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描述：
TRANS NPN 550V 5A TO220F
参数：
系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):550V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 360mA，1.8A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 1.8A，4V *5功率-最大值:35W *4频率-跃迁:6MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：5A
2电压-集射极击穿(最大值)：550V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：10 @ 1.8A，4V
5功率-最大值：35W
4频率-跃迁：6MHz
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外壳：TO-220-3 整包
封装：TO-220F
料号：JTG1-7162
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SC4518' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC4518' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC4518' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC4518' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS NPN 750V 12A ISOWATT218FX
参数：
系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):550V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 360mA，1.8A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 1.8A，4V *5功率-最大值:35W *4频率-跃迁:6MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):750V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 1.5A，6A *6电流-集电极截止(最大值):200µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:6.5 @ 6A，5V *5功率-最大值:62W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：12A
2电压-集射极击穿(最大值)：750V
6电流-集电极截止(最大值)：200µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：6.5 @ 6A，5V
5功率-最大值：62W
4频率-跃迁：-
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外壳：ISOWATT218FX
封装：ISOWATT-218FX
料号：JTG1-7163
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ST1510FX' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ST1510FX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ST1510FX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ST1510FX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS NPN 750V 6A TO-3PF
参数：
系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):550V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 360mA，1.8A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 1.8A，4V *5功率-最大值:35W *4频率-跃迁:6MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):750V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 1.5A，6A *6电流-集电极截止(最大值):200µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:6.5 @ 6A，5V *5功率-最大值:62W *4频率-跃迁:- 系列:ESBC™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):750V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1.5A，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:7 @ 3A，5V *5功率-最大值:60W *4频率-跃迁:15.4MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：6A
2电压-集射极击穿(最大值)：750V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：7 @ 3A，5V
5功率-最大值：60W
4频率-跃迁：15.4MHz
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外壳：TO-3P-3 整包
封装：TO-3PF-3
料号：JTG1-7164
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FJAFS1510ATU' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FJAFS1510ATU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FJAFS1510ATU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FJAFS1510ATU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS PNP 140V 10A TO3PF
参数：
系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):550V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 360mA，1.8A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 1.8A，4V *5功率-最大值:35W *4频率-跃迁:6MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):750V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 1.5A，6A *6电流-集电极截止(最大值):200µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:6.5 @ 6A，5V *5功率-最大值:62W *4频率-跃迁:- 系列:ESBC™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):750V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1.5A，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:7 @ 3A，5V *5功率-最大值:60W *4频率-跃迁:15.4MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 3A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:20MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：10A
2电压-集射极击穿(最大值)：140V
6电流-集电极截止(最大值)：10µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：50 @ 3A，4V
5功率-最大值：80W
4频率-跃迁：20MHz
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外壳：TO-3P-3 整包
封装：TO-3PF
料号：JTG1-7165
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SA1909' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SA1909' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SA1909' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SA1909' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS PNP DARL 120V 16A TO3PF
参数：
系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):550V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 360mA，1.8A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 1.8A，4V *5功率-最大值:35W *4频率-跃迁:6MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):750V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 1.5A，6A *6电流-集电极截止(最大值):200µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:6.5 @ 6A，5V *5功率-最大值:62W *4频率-跃迁:- 系列:ESBC™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):750V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1.5A，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:7 @ 3A，5V *5功率-最大值:60W *4频率-跃迁:15.4MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 3A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:20MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 16mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 8A，4V *5功率-最大值:75W *4频率-跃迁:50MHz
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1晶体管类型：PNP - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：16A
2电压-集射极击穿(最大值)：120V
6电流-集电极截止(最大值)：10µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：2000 @ 8A，4V
5功率-最大值：75W
4频率-跃迁：50MHz
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外壳：TO-3P-3 整包
封装：TO-3PF
料号：JTG1-7166
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SB1382' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SB1382' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SB1382' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SB1382' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS PNP 180V 15A TO3PF
参数：
系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):550V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 360mA，1.8A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 1.8A，4V *5功率-最大值:35W *4频率-跃迁:6MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):750V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 1.5A，6A *6电流-集电极截止(最大值):200µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:6.5 @ 6A，5V *5功率-最大值:62W *4频率-跃迁:- 系列:ESBC™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):750V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1.5A，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:7 @ 3A，5V *5功率-最大值:60W *4频率-跃迁:15.4MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 3A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:20MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 16mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 8A，4V *5功率-最大值:75W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):180V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 3A，4V *5功率-最大值:85W *4频率-跃迁:20MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：15A
