|
|
描述：
TRANS NPN 800V 3A TO-220
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):800V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 300mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 200mA，5V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:15MHz
|
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：3A
2电压-集射极击穿(最大值)：800V
6电流-集电极截止(最大值)：10µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：20 @ 200mA，5V
5功率-最大值：50W
4频率-跃迁：15MHz
|
外壳：TO-220-3
封装：TO-220-3
料号：JTG1-7738
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KSC5027OTU' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSC5027OTU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSC5027OTU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSC5027OTU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
|
|
|
|
描述：
TRANS NPN 45V 2A E-LINE
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):800V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 300mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 200mA，5V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:15MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 1A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz
|
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：2A
2电压-集射极击穿(最大值)：45V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：400 @ 1A，2V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：150MHz
|
外壳：E-LINE-3
封装：E-LINE（TO-92 兼容）
料号：JTG1-7739
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZTX690B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX690B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX690B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX690B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
|
|
|
|
描述：
TRANS NPN 120V 0.5A E-LINE
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):800V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 300mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 200mA，5V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:15MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 1A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，400mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 200mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:130MHz
|
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：500mA
2电压-集射极击穿(最大值)：120V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：400 @ 200mA，2V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：130MHz
|
外壳：E-LINE-3
封装：E-LINE（TO-92 兼容）
料号：JTG1-7740
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZTX694B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX694B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX694B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX694B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
|
|
|
|
描述：
TRANS NPN 70V 1A E-LINE
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):800V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 300mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 200mA，5V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:15MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 1A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，400mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 200mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz
|
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
2电压-集射极击穿(最大值)：70V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：400 @ 500mA，2V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：150MHz
|
外壳：E-LINE-3
封装：E-LINE（TO-92 兼容）
料号：JTG1-7741
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZTX692B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX692B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX692B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX692B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
|
|
|
|
描述：
TRANS NPN 400V 12A TO220-3
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):800V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 300mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 200mA，5V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:15MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 1A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，400mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 200mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3A，12A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:8 @ 5A，5V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:4MHz
|
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：12A
2电压-集射极击穿(最大值)：400V
6电流-集电极截止(最大值)：-
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：8 @ 5A，5V
5功率-最大值：100W
4频率-跃迁：4MHz
|
外壳：TO-220-3
封装：TO-220-3
料号：JTG1-7742
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FJP13009TU' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FJP13009TU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FJP13009TU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FJP13009TU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
|
|
|
|
描述：
TRANS NPN DARL 80V 10A TO220AB
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):800V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 300mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 200mA，5V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:15MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 1A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，400mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 200mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3A，12A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:8 @ 5A，5V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 100mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 5A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:-
|
1晶体管类型：NPN - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：10A
2电压-集射极击穿(最大值)：80V
6电流-集电极截止(最大值)：1mA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：1000 @ 5A，3V
5功率-最大值：2W
4频率-跃迁：-
|
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：JTG1-7743
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N6388G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6388G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6388G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6388G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
|
|
|
|
描述：
TRANS NPN DARL 100V 5A TO220FP
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):800V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 300mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 200mA，5V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:15MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 1A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，400mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 200mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3A，12A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:8 @ 5A，5V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 100mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 5A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.5V @ 20mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 3A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:-
|
1晶体管类型：NPN - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：5A
2电压-集射极击穿(最大值)：100V
6电流-集电极截止(最大值)：10µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：2000 @ 3A，3V
5功率-最大值：2W
4频率-跃迁：-
|
外壳：TO-220-3 整包
封装：TO-220FP
料号：JTG1-7744
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MJF122G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJF122G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJF122G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJF122G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
|
|
|
|
描述：
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):800V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 300mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 200mA，5V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:15MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 1A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，400mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 200mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3A，12A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:8 @ 5A，5V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 100mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 5A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.5V @ 20mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 3A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):180V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):5µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 100mA，5V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:200MHz
|
1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：2A
2电压-集射极击穿(最大值)：180V
6电流-集电极截止(最大值)：5µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 100mA，5V
5功率-最大值：2W
4频率-跃迁：200MHz
|
外壳：TO-220-3 整包
封装：TO-220NIS
料号：JTG1-7745
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SA1930(Q,M)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SA1930(Q,M)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SA1930(Q,M)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SA1930(Q,M)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
|
|
|
|
描述：
TRANS PNP 80V 15A TO220AB
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):800V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 300mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 200mA，5V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:15MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 1A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，400mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 200mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3A，12A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:8 @ 5A，5V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 100mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 5A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.5V @ 20mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 3A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):180V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):5µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 100mA，5V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 800mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，1V *5功率-最大值:83W *4频率-跃迁:50MHz
|
1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：15A
2电压-集射极击穿(最大值)：80V
6电流-集电极截止(最大值)：-
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：20 @ 4A，1V
5功率-最大值：83W
4频率-跃迁：50MHz
|
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：JTG1-7746
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'D45VH10G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'D45VH10G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'D45VH10G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'D45VH10G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
|
|
|
|
描述：
TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):800V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 300mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 200mA，5V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:15MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 1A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，400mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 200mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3A，12A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:8 @ 5A，5V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 100mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 5A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.5V @ 20mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 3A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):180V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):5µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 100mA，5V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 800mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，1V *5功率-最大值:83W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 30mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):500µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 4A，4V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:-
