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描述：
TRANS NPN DARL 350V 15A TO-220
参数：
系列:Automotive 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 250mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 5A，10V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：15A
2电压-集射极击穿(最大值)：350V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：300 @ 5A，10V
5功率-最大值：150W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：JTG1-7818
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BU941ZT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BU941ZT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BU941ZT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BU941ZT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS NPN 36V 2.2A TO220-3
参数：
系列:Automotive 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 250mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 5A，10V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2.2A *2电压-集射极击穿(最大值):36V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：2.2A
2电压-集射极击穿(最大值)：36V
6电流-集电极截止(最大值)：-
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：-
5功率-最大值：-
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-220-3
封装：TO-220-3
料号：JTG1-7819
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LM395T/NOPB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM395T/NOPB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM395T/NOPB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM395T/NOPB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS NPN DARL 150V 15A TO-3P
参数：
系列:Automotive 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 250mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 5A，10V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2.2A *2电压-集射极击穿(最大值):36V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 10mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 10A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:70MHz
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1晶体管类型：NPN - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：15A
2电压-集射极击穿(最大值)：150V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：5000 @ 10A，4V
5功率-最大值：130W
4频率-跃迁：70MHz
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外壳：TO-3P-3，SC-65-3
封装：TO-3P
料号：JTG1-7820
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SD2560' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SD2560' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SD2560' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SD2560' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS PNP 50V 12A TO3PF
参数：
系列:Automotive 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 250mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 5A，10V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2.2A *2电压-集射极击穿(最大值):36V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 10mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 10A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:70MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 80mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，1V *5功率-最大值:60W *4频率-跃迁:25MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：12A
2电压-集射极击穿(最大值)：50V
6电流-集电极截止(最大值)：10µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：50 @ 5A，1V
5功率-最大值：60W
4频率-跃迁：25MHz
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外壳：TO-3P-3 整包
封装：TO-3PF
料号：JTG1-7821
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SA1746' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SA1746' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SA1746' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SA1746' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS NPN 400V 18A TO3P
参数：
系列:Automotive 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 250mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 5A，10V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2.2A *2电压-集射极击穿(最大值):36V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 10mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 10A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:70MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 80mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，1V *5功率-最大值:60W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):18A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2A，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 10A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:10MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：18A
2电压-集射极击穿(最大值)：400V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：10 @ 10A，4V
5功率-最大值：130W
4频率-跃迁：10MHz
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外壳：TO-3P-3，SC-65-3
封装：TO-3P
料号：JTG1-7822
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SC4140' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC4140' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC4140' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC4140' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS NPN DARL 120V 25A TO-3P
参数：
系列:Automotive 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 250mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 5A，10V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2.2A *2电压-集射极击穿(最大值):36V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 10mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 10A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:70MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 80mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，1V *5功率-最大值:60W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):18A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2A，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 10A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:10MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 24mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 12A，4V *5功率-最大值:120W *4频率-跃迁:20MHz
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1晶体管类型：NPN - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：25A
2电压-集射极击穿(最大值)：120V
6电流-集电极截止(最大值)：10µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：2000 @ 12A，4V
5功率-最大值：120W
4频率-跃迁：20MHz
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外壳：TO-3P-3，SC-65-3
封装：TO-3P
料号：JTG1-7823
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SD2083' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SD2083' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SD2083' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SD2083' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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描述：
TRANS NPN 140V 12A TO-3P
参数：
系列:Automotive 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 250mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 5A，10V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2.2A *2电压-集射极击穿(最大值):36V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 10mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 10A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:70MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 80mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，1V *5功率-最大值:60W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):18A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2A，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 10A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:10MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 24mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 12A，4V *5功率-最大值:120W *4频率-跃迁:20MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 700mA，7A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:60 @ 1A，5V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:20MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：12A
2电压-集射极击穿(最大值)：140V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：60 @ 1A，5V
5功率-最大值：100W
4频率-跃迁：20MHz
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外壳：TO-3P-3，SC-65-3
封装：TO-3P
料号：JTG1-7824
包装：
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自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SD1047' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
TRANS NPN 90V 30A TO3
参数：
