2A，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:140MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 200mA，10V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:155MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A 2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:260mV @ 200mA，1.5A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 100mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP - 达林顿 3电流-集电极(ic)(最大值):8A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 80mA，8A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1000 @ 4A，4V 5功率-最大值:1.75W 4频率-跃迁:4MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):450V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：150mA 2电压-集射极击穿(最大值)：450V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：50 @ 30mA，10V 5功率-最大值：625mW 4频率-跃迁：50MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3 料号：JTG1-60 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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状态：在售型号： ZUMT619TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS NPN 50V 1A SC70-3 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：50V 6电流-集电极截止(最大值)：10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：200 @ 500mA，2V 5功率-最大值：385mW 4频率-跃迁：215MHz	外壳：SC-70，SOT-323 封装：SOT-323 料号：JTG1-41 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FMMT596TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS PNP 200V 0.3A SOT23-3 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：300mA 2电压-集射极击穿(最大值)：200V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：85 @ 250mA，10V 5功率-最大值：500mW 4频率-跃迁：150MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3 料号：JTG1-42 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： PBSS8110T,215 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANS NPN 100V 1A TO236AB 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：100V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：150 @ 250mA，10V 5功率-最大值：480mW 4频率-跃迁：100MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23（TO-236AB）料号：JTG1-43 资料：规格书/封装库包装： 3000个/ 圆盘	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BST39TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS NPN 350V 0.5A SOT-89 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：500mA 2电压-集射极击穿(最大值)：350V 6电流-集电极截止(最大值)：20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 20mA，10V 5功率-最大值：1W 4频率-跃迁：70MHz	外壳：TO-243AA 封装：SOT-89-3 料号：JTG1-44 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： PMBTA45,215 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANS NPN 500V 0.15A SOT23 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：150mA 2电压-集射极击穿(最大值)：500V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：50 @ 50mA，10V 5功率-最大值：300mW 4频率-跃迁：35MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23（TO-236AB）料号：JTG1-45 资料：规格书/封装库包装： 3000个/ 圆盘	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： NJT4031NT1G 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： TRANS NPN 40V 3A SOT223 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，1V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：3A 2电压-集射极击穿(最大值)：40V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：200 @ 1A，1V 5功率-最大值：2W 4频率-跃迁：215MHz	外壳：TO-261-4，TO-261AA 封装：SOT-223 料号：JTG1-46 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： ZXTN4004KTC 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS NPN 150V 1A TO252 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，1V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):50nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，250mV 5功率-最大值:3.8W 4频率-跃迁:- 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：150V 6电流-集电极截止(最大值)：50nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 150mA，250mV 5功率-最大值：3.8W 4频率-跃迁：-	外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63 封装：TO-252 料号：JTG1-47 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FZT790A 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： TRANS PNP 40V 3A SOT223 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，1V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):50nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，250mV 5功率-最大值:3.8W 4频率-跃迁:- 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 10mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：3A 2电压-集射极击穿(最大值)：40V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：300 @ 10mA，2V 5功率-最大值：2W 4频率-跃迁：100MHz	外壳：TO-261-4，TO-261AA 封装：SOT-223 料号：JTG1-48 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FMMT560TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS PNP 500V 0.15A SOT23-3 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，1V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):50nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，250mV 5功率-最大值:3.8W 4频率-跃迁:- 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 10mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：150mA 2电压-集射极击穿(最大值)：500V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：80 @ 50mA，10V 5功率-最大值：500mW 4频率-跃迁：60MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3 料号：JTG1-49 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FMMT619TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS NPN 50V 2A SOT23-3 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，1V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):50nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，250mV 5功率-最大值:3.8W 4频率-跃迁:- 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 10mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，2V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:165MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：2A 2电压-集射极击穿(最大值)：50V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：200 @ 1A，2V 5功率-最大值：625mW 4频率-跃迁：165MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3 料号：JTG1-50 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FCX458TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS NPN 400V 0.225A SOT-89 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，1V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):50nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，250mV 5功率-最大值:3.8W 4频率-跃迁:- 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 10mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，2V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:165MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：225mA 2电压-集射极击穿(最大值)：400V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 50mA，10V 5功率-最大值：1W 4频率-跃迁：50MHz	外壳：TO-243AA 封装：SOT-89-3 料号：JTG1-51 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FCX491ATA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS NPN 40V 1A SOT-89 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，1V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):50nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，250mV 5功率-最大值:3.8W 4频率-跃迁:- 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 10mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，2V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:165MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 