|
1晶体管类型：PNP - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：8A
2电压-集射极击穿(最大值)：100V
6电流-集电极截止(最大值)：500µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：1000 @ 4A，4V
5功率-最大值：2W
4频率-跃迁：-
|
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：JTG1-7747
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TIP137' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TIP137' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TIP137' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TIP137' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
|
|
|
|
描述：
TRANS NPN 80V 15A TO220AB
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):800V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 300mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 200mA，5V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:15MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 1A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，400mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 200mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3A，12A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:8 @ 5A，5V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 100mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 5A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.5V @ 20mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 3A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):180V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):5µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 100mA，5V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 800mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，1V *5功率-最大值:83W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 30mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):500µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 4A，4V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，1V *5功率-最大值:83W *4频率-跃迁:50MHz
|
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：15A
2电压-集射极击穿(最大值)：80V
6电流-集电极截止(最大值)：-
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：20 @ 4A，1V
5功率-最大值：83W
4频率-跃迁：50MHz
|
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：JTG1-7748
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'D44VH10G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'D44VH10G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'D44VH10G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'D44VH10G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
|
|
|
|
描述：
TRANS NPN 80V 10A TO220AB
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):800V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 300mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 200mA，5V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:15MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 1A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，400mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 200mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3A，12A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:8 @ 5A，5V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 100mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 5A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.5V @ 20mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 3A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):180V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):5µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 100mA，5V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 800mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，1V *5功率-最大值:83W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 30mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):500µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 4A，4V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，1V *5功率-最大值:83W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:50MHz
|
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：10A
2电压-集射极击穿(最大值)：80V
6电流-集电极截止(最大值)：10µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 4A，1V
5功率-最大值：2W
4频率-跃迁：50MHz
|
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：JTG1-7749
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'D44H11G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'D44H11G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'D44H11G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'D44H11G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
|
|
|
|
描述：
TRANS PNP 80V 10A TO220AB
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):800V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 300mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 200mA，5V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:15MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 1A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，400mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 200mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3A，12A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:8 @ 5A，5V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 100mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 5A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.5V @ 20mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 3A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):180V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):5µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 100mA，5V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 800mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，1V *5功率-最大值:83W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 30mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):500µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 4A，4V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，1V *5功率-最大值:83W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:40MHz
|
1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：10A
2电压-集射极击穿(最大值)：80V
6电流-集电极截止(最大值)：10µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 4A，1V
5功率-最大值：2W
4频率-跃迁：40MHz
|
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：JTG1-7750
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'D45H11G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'D45H11G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'D45H11G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'D45H11G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
|
|
|
|
描述：
TRANS NPN 100V 4A E-LINE
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):800V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 300mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 200mA，5V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:15MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 1A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，400mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 200mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3A，12A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:8 @ 5A，5V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 100mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 5A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.5V @ 20mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 3A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):180V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):5µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 100mA，5V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 800mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，1V *5功率-最大值:83W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 30mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):500µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 4A，4V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，1V *5功率-最大值:83W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 400mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:130MHz
|
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：4A
2电压-集射极击穿(最大值)：100V
6电流-集电极截止(最大值)：50nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 2A，2V
5功率-最大值：1.2W
4频率-跃迁：130MHz
|
外壳：E-LINE-3
封装：E-LINE（TO-92 兼容）
料号：JTG1-7751
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZTX853' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX853' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX853' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX853' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
|
|
|
|
描述：
TRANS NPN 60V 5A E-LINE
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):800V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 300mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 200mA，5V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:15MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 1A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，400mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 200mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3A，12A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:8 @ 5A，5V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 100mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 5A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.5V @ 20mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 3A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):180V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):5µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 100mA，5V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 800mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，1V *5功率-最大值:83W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 30mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):500µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 4A，4V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，1V *5功率-最大值:83W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 400mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 200mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，1V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:130MHz
|
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：5A
2电压-集射极击穿(最大值)：60V
6电流-集电极截止(最大值)：50nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 2A，1V
5功率-最大值：1.2W
4频率-跃迁：130MHz
|
外壳：E-LINE-3
封装：E-LINE（TO-92 兼容）
料号：JTG1-7752
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZTX851' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX851' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX851' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX851' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
|
|
|
|
描述：
TRANS PNP 60V 4A E-LINE