系列:Automotive 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 250mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 5A，10V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2.2A *2电压-集射极击穿(最大值):36V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 10mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 10A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:70MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 80mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，1V *5功率-最大值:60W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):18A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2A，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 10A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:10MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 24mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 12A，4V *5功率-最大值:120W *4频率-跃迁:20MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 700mA，7A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:60 @ 1A，5V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:20MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):90V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 750mA，7.5A *6电流-集电极截止(最大值):1mA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 7.5A，2V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:2MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：30A
2电压-集射极击穿(最大值)：90V
6电流-集电极截止(最大值)：1mA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：25 @ 7.5A，2V
5功率-最大值：200W
4频率-跃迁：2MHz
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外壳：TO-204AA，TO-3
封装：TO-3
料号：JTG1-7825
包装：
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自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJ802G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJ802G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJ802G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
TRANS NPN 40V 30A TO-3
参数：
系列:Automotive 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 250mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 5A，10V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2.2A *2电压-集射极击穿(最大值):36V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 10mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 10A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:70MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 80mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，1V *5功率-最大值:60W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):18A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2A，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 10A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:10MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 24mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 12A，4V *5功率-最大值:120W *4频率-跃迁:20MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 700mA，7A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:60 @ 1A，5V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:20MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):90V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 750mA，7.5A *6电流-集电极截止(最大值):1mA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 7.5A，2V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A *6电流-集电极截止(最大值):10mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 15A，4V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:200kHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：30A
2电压-集射极击穿(最大值)：40V
6电流-集电极截止(最大值)：10mA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：15 @ 15A，4V
5功率-最大值：150W
4频率-跃迁：200kHz
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外壳：TO-204AA，TO-3
封装：TO-3
料号：JTG1-7826
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N3771G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N3771G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N3771G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N3771G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
TRANS NPN 50V 15A TO3PF
参数：
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TRANS NPN 80V 25A TO3
参数：
系列:Automotive 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 250mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 5A，10V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2.2A *2电压-集射极击穿(最大值):36V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 10mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 10A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:70MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 80mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，1V *5功率-最大值:60W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):18A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2A，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 10A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:10MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 24mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 12A，4V *5功率-最大值:120W *4频率-跃迁:20MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 700mA，7A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:60 @ 1A，5V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:20MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):90V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 750mA，7.5A *6电流-集电极截止(最大值):1mA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 7.5A，2V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A *6电流-集电极截止(最大值):10mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 15A，4V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:200kHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 80mA，400mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:60 @ 5A，1V *5功率-最大值:60W *4频率-跃迁:18MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A *6电流-集电极截止(最大值):2mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 10A，4V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz
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描述：
TRANS NPN 140V 16A TO3
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TRANS NPN 180V 15A TO-3P
参数：
系列:Automotive 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 250mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 5A，10V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2.2A *2电压-集射极击穿(最大值):36V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 10mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 10A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:70MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 80mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，1V *5功率-最大值:60W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):18A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2A，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 10A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:10MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 24mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 12A，4V *5功率-最大值:120W *4频率-跃迁:20MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 700mA，7A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:60 @ 1A，5V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:20MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):90V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 750mA，7.5A *6电流-集电极截止(最大值):1mA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 7.5A，2V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A *6电流-集电极截止(最大值):10mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 15A，4V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:200kHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 80mA，400mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:60 @ 5A，1V *5功率-最大值:60W *4频率-跃迁:18MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A *6电流-集电极截止(最大值):2mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 10A，4V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.4V @ 800mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 8A，4V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):180V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 3A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:20MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：15A
2电压-集射极击穿(最大值)：180V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：50 @ 3A，4V
5功率-最大值：130W
4频率-跃迁：20MHz
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外壳：TO-3P-3，SC-65-3
封装：TO-3P
料号：JTG1-7830
包装：
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合作现货:0
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描述：
TRANS NPN DARL 200V 15A TO247
参数：
