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描述：
TRANS NPN 15V 0.7A SPA
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):700mA *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:80mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:280 @ 50mA，2V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:250MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：700mA
2电压-集射极击穿(最大值)：15V
6电流-集电极截止(最大值)：1µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：280 @ 50mA，2V
5功率-最大值：250mW
4频率-跃迁：250MHz
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外壳：3-SIP
封装：3-SPA
料号：JTG1-6684
包装：
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描述：
TRANS PNP 50V 0.15A NPA
参数：
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：150mA
2电压-集射极击穿(最大值)：50V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：160 @ 1mA，6V
5功率-最大值：500mW
4频率-跃迁：200MHz
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-226AA
料号：JTG1-6685
包装：
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描述：
TRANS PNP 50V 0.15A NPA
参数：
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4频率-跃迁：200MHz
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-226AA
料号：JTG1-6686
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TRANS NPN 50V 0.15A NPA
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):700mA *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:80mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:280 @ 50mA，2V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 1mA，6V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:280 @ 1mA，6V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 1mA，6V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:200MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：150mA
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6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：160 @ 1mA，6V
5功率-最大值：500mW
4频率-跃迁：200MHz
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-226AA
料号：JTG1-6687
包装：
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TRANS NPN 50V 0.15A NPA
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系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):700mA *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:80mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:280 @ 50mA，2V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 1mA，6V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:280 @ 1mA，6V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 1mA，6V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:280 @ 1mA，6V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:200MHz
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1晶体管类型：NPN
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-226AA
料号：JTG1-6688
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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TRANS NPN 15V 0.7A SPA
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):700mA *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:80mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:280 @ 50mA，2V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 1mA，6V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:280 @ 1mA，6V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 1mA，6V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:280 @ 1mA，6V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):700mA *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:80mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 50mA，2V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:250MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：700mA
2电压-集射极击穿(最大值)：15V
6电流-集电极截止(最大值)：1µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：160 @ 50mA，2V
5功率-最大值：250mW
4频率-跃迁：250MHz
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外壳：3-SIP
封装：3-SPA
料号：JTG1-6689
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SD1012F-SPA-AC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
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描述：
TRANS NPN 15V 0.7A SPA
参数：
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：700mA
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5功率-最大值：250mW
4频率-跃迁：250MHz
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外壳：3-SIP
封装：3-SPA
料号：JTG1-6690
包装：
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描述：
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：150mA
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4频率-跃迁：180MHz
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：*
料号：JTG1-6691
包装：
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描述：
TRANS NPN 50V 0.15A CP
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):700mA *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:80mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:280 @ 50mA，2V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 1mA，6V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:280 @ 1mA，6V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 1mA，6V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:280 @ 1mA，6V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):700mA *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:80mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 50mA，2V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):700mA *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:80mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:280 @ 50mA，2V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 1mA，6V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 1mA，6V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:100MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：150mA
2电压-集射极击穿(最大值)：50V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：200 @ 1mA，6V
5功率-最大值：200mW
4频率-跃迁：100MHz
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：3-CP
料号：JTG1-6692
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SC2812N6-CPA-TB-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC2812N6-CPA-TB-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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TRANS NPN DARL 60V 8A TO220
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描述：
TRANS PNP DARL 100V 8A TO220
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系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):700mA *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:80mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:280 @ 50mA，2V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 1mA，6V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:280 @ 1mA，6V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 1mA，6V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:280 @ 1mA，6V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):700mA *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:80mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 50mA，2V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):700mA *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:80mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:280 @ 50mA，2V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 1mA，6V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 1mA，6V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 50mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):500µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 3A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 50mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):500µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 3A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 50mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):500µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 3A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 50mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):500µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 3A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：PNP - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：8A
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5功率-最大值：2W
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外壳：TO-220-3
封装：TO-220
料号：JTG1-6696
包装：
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1晶体管类型：NPN - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：8A
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6电流-集电极截止(最大值)：500µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：750 @ 3A，3V
5功率-最大值：2W
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外壳：TO-220-3
封装：TO-220
料号：JTG1-6697
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TRANS PNP DARL 120V 8A TO220
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系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):700mA *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:80mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:280 @ 50mA，2V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 1mA，6V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:280 @ 1mA，6V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 1mA，6V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:280 @ 1mA，6V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):700mA *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:80mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 50mA，2V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):700mA *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:80mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:280 @ 50mA，2V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 1mA，6V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 1mA，6V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 50mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):500µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 3A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 50mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):500µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 3A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 50mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):500µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 3A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 50mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):500µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 3A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 50mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):500µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 3A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 50mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):500µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 3A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：PNP - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：8A
2电压-集射极击穿(最大值)：120V
6电流-集电极截止(最大值)：500µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：750 @ 3A，3V
5功率-最大值：2W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-220-3
封装：TO-220
料号：JTG1-6698
包装：
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描述：
TRANS NPN DARL 100V 12A TO22
参数：
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1晶体管类型：NPN - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：12A
2电压-集射极击穿(最大值)：100V
6电流-集电极截止(最大值)：1mA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：750 @ 5A，3V
5功率-最大值：2W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-220-3
封装：TO-220
料号：JTG1-6699
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TRANS NPN DARL 400V 7A TO220
参数：
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1晶体管类型：NPN - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：7A
2电压-集射极击穿(最大值)：400V
6电流-集电极截止(最大值)：250µA
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5功率-最大值：2W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-220-3
封装：TO-220
料号：JTG1-6700
包装：
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描述：
TRANS NPN DARL 550V 4A TO220
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1晶体管类型：NPN - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：4A
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5功率-最大值：75W
4频率-跃迁：12MHz
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外壳：TO-220-3
封装：TO-220
料号：JTG1-6701
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TRANS NPN DARL 100V 10A
参数：
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封装：TO-220
料号：JTG1-6702
包装：
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描述：
TRANS NPN DARL 100V 12A
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1晶体管类型：NPN - 达林顿
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4频率-跃迁：-
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外壳：TO-218-3
封装：SOT-93
料号：JTG1-6703
包装：
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BDV65B-S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Bourns/柏恩' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BDV65B-S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BDV65B-S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
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