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):800V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 300mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 200mA，5V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:15MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 1A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，400mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 200mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3A，12A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:8 @ 5A，5V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 100mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 5A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.5V @ 20mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 3A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):180V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):5µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 100mA，5V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 800mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，1V *5功率-最大值:83W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 30mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):500µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 4A，4V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，1V *5功率-最大值:83W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 400mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 200mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，1V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 400mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，1V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:120MHz
|
1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：4A
2电压-集射极击穿(最大值)：60V
6电流-集电极截止(最大值)：50nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 1A，1V
5功率-最大值：1.2W
4频率-跃迁：120MHz
|
外壳：E-LINE-3
封装：E-LINE（TO-92 兼容）
料号：JTG1-7753
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZTX951' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX951' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX951' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX951' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
|
|
|
|
描述：
TRANS NPN 30V 5A E-LINE
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):800V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 300mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 200mA，5V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:15MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 1A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，400mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 200mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3A，12A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:8 @ 5A，5V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 100mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 5A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.5V @ 20mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 3A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):180V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):5µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 100mA，5V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 800mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，1V *5功率-最大值:83W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 30mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):500µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 4A，4V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，1V *5功率-最大值:83W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 400mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 200mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，1V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 400mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，1V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 200mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，1V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:100MHz
|
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：5A
2电压-集射极击穿(最大值)：30V
6电流-集电极截止(最大值)：50nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 1A，1V
5功率-最大值：1.2W
4频率-跃迁：100MHz
|
外壳：E-LINE-3
封装：E-LINE（TO-92 兼容）
料号：JTG1-7754
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZTX849' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX849' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX849' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX849' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
|
|
|
|
描述：
TRANS NPN 120V 8A TO220AB
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):800V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 300mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 200mA，5V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:15MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 1A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，400mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 200mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3A，12A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:8 @ 5A，5V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 100mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 5A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.5V @ 20mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 3A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):180V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):5µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 100mA，5V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 800mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，1V *5功率-最大值:83W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 30mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):500µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 4A，4V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，1V *5功率-最大值:83W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 400mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 200mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，1V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 400mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，1V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 200mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，1V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，2V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:30MHz
|
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：8A
2电压-集射极击穿(最大值)：120V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：20 @ 4A，2V
5功率-最大值：50W
4频率-跃迁：30MHz
|
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：JTG1-7755
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MJE15028G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJE15028G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJE15028G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJE15028G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
|
|
|
|
描述：
TRANS PNP 25V 3A E-LINE
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):800V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 300mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 200mA，5V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:15MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 1A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，400mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 200mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3A，12A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:8 @ 5A，5V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 100mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 5A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.5V @ 20mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 3A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):180V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):5µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 100mA，5V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 800mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，1V *5功率-最大值:83W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 30mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):500µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 4A，4V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，1V *5功率-最大值:83W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 400mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 200mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，1V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 400mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，1V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 200mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，1V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，2V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):25V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 10mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:100MHz
|
1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：3A
2电压-集射极击穿(最大值)：25V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：300 @ 10mA，2V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：100MHz
|
外壳：E-LINE-3
封装：E-LINE（TO-92 兼容）
料号：JTG1-7756
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZTX789A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX789A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX789A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX789A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
|
|
|
|
描述：
TRANS NPN 40V 4A E-LINE
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):800V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 300mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 200mA，5V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:15MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 1A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，400mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 200mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3A，12A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:8 @ 5A，5V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 100mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 5A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.5V @ 20mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 3A，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):180V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):5µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 100mA，5V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 800mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，1V *5功率-最大值:83W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 30mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):500µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 4A，4V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，1V *5功率-最大值:83W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 400mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 200mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，1V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 400mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，1V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 200mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，1V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 4A，2V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):25V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 10mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:210mV @ 100mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 1A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:155MHz
|
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：4A
2电压-集射极击穿(最大值)：40V
6电流-集电极截止(最大值)：10nA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：300 @ 1A，2V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：155MHz
|
外壳：E-LINE-3
封装：E-LINE（TO-92 兼容）
料号：JTG1-7757
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZTX1051A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX1051A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX1051A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX1051A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
|
|