500mA，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：40V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：300 @ 500mA，5V 5功率-最大值：1W 4频率-跃迁：150MHz	外壳：TO-243AA 封装：SOT-89-3 料号：JTG1-52 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N3904BU 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： TRANS NPN 40V 200MA TO92-3 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，1V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):50nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，250mV 5功率-最大值:3.8W 4频率-跃迁:- 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 10mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，2V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:165MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 500mA，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:300MHz 安装类型:通孔工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：200mA 2电压-集射极击穿(最大值)：40V 6电流-集电极截止(最大值)：- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 10mA，1V 5功率-最大值：625mW 4频率-跃迁：300MHz	外壳：TO-226-3,TO-92-3 标准主体(TO-226AA) 封装：TO-92-3 料号：JTG1-53 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： MJD44H11T4 品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体描述： TRANS NPN 80V 8A DPAK 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，1V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):50nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，250mV 5功率-最大值:3.8W 4频率-跃迁:- 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 10mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，2V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:165MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 500mA，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:300MHz 安装类型:通孔工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):8A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A 6电流-集电极截止(最大值):1µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:60 @ 2A，1V 5功率-最大值:20W 4频率-跃迁:85MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：8A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：1µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：60 @ 2A，1V 5功率-最大值：20W 4频率-跃迁：85MHz	外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63 封装：D-PAK 料号：JTG1-54 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： ZXTN620MATA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS NPN 80V 3.5A 3-DFN 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，1V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):50nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，250mV 5功率-最大值:3.8W 4频率-跃迁:- 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 10mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，2V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:165MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 500mA，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:300MHz 安装类型:通孔工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):8A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A 6电流-集电极截止(最大值):1µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:60 @ 2A，1V 5功率-最大值:20W 4频率-跃迁:85MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3.5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:325mV @ 300mA，3.5A 6电流-集电极截止(最大值):25nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 200mA，2V 5功率-最大值:3W 4频率-跃迁:160MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：3.5A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：25nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：300 @ 200mA，2V 5功率-最大值：3W 4频率-跃迁：160MHz	外壳：3-UDFN 封装：DFN2020B-3 料号：JTG1-55 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： ZXTN618MATA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS NPN 20V 4.5A 3-DFN 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，1V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):50nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，250mV 5功率-最大值:3.8W 4频率-跃迁:- 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 10mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，2V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:165MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 500mA，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:300MHz 安装类型:通孔工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):8A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A 6电流-集电极截止(最大值):1µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:60 @ 2A，1V 5功率-最大值:20W 4频率-跃迁:85MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3.5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:325mV @ 300mA，3.5A 6电流-集电极截止(最大值):25nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 200mA，2V 5功率-最大值:3W 4频率-跃迁:160MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):4.5A 2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 125mA，4.5A 6电流-集电极截止(最大值):25nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 2A，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:140MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：4.5A 2电压-集射极击穿(最大值)：20V 6电流-集电极截止(最大值)：25nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：200 @ 2A，2V 5功率-最大值：1.5W 4频率-跃迁：140MHz	外壳：3-UDFN 封装：DFN2020B-3 料号：JTG1-56 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FMMT624TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS NPN 125V 1A SOT23-3 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，1V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):50nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，250mV 5功率-最大值:3.8W 4频率-跃迁:- 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 10mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，2V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:165MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 500mA，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:300MHz 安装类型:通孔工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):8A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A 6电流-集电极截止(最大值):1µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:60 @ 2A，1V 5功率-最大值:20W 4频率-跃迁:85MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3.5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:325mV @ 300mA，3.5A 6电流-集电极截止(最大值):25nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 200mA，2V 5功率-最大值:3W 4频率-跃迁:160MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):4.5A 2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 125mA，4.5A 6电流-集电极截止(最大值):25nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 2A，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:140MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 200mA，10V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:155MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：125V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：300 @ 200mA，10V 5功率-最大值：625mW 4频率-跃迁：155MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3 料号：JTG1-57 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FMMT722TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS PNP 70V 1.5A SOT23-3 