2电压-集射极击穿(最大值)：180V
6电流-集电极截止(最大值)：10µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：50 @ 3A，4V
5功率-最大值：85W
4频率-跃迁：20MHz
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外壳：TO-3P-3 整包
封装：TO-3PF
料号：JTG1-7167
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SA1673' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SA1673' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SA1673' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SA1673' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
PNP 120V 1A 10W /2N5682 COMPLMT
参数：
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5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐
封装：TO-39（TO-205AD）
料号：JTG1-7168
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描述：
X34 PB-F SOT-23 TRANSISTOR FOR L
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描述：
X34 PB-F SOT-23 TRANSISTOR FOR L
参数：
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品牌：
ROHM/罗姆
Rohm Semiconductor
罗姆半导体
描述：
NPN 50V 1A MEDIUM POWER TRANSIST
参数：
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品牌：
ROHM/罗姆
Rohm Semiconductor
罗姆半导体
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品牌：
ROHM/罗姆
Rohm Semiconductor
罗姆半导体
描述：
PNP -80V -0.7A MEDIUM POWER TRAN
参数：
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合作现货:0
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总额：
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描述：
NPN TRANISTOR 200MA 400V SOT-223
参数：
系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):550V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 360mA，1.8A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 1.8A，4V *5功率-最大值:35W *4频率-跃迁:6MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):750V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 1.5A，6A *6电流-集电极截止(最大值):200µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:6.5 @ 6A，5V *5功率-最大值:62W *4频率-跃迁:- 系列:ESBC™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):750V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1.5A，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:7 @ 3A，5V *5功率-最大值:60W *4频率-跃迁:15.4MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 3A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:20MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 16mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 8A，4V *5功率-最大值:75W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):180V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 3A，4V *5功率-最大值:85W *4频率-跃迁:20MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 250mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 100mA，5mA *6电流-集电极截止(最大值):30nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2mA，5V *5功率-最大值:320mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 100mA，5mA *6电流-集电极截止(最大值):30nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:210 @ 2mA，5V *5功率-最大值:320mW *4频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 50mA，2V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:360MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 35mA，700mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 100mA，2V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:430MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):700mA *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 15mA，300mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 100mA，3V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:380MHz 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 10mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:20MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：200mA
2电压-集射极击穿(最大值)：400V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
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5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：20MHz
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外壳：TO-261-4，TO-261AA
封装：SOT-223
料号：JTG1-7174
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PZTA44-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PZTA44-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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品牌：
ROHM/罗姆
Rohm Semiconductor
罗姆半导体
描述：
NPN 50V 2A MEDIUM POWER TRANSIST
参数：
系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):550V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 360mA，1.8A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 1.8A，4V *5功率-最大值:35W *4频率-跃迁:6MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):750V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 1.5A，6A *6电流-集电极截止(最大值):200µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:6.5 @ 6A，5V *5功率-最大值:62W *4频率-跃迁:- 系列:ESBC™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):750V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1.5A，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:7 @ 3A，5V *5功率-最大值:60W *4频率-跃迁:15.4MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 3A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:20MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 16mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 8A，4V *5功率-最大值:75W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):180V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 3A，4V *5功率-最大值:85W *4频率-跃迁:20MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 250mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 100mA，5mA *6电流-集电极截止(最大值):30nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2mA，5V *5功率-最大值:320mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 100mA，5mA *6电流-集电极截止(最大值):30nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:210 @ 2mA，5V *5功率-最大值:320mW *4频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 50mA，2V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:360MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 35mA，700mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 100mA，2V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:430MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):700mA *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 15mA，300mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 100mA，3V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:380MHz 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 10mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:20MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 35mA，700mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 50mA，2V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:360MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：2A
