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描述：
TRANS NPN 50V 1A SC70-3
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 500mA，2V *5功率-最大值:385mW *4频率-跃迁:215MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
2电压-集射极击穿(最大值)：50V
6电流-集电极截止(最大值)：10nA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：200 @ 500mA，2V
5功率-最大值：385mW
4频率-跃迁：215MHz
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外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG1-41
包装：
3000个/
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￥1.46
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS PNP 200V 0.3A SOT23-3
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 500mA，2V *5功率-最大值:385mW *4频率-跃迁:215MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):300mA *2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:85 @ 250mA，10V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:150MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：300mA
2电压-集射极击穿(最大值)：200V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：85 @ 250mA，10V
5功率-最大值：500mW
4频率-跃迁：150MHz
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG1-42
包装：
3000个/
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￥1.24
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMMT596TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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最小起订:
总额：
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描述：
TRANS NPN 100V 1A TO236AB
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 500mA，2V *5功率-最大值:385mW *4频率-跃迁:215MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):300mA *2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:85 @ 250mA，10V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:150 @ 250mA，10V *5功率-最大值:480mW *4频率-跃迁:100MHz
|
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
2电压-集射极击穿(最大值)：100V
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7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：150 @ 250mA，10V
5功率-最大值：480mW
4频率-跃迁：100MHz
|
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG1-43
包装：
3000个/
圆盘
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￥1.01
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自营现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS NPN 350V 0.5A SOT-89
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 500mA，2V *5功率-最大值:385mW *4频率-跃迁:215MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):300mA *2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:85 @ 250mA，10V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:150 @ 250mA，10V *5功率-最大值:480mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 20mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:70MHz
|
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：500mA
2电压-集射极击穿(最大值)：350V
6电流-集电极截止(最大值)：20nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 20mA，10V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：70MHz
|
外壳：TO-243AA
封装：SOT-89-3
料号：JTG1-44
包装：
1000个/
|
￥1.55
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海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS NPN 500V 0.15A SOT23
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 500mA，2V *5功率-最大值:385mW *4频率-跃迁:215MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):300mA *2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:85 @ 250mA，10V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:150 @ 250mA，10V *5功率-最大值:480mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 20mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:70MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 50mA，10V *5功率-最大值:300mW *4频率-跃迁:35MHz
|
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：150mA
2电压-集射极击穿(最大值)：500V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：50 @ 50mA，10V
5功率-最大值：300mW
4频率-跃迁：35MHz
|
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG1-45
包装：
3000个/
圆盘
|
￥1.27
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额：
|
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描述：
TRANS NPN 40V 3A SOT223
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 500mA，2V *5功率-最大值:385mW *4频率-跃迁:215MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):300mA *2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:85 @ 250mA，10V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:150 @ 250mA，10V *5功率-最大值:480mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 20mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:70MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 50mA，10V *5功率-最大值:300mW *4频率-跃迁:35MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 1A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:215MHz
|
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：3A
2电压-集射极击穿(最大值)：40V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：200 @ 1A，1V
5功率-最大值：2W
4频率-跃迁：215MHz
|
外壳：TO-261-4，TO-261AA
封装：SOT-223
料号：JTG1-46
包装：
1000个/
|
￥2.70
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS NPN 150V 1A TO252
参数：
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1晶体管类型：NPN
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外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
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包装：
2500个/
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￥1.61
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自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS PNP 40V 3A SOT223
参数：
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1晶体管类型：PNP
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4频率-跃迁：100MHz
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外壳：TO-261-4，TO-261AA
封装：SOT-223
料号：JTG1-48
包装：
4000个/
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￥2.26
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自营现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS PNP 500V 0.15A SOT23-3
参数：
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|
1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：150mA
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5功率-最大值：500mW
4频率-跃迁：60MHz
|
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG1-49
包装：
3000个/
|
￥1.46
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自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMMT560TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMMT560TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额：
|
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描述：
TRANS NPN 50V 2A SOT23-3
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描述：
TRANS NPN 40V 200MA TO92-3
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描述：
TRANS NPN 80V 8A DPAK
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 500mA，2V *5功率-最大值:385mW *4频率-跃迁:215MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):300mA *2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:85 @ 250mA，10V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:150 @ 250mA，10V *5功率-最大值:480mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 20mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:70MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 50mA，10V *5功率-最大值:300mW *4频率-跃迁:35MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 1A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:215MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，250mV *5功率-最大值:3.8W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 10mA，2V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:80 @ 50mA，10V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 50mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 1A，2V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:165MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):225mA *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 50mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 500mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，1V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:300MHz 系列:* 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):1µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:60 @ 2A，1V *5功率-最大值:20W *4频率-跃迁:85MHz
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1晶体管类型：NPN
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5功率-最大值：20W
4频率-跃迁：85MHz
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外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：D-PAK
料号：JTG1-54
包装：
2500个/
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￥2.62
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描述：
TRANS NPN 80V 3.5A 3-DFN
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描述：
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1晶体管类型：PNP
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最小起订:
总额：
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描述：
TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
参数：
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达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 80mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 4A，4V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:4MHz
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1晶体管类型：PNP - 达林顿
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6电流-集电极截止(最大值)：10µA
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5功率-最大值：1.75W
4频率-跃迁：4MHz
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外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：DPAK-3
料号：JTG1-59
包装：
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描述：
TRANS NPN 450V 0.15A SOT23-3
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 500mA，2V *5功率-最大值:385mW *4频率-跃迁:215MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):300mA *2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:85 @ 250mA，10V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:150 @ 250mA，10V *5功率-最大值:480mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 20mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:70MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:90mV @ 6mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 50mA，10V *5功率-最大值:300mW *4频率-跃迁:35MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 1A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:215MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，250mV *5功率-最大值:3.8W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 10mA，2V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:80 @ 50mA，10V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 50mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 1A，2V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:165MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):225mA *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 50mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 500mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，1V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:300MHz 系列:* 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):1µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:60 @ 2A，1V *5功率-最大值:20W *4频率-跃迁:85MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3.5A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:325mV @ 300mA，3.5A *6电流-集电极截止(最大值):25nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 200mA，2V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4.5A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 125mA，4.5A *6电流-集电极截止(最大值):25nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 200mA，10V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:155MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:260mV @ 200mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 100mA，5V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：150mA
2电压-集射极击穿(最大值)：450V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：50 @ 30mA，10V
5功率-最大值：625mW
4频率-跃迁：50MHz
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG1-60
包装：
3000个/
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￥1.63
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自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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