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，1V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):50nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，250mV 5功率-最大值:3.8W 4频率-跃迁:- 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 10mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，2V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:165MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 500mA，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:300MHz 安装类型:通孔工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):8A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A 6电流-集电极截止(最大值):1µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:60 @ 2A，1V 5功率-最大值:20W 4频率-跃迁:85MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3.5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:325mV @ 300mA，3.5A 6电流-集电极截止(最大值):25nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 200mA，2V 5功率-最大值:3W 4频率-跃迁:160MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):4.5A 2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 125mA，4.5A 6电流-集电极截止(最大值):25nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 2A，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:140MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 200mA，10V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:155MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A 2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:260mV @ 200mA，1.5A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 100mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：1.5A 2电压-集射极击穿(最大值)：70V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：300 @ 100mA，5V 5功率-最大值：625mW 4频率-跃迁：200MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3 料号：JTG1-58 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： MJD127T4G 品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美描述： TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，1V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):50nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，250mV 5功率-最大值:3.8W 4频率-跃迁:- 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 10mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，2V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:165MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 500mA，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:300MHz 安装类型:通孔工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):8A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A 6电流-集电极截止(最大值):1µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:60 @ 2A，1V 5功率-最大值:20W 4频率-跃迁:85MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3.5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:325mV @ 300mA，3.5A 6电流-集电极截止(最大值):25nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 200mA，2V 5功率-最大值:3W 4频率-跃迁:160MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):4.5A 2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 125mA，4.5A 6电流-集电极截止(最大值):25nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 2A，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:140MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 200mA，10V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:155MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A 2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:260mV @ 200mA，1.5A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 100mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP - 达林顿 3电流-集电极(ic)(最大值):8A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 80mA，8A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1000 @ 4A，4V 5功率-最大值:1.75W 4频率-跃迁:4MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP - 达林顿 3电流-集电极(ic)(最大值)：8A 2电压-集射极击穿(最大值)：100V 6电流-集电极截止(最大值)：10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：1000 @ 4A，4V 5功率-最大值：1.75W 4频率-跃迁：4MHz	外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63 封装：DPAK-3 料号：JTG1-59 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： FMMT459TA 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： TRANS NPN 450V 0.15A SOT23-3 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 500mA，2V 5功率-最大值:385mW 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):300mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:85 @ 250mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 250mA，10V 5功率-最大值:480mW 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):500mA 2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 20mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:35MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，1V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:215MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):50nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，250mV 5功率-最大值:3.8W 4频率-跃迁:- 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 10mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 50mA，10V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 50mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，2V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:165MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):225mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 500mA，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:300MHz 安装类型:通孔工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:ST/意法半导体制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):8A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A 6电流-集电极截止(最大值):1µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:60 @ 2A，1V 5功率-最大值:20W 4频率-跃迁:85MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3.5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:325mV @ 300mA，3.5A 6电流-集电极截止(最大值):25nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 200mA，2V 5功率-最大值:3W 4频率-跃迁:160MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):4.5A 2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 125mA，4.5A 6电流-集电极截止(最大值):25nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 2A，2V 5功率-最大值:1.5W 4频率-跃迁:140MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 50mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 200mA，10V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:155MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A 2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:260mV @ 200mA，1.5A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:300 @ 100mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:未设定制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP - 达林顿 3电流-集电极(ic)(最大值):8A 2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 80mA，8A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1000 @ 4A，4V 5功率-最大值:1.75W 4频率-跃迁:4MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):150mA 2电压-集射极击穿(最大值):450V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：150mA 2电压-集射极击穿(最大值)：450V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：50 @ 30mA，10V 5功率-最大值：625mW 4频率-跃迁：50MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23-3 料号：JTG1-60 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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