2电压-集射极击穿(最大值)：50V
6电流-集电极截止(最大值)：1µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：180 @ 50mA，2V
5功率-最大值：500mW
4频率-跃迁：360MHz
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外壳：TO-243AA
封装：MPT3
料号：JTG1-7175
包装：
1000个/
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￥1.87
array(5) {
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string(1) "0"
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NULL
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NULL
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SCR553P5T100' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1
自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SCR553P5T100' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SCR553P5T100' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额：
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品牌：
ROHM/罗姆
Rohm Semiconductor
罗姆半导体
描述：
PNP -50V -2A MEDIUM POWER TRANSI
参数：
系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):550V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 360mA，1.8A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 1.8A，4V *5功率-最大值:35W *4频率-跃迁:6MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):750V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 1.5A，6A *6电流-集电极截止(最大值):200µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:6.5 @ 6A，5V *5功率-最大值:62W *4频率-跃迁:- 系列:ESBC™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):750V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1.5A，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:7 @ 3A，5V *5功率-最大值:60W *4频率-跃迁:15.4MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 3A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:20MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 16mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 8A，4V *5功率-最大值:75W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):180V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 3A，4V *5功率-最大值:85W *4频率-跃迁:20MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 250mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 100mA，5mA *6电流-集电极截止(最大值):30nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2mA，5V *5功率-最大值:320mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 100mA，5mA *6电流-集电极截止(最大值):30nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:210 @ 2mA，5V *5功率-最大值:320mW *4频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 50mA，2V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:360MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 35mA，700mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 100mA，2V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:430MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):700mA *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 15mA，300mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 100mA，3V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:380MHz 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 10mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:20MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 35mA，700mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 50mA，2V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:360MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 25mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 100mA，3V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:340MHz
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描述：
TRANS NPN 60V 6A TO220AB
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1晶体管类型：NPN
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描述：
TRANS PNP 80V 10A TO-220
参数：
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外壳：TO-220-3
封装：TO-220-3
料号：JTG1-7178
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描述：
TRANS PNP DARL 60V 4A TO-225AA
参数：
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1晶体管类型：PNP - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：4A
2电压-集射极击穿(最大值)：60V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：750 @ 2A，3V
5功率-最大值：40W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-225AA，TO-126-3
封装：TO-225AA
料号：JTG1-7179
包装：
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描述：
TRANS NPN 80V 10A TO220AB
参数：
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外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：JTG1-7180
包装：
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描述：
TRANS NPN 60V 2A TO202
参数：
系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):550V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 360mA，1.8A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 1.8A，4V *5功率-最大值:35W *4频率-跃迁:6MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):750V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 1.5A，6A *6电流-集电极截止(最大值):200µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:6.5 @ 6A，5V *5功率-最大值:62W *4频率-跃迁:- 系列:ESBC™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):750V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1.5A，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:7 @ 3A，5V *5功率-最大值:60W *4频率-跃迁:15.4MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 3A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:20MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 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达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 2A，3V *5功率-最大值:40W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.1V @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):1mA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 4A，2V *5功率-最大值:90W *4频率-跃迁:1.5MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 500mA，1V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:50MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：2A
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6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：20 @ 500mA，1V
5功率-最大值：1.75W
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外壳：TO-202
封装：TO-202
料号：JTG1-7181
包装：
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CEN-U05' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CEN-U05' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CEN-U05' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CEN-U05' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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