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描述：
TRANS PNP 30V 3A TO-220
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 500mA，2V *5功率-最大值:10W *4频率-跃迁:100MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：3A
2电压-集射极击穿(最大值)：30V
6电流-集电极截止(最大值)：1µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：70 @ 500mA，2V
5功率-最大值：10W
4频率-跃迁：100MHz
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外壳：TO-220-3
封装：TO-220-3
料号：JTG1-6124
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KSA473OTU' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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描述：
TRANS NPN 60V 5A TO-126
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 500mA，2V *5功率-最大值:10W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，1V *5功率-最大值:1.3W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：5A
2电压-集射极击穿(最大值)：60V
6电流-集电极截止(最大值)：10µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 2A，1V
5功率-最大值：1.3W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-225AA，TO-126-3
封装：TO-126-3
料号：JTG1-6125
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSD1691OSTU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS PNP 50V 0.15A TO-92
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 500mA，2V *5功率-最大值:10W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，1V *5功率-最大值:1.3W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 2mA，6V *5功率-最大值:400mW *4频率-跃迁:80MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：150mA
2电压-集射极击穿(最大值)：50V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：70 @ 2mA，6V
5功率-最大值：400mW
4频率-跃迁：80MHz
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外壳：TO-226-3,TO-92-3 标准主体(TO-226AA)
封装：TO-92-3
料号：JTG1-6126
包装：
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KSA1015OBU' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSA1015OBU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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描述：
TRANS PNP 50V 0.15A TO-92
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 500mA，2V *5功率-最大值:10W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，1V *5功率-最大值:1.3W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 2mA，6V *5功率-最大值:400mW *4频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 2mA，6V *5功率-最大值:400mW *4频率-跃迁:80MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：150mA
2电压-集射极击穿(最大值)：50V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：120 @ 2mA，6V
5功率-最大值：400mW
4频率-跃迁：80MHz
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外壳：TO-226-3,TO-92-3 标准主体(TO-226AA)
封装：TO-92-3
料号：JTG1-6127
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KSA1015YBU' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSA1015YBU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSA1015YBU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSA1015YBU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS PNP 50V 0.15A TO-92
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 500mA，2V *5功率-最大值:10W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，1V *5功率-最大值:1.3W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 2mA，6V *5功率-最大值:400mW *4频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 2mA，6V *5功率-最大值:400mW *4频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 2mA，6V *5功率-最大值:400mW *4频率-跃迁:80MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：150mA
2电压-集射极击穿(最大值)：50V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：70 @ 2mA，6V
5功率-最大值：400mW
4频率-跃迁：80MHz
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG1-6128
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KSA1015OTA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSA1015OTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSA1015OTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSA1015OTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS NPN DARL 80V 4A TO-126
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 500mA，2V *5功率-最大值:10W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，1V *5功率-最大值:1.3W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 2mA，6V *5功率-最大值:400mW *4频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 2mA，6V *5功率-最大值:400mW *4频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 2mA，6V *5功率-最大值:400mW *4频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.8V @ 40mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 2A，3V *5功率-最大值:40W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：4A
2电压-集射极击穿(最大值)：80V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：750 @ 2A，3V
5功率-最大值：40W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-225AA，TO-126-3
封装：TO-126-3
料号：JTG1-6129
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KSE803S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSE803S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSE803S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSE803S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126
参数：
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TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126
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1晶体管类型：NPN - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：4A
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外壳：TO-225AA，TO-126-3
封装：TO-126-3
料号：JTG1-6132
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TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126
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描述：
TRANS NPN 300V 200UA TO-220
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系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 500mA，2V *5功率-最大值:10W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，1V *5功率-最大值:1.3W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 2mA，6V *5功率-最大值:400mW *4频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 2mA，6V *5功率-最大值:400mW *4频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 2mA，6V *5功率-最大值:400mW *4频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.8V @ 40mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 2A，3V *5功率-最大值:40W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 30mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 1.5A，3V *5功率-最大值:40W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 30mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 1.5A，3V *5功率-最大值:40W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 30mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 1.5A，3V *5功率-最大值:40W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.8V @ 40mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 2A，3V *5功率-最大值:40W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.8V @ 40mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 2A，3V *5功率-最大值:40W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200µA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 10mA，10V *5功率-最大值:15W *4频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200µA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 10mA，10V *5功率-最大值:15W *4频率-跃迁:80MHz
