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描述：
TRANS NPN 300V 0.5A SOT-32
参数：
系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 50mA，10V *5功率-最大值:20.8W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：500mA
2电压-集射极击穿(最大值)：300V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：30 @ 50mA，10V
5功率-最大值：20.8W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-225AA，TO-126-3
封装：SOT-32-3
料号：JTG1-7658
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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描述：
TRANS PNP 60V 6A D-PAK
参数：
系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 50mA，10V *5功率-最大值:20.8W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 600mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，1V *5功率-最大值:4.2W *4频率-跃迁:120MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：6A
2电压-集射极击穿(最大值)：60V
6电流-集电极截止(最大值)：20nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 2A，1V
5功率-最大值：4.2W
4频率-跃迁：120MHz
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外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：TO-252-3
料号：JTG1-7659
包装：
2500个/
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￥4.96
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海外现货:0
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总额：
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描述：
TRANS NPN 60V 3A TO220-3
参数：
系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 50mA，10V *5功率-最大值:20.8W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 600mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，1V *5功率-最大值:4.2W *4频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:60 @ 500mA，5V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：3A
2电压-集射极击穿(最大值)：60V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：60 @ 500mA，5V
5功率-最大值：30W
4频率-跃迁：3MHz
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外壳：TO-220-3
封装：TO-220-3
料号：JTG1-7660
包装：
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描述：
TRANS NPN 80V 1.5A TO225AA
参数：
系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 50mA，10V *5功率-最大值:20.8W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 600mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，1V *5功率-最大值:4.2W *4频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:60 @ 500mA，5V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，2V *5功率-最大值:12.5W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：1.5A
2电压-集射极击穿(最大值)：80V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 150mA，2V
5功率-最大值：12.5W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-225AA，TO-126-3
封装：TO-225AA
料号：JTG1-7661
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BD139G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BD139G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BD139G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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描述：
TRANS PNP 80V 1.5A TO225AA
参数：
系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 50mA，10V *5功率-最大值:20.8W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 600mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，1V *5功率-最大值:4.2W *4频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:60 @ 500mA，5V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，2V *5功率-最大值:12.5W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1.25W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：1.5A
2电压-集射极击穿(最大值)：80V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 150mA，2V
5功率-最大值：1.25W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-225AA，TO-126-3
封装：TO-225AA
料号：JTG1-7662
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BD140G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BD140G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BD140G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BD140G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
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描述：
TRANS PNP DARL 100V 5A TO-220
参数：
系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 50mA，10V *5功率-最大值:20.8W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 600mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，1V *5功率-最大值:4.2W *4频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:60 @ 500mA，5V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，2V *5功率-最大值:12.5W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1.25W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 20mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):2mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 3A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：PNP - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：5A
2电压-集射极击穿(最大值)：100V
6电流-集电极截止(最大值)：2mA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：1000 @ 3A，3V
5功率-最大值：2W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-220-3
封装：TO-220-3
料号：JTG1-7663
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TIP127TU' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TIP127TU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TIP127TU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TIP127TU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS PNP 80V 1A TO225AA
参数：
系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 50mA，10V *5功率-最大值:20.8W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 600mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，1V *5功率-最大值:4.2W *4频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:60 @ 500mA，5V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，2V *5功率-最大值:12.5W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1.25W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 20mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):2mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 3A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):500µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 500mA，1V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
2电压-集射极击穿(最大值)：80V
6电流-集电极截止(最大值)：500µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：30 @ 500mA，1V
5功率-最大值：30W
4频率-跃迁：3MHz
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外壳：TO-225AA，TO-126-3
封装：TO-225AA
料号：JTG1-7664
包装：
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合作现货:0
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描述：
TRANS NPN 80V 3A TO220AB
参数：
系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 50mA，10V *5功率-最大值:20.8W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 600mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，1V *5功率-最大值:4.2W *4频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:60 @ 500mA，5V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，2V *5功率-最大值:12.5W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1.25W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 20mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):2mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 3A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):500µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 500mA，1V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):300µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:3MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：3A
2电压-集射极击穿(最大值)：80V
6电流-集电极截止(最大值)：300µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：10 @ 3A，4V
5功率-最大值：2W
4频率-跃迁：3MHz
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外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：JTG1-7665
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TRANS PNP 300V 500MA TO225AA
参数：
系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 50mA，10V *5功率-最大值:20.8W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 600mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，1V *5功率-最大值:4.2W *4频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:60 @ 500mA，5V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，2V *5功率-最大值:12.5W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1.25W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 20mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):2mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 3A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):500µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 500mA，1V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):300µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 50mA，10V *5功率-最大值:20W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：500mA
2电压-集射极击穿(最大值)：300V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：30 @ 50mA，10V
5功率-最大值：20W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-225AA，TO-126-3
封装：TO-225AA
料号：JTG1-7666
包装：
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MJE350G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJE350G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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TRANS NPN 100V 1A E-LINE
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外壳：E-LINE-3
封装：E-LINE（TO-92 兼容）
料号：JTG1-7670
包装：
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描述：
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外壳：E-LINE-3
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
2电压-集射极击穿(最大值)：140V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 150mA，10V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：100MHz
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外壳：E-LINE-3
封装：E-LINE（TO-92 兼容）
料号：JTG1-7672
包装：
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描述：
TRANS PNP 45V 1A E-LINE
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外壳：E-LINE-3
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：300mA
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7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 50mA，10V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：50MHz
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外壳：E-LINE-3
封装：E-LINE（TO-92 兼容）
料号：JTG1-7674
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描述：
TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220
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1晶体管类型：NPN - 达林顿
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外壳：TO-220-3
封装：TO-220-3
料号：JTG1-7675
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TIP122TU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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海外现货:0
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描述：
TRANS NPN 60V 10A TO-220
参数：
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外壳：TO-220-3
封装：TO-220-3
料号：JTG1-7676
包装：
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描述：
TRANS PNP 500V 0.15A E-LINE
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达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 20mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):2mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 3A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):500µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 500mA，1V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):300µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 50mA，10V *5功率-最大值:20W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 15mA，150mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 15mA，150mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 150mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 15mA，150mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 50mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 15mA，150mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 15mA，150mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 15mA，150mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):300mA *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 50mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 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1晶体管类型：PNP
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外壳：E-LINE-3
封装：E-LINE（TO-92 兼容）
料号：JTG1-7677
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自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX560' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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合作现货:0
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