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描述：
TRANS PNP 45V 0.1A 3-DFN
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:220 @ 2mA，5V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:100MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA
2电压-集射极击穿(最大值)：45V
6电流-集电极截止(最大值)：15nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：220 @ 2mA，5V
5功率-最大值：250mW
4频率-跃迁：100MHz
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外壳：3-UFDFN
封装：3-DFN1006（1.0X0.6）
料号：JTG1-7281
包装：
3000个/
圆盘
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￥0.71
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海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS NPN 45V 1A SOT223
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:220 @ 2mA，5V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，2V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:150MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
2电压-集射极击穿(最大值)：45V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 150mA，2V
5功率-最大值：2W
4频率-跃迁：150MHz
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外壳：TO-261-4，TO-261AA
封装：SOT-223
料号：JTG1-7282
包装：
1000个/
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￥1.07
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最小起订:
总额：
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描述：
IC TRANS NPN HP SOT89
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:220 @ 2mA，5V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，2V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:170mV @ 300mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:350 @ 1A，1V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:100MHz
|
1晶体管类型：NPN
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2电压-集射极击穿(最大值)：40V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：350 @ 1A，1V
5功率-最大值：1.5W
4频率-跃迁：100MHz
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外壳：TO-243AA
封装：SOT-89
料号：JTG1-7283
包装：
7500个/
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￥1.05
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最小起订:
总额：
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描述：
TRANS PNP 20V 1A MINIP3
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:220 @ 2mA，5V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，2V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:170mV @ 300mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:350 @ 1A，1V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:200MHz
|
1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
2电压-集射极击穿(最大值)：20V
6电流-集电极截止(最大值)：1µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：180 @ 500mA，2V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：200MHz
|
外壳：TO-243AA
封装：迷你型P3-F2-B
料号：JTG1-7284
包装：
|
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSA7503S0L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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海外现货:0
最小起订:
咨询客服
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描述：
TRANS PNP 20V 1A MINIP3
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:220 @ 2mA，5V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，2V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:170mV @ 300mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:350 @ 1A，1V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:130 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:200MHz
|
1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
2电压-集射极击穿(最大值)：20V
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5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：200MHz
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外壳：TO-243AA
封装：迷你型P3-F2-B
料号：JTG1-7285
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSA750300L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
咨询客服
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描述：
TRANS PNP 20V 1A MINIP3
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:220 @ 2mA，5V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，2V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:170mV @ 300mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:350 @ 1A，1V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:130 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:130 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:200MHz
|
1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
2电压-集射极击穿(最大值)：20V
6电流-集电极截止(最大值)：1µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：130 @ 500mA，2V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：200MHz
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外壳：TO-243AA
封装：迷你型P3-F2-B
料号：JTG1-7286
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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自营现货:0
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合作现货:0
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描述：
TRANS NPN 45V 3A TO126-3
参数：
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：3A
2电压-集射极击穿(最大值)：45V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：63 @ 150mA，2V
5功率-最大值：30W
4频率-跃迁：3MHz
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外壳：TO-225AA，TO-126-3
封装：TO-126
料号：JTG1-7287
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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描述：
TRANS NPN 40V 600MA SOT223
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:220 @ 2mA，5V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，2V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:170mV @ 300mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:350 @ 1A，1V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:130 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:130 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):600mA *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，10V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:300MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：600mA
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7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 150mA，10V
5功率-最大值：1.5W
4频率-跃迁：300MHz
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外壳：TO-261-4，TO-261AA
封装：SOT-223
料号：JTG1-7288
包装：
1000个/
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￥1.75
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自营现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS PNP 50V 1A MINIP3
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:220 @ 2mA，5V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，2V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:170mV @ 300mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:350 @ 1A，1V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:130 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:130 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):600mA *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，10V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:170 @ 500mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:120MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
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6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
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4频率-跃迁：120MHz
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外壳：TO-243AA
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描述：
TRANS NPN 80V 0.5A MINIP3
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料号：JTG1-7290
包装：
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描述：
TRANS NPN 60V 500MA TO92-3
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG1-7291
包装：
2000个/
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总额：
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品牌：
ROHM/罗姆
Rohm Semiconductor
罗姆半导体
描述：
TRANS NPN 30V 1.5A SOT-89
参数：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SD2662T100' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SD2662T100' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SD2662T100' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
TRANS NPN 250V 1A TO-220
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:220 @ 2mA，5V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，2V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:170mV @ 300mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:350 @ 1A，1V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:130 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:130 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):600mA *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，10V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:170 @ 500mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 30mA，300mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:185 @ 150mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 100mA，1V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:270 @ 100mA，2V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:330MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 200mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 300mA，10V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:10MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
2电压-集射极击穿(最大值)：250V
6电流-集电极截止(最大值)：1mA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：30 @ 300mA，10V
5功率-最大值：2W
4频率-跃迁：10MHz
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外壳：TO-220-3
封装：TO-220-3
料号：JTG1-7293
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TIP47TU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TIP47TU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TIP47TU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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品牌：
ROHM/罗姆
Rohm Semiconductor
罗姆半导体
描述：
TRANS PNP 30V 1.5A SOT-89
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:220 @ 2mA，5V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，2V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:170mV @ 300mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:350 @ 1A，1V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:130 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:130 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):600mA *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，10V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:170 @ 500mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 30mA，300mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:185 @ 150mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 100mA，1V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:270 @ 100mA，2V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:330MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 200mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 300mA，10V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:10MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:270 @ 100mA，2V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:280MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：1.5A
2电压-集射极击穿(最大值)：30V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：270 @ 100mA，2V
5功率-最大值：2W
4频率-跃迁：280MHz
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外壳：TO-243AA
封装：MPT3
料号：JTG1-7294
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SB1698T100' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SB1698T100' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SB1698T100' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SB1698T100' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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描述：
TRANS PNP 40V 500MA DFN1006B-3
参数：
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描述：
TRANS NPN 25V 5A SOT-89
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1晶体管类型：NPN
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外壳：TO-243AA
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描述：
TRANS PNP 12V 4A SOT23-3
参数：
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5功率-最大值：1.25W
4频率-跃迁：310MHz
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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包装：
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描述：
TRANS NPN 400V 0.1A MINIP-3
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描述：
TRANS PNP 100V 6A DPAK
参数：
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*5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 600mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 3A，4V *5功率-最大值:20W *4频率-跃迁:3MHz
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1晶体管类型：PNP
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4频率-跃迁：3MHz
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外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：DPAK
料号：JTG1-7299
包装：
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自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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描述：
TRANS PNP 18V 5A TO-92
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:220 @ 2mA，5V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，2V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:170mV @ 300mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:350 @ 1A，1V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 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Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):600mA *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，10V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:170 @ 500mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 30mA，300mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:185 @ 150mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 100mA，1V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:270 @ 100mA，2V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:330MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 200mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 300mA，10V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:10MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:270 @ 100mA，2V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:280MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 500µA，10mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 10mA，2V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):25V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 40mA，3.5A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:150 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1.4W *4频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:210mV @ 400mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:500 @ 10mA，2V *5功率-最大值:1.25W *4频率-跃迁:310MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 30mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 600mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 3A，4V *5功率-最大值:20W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):18V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 2A，2V *5功率-最大值:750mW *4频率-跃迁:120MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：5A
2电压-集射极击穿(最大值)：18V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：180 @ 2A，2V
5功率-最大值：750mW
4频率-跃迁：120MHz
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-B1
料号：JTG1-7300
包装：
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