系列:Automotive 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 250mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 5A，10V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2.2A *2电压-集射极击穿(最大值):36V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 10mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 10A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:70MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 80mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，1V *5功率-最大值:60W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):18A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2A，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 10A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:10MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 24mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 12A，4V *5功率-最大值:120W *4频率-跃迁:20MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 700mA，7A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:60 @ 1A，5V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:20MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):90V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 750mA，7.5A *6电流-集电极截止(最大值):1mA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 7.5A，2V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A *6电流-集电极截止(最大值):10mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 15A，4V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:200kHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 80mA，400mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:60 @ 5A，1V *5功率-最大值:60W *4频率-跃迁:18MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A *6电流-集电极截止(最大值):2mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 10A，4V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.4V @ 800mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 8A，4V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):180V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 3A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:20MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 150mA，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 10A，5V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:3MHz
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1晶体管类型：NPN - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：15A
2电压-集射极击穿(最大值)：200V
6电流-集电极截止(最大值)：1mA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：400 @ 10A，5V
5功率-最大值：150W
4频率-跃迁：3MHz
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外壳：TO-247-3
封装：TO-247
料号：JTG1-7831
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MJH11020G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJH11020G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJH11020G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJH11020G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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TRANS NPN 180V 15A TO-3P
参数：
系列:Automotive 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 250mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 5A，10V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2.2A *2电压-集射极击穿(最大值):36V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 10mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 10A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:70MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 80mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，1V *5功率-最大值:60W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):18A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2A，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 10A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:10MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 24mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 12A，4V *5功率-最大值:120W *4频率-跃迁:20MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 700mA，7A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:60 @ 1A，5V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:20MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):90V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 750mA，7.5A *6电流-集电极截止(最大值):1mA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 7.5A，2V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A *6电流-集电极截止(最大值):10mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 15A，4V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:200kHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 80mA，400mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:60 @ 5A，1V *5功率-最大值:60W *4频率-跃迁:18MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A *6电流-集电极截止(最大值):2mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 10A，4V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.4V @ 800mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 8A，4V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):180V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 3A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:20MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 150mA，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 10A，5V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):180V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:50MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：15A
2电压-集射极击穿(最大值)：180V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：50 @ 5A，4V
5功率-最大值：130W
4频率-跃迁：50MHz
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外壳：TO-3P-3，SC-65-3
封装：TO-3P
料号：JTG1-7832
包装：
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描述：
TRANS NPN 230V 15A TO-3P
参数：
系列:Automotive 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 250mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 5A，10V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2.2A *2电压-集射极击穿(最大值):36V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 10mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 10A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:70MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 80mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，1V *5功率-最大值:60W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):18A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2A，10A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 10A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:10MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 24mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 12A，4V *5功率-最大值:120W *4频率-跃迁:20MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 700mA，7A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:60 @ 1A，5V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:20MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):90V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 750mA，7.5A *6电流-集电极截止(最大值):1mA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 7.5A，2V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A *6电流-集电极截止(最大值):10mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 15A，4V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:200kHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 80mA，400mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:60 @ 5A，1V *5功率-最大值:60W *4频率-跃迁:18MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A *6电流-集电极截止(最大值):2mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 10A，4V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.4V @ 800mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 8A，4V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):180V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 3A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:20MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 150mA，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 10A，5V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):180V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):230V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 5A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:60MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：15A
2电压-集射极击穿(最大值)：230V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 5A，4V
5功率-最大值：130W
4频率-跃迁：60MHz
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外壳：TO-3P-3，SC-65-3
封装：TO-3P
料号：JTG1-7833
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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TRANS NPN 160V 15A TO3P
参数：
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：15A
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6电流-集电极截止(最大值)：100µA（ICBO）
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5功率-最大值：130W
4频率-跃迁：50MHz
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外壳：TO-3P-3，SC-65-3
封装：TO-3P
料号：JTG1-7834
包装：
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描述：
TRANS PNP 160V 15A TO3P
参数：
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：15A
2电压-集射极击穿(最大值)：160V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA（ICBO）
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5功率-最大值：130W
4频率-跃迁：40MHz
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外壳：TO-3P-3，SC-65-3
封装：TO-3P
料号：JTG1-7835
包装：
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描述：
TRANS NPN 36V 2.2A TO220-3
参数：
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外壳：TO-220-3
封装：TO-220-3
料号：JTG1-7836
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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描述：
TRANS PNP DARL 150V 15A TO-3P
参数：
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1晶体管类型：PNP - 达林顿
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外壳：TO-3P-3，SC-65-3
封装：TO-3P
料号：JTG1-7837
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SB1647' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SB1647' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SB1647' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SB1647' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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