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外壳：TO-220-3
封装：TO-220-3
料号：JTG1-6136
包装：
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：200µA
2电压-集射极击穿(最大值)：300V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：120 @ 10mA，10V
5功率-最大值：15W
4频率-跃迁：80MHz
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外壳：TO-220-3
封装：TO-220-3
料号：JTG1-6137
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TRANS NPN 300V 200UA TO-220
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：200µA
2电压-集射极击穿(最大值)：300V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 10mA，10V
5功率-最大值：15W
4频率-跃迁：80MHz
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外壳：TO-220-3
封装：TO-220-3
料号：JTG1-6138
包装：
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描述：
TRANS NPN 300V 200UA TO-220
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：200µA
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6电流-集电极截止(最大值)：100µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：70 @ 10mA，10V
5功率-最大值：15W
4频率-跃迁：80MHz
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外壳：TO-220-3
封装：TO-220-3
料号：JTG1-6139
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TRANS NPN 300V 200UA TO-220
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：200µA
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6电流-集电极截止(最大值)：100µA（ICBO）
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5功率-最大值：15W
4频率-跃迁：80MHz
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外壳：TO-220-3
封装：TO-220-3
料号：JTG1-6140
包装：
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描述：
TRANS PNP 20V 5A I-PAK
参数：
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：5A
2电压-集射极击穿(最大值)：20V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 500mA，2V
5功率-最大值：10W
4频率-跃迁：180MHz
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外壳：TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
封装：I-PAK
料号：JTG1-6141
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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海外现货:0
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描述：
TRANS PNP 20V 5A I-PAK
参数：
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：5A
2电压-集射极击穿(最大值)：20V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：160 @ 500mA，2V
5功率-最大值：10W
4频率-跃迁：180MHz
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外壳：TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
封装：I-PAK
料号：JTG1-6142
包装：
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描述：
TRANS NPN 40V 1A DPAK
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 500mA，2V *5功率-最大值:10W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，1V *5功率-最大值:1.3W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 2mA，6V *5功率-最大值:400mW *4频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 2mA，6V *5功率-最大值:400mW *4频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 2mA，6V *5功率-最大值:400mW *4频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.8V @ 40mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 2A，3V *5功率-最大值:40W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 30mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 1.5A，3V *5功率-最大值:40W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 30mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 1.5A，3V *5功率-最大值:40W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 30mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 1.5A，3V *5功率-最大值:40W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.8V @ 40mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 2A，3V *5功率-最大值:40W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.8V @ 40mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 2A，3V *5功率-最大值:40W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200µA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 10mA，10V *5功率-最大值:15W *4频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200µA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 10mA，10V *5功率-最大值:15W *4频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200µA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 10mA，10V *5功率-最大值:15W *4频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200µA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，10V *5功率-最大值:15W *4频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200µA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 10mA，10V *5功率-最大值:15W *4频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200µA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 10mA，10V *5功率-最大值:15W *4频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 500mA，2V *5功率-最大值:10W *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 500mA，2V *5功率-最大值:10W *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 125mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 1A，4V *5功率-最大值:1.56W *4频率-跃迁:3MHz
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1晶体管类型：NPN
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2电压-集射极击穿(最大值)：40V
6电流-集电极截止(最大值)：50µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：15 @ 1A，4V
5功率-最大值：1.56W
4频率-跃迁：3MHz
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外壳：TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
封装：I-PAK
料号：JTG1-6143
包装：
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KSH29ITU' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSH29ITU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSH29ITU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSH29ITU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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