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描述：
TRANS NPN 250V 16A TO3
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 8A，5V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:4MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：16A
2电压-集射极击穿(最大值)：250V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：25 @ 8A，5V
5功率-最大值：250W
4频率-跃迁：4MHz
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外壳：TO-204AA，TO-3
封装：TO-3
料号：JTG1-7838
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MJ21196G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJ21196G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJ21196G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJ21196G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS PNP 250V 16A TO204
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 8A，5V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 8A，5V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:4MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：16A
2电压-集射极击穿(最大值)：250V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：25 @ 8A，5V
5功率-最大值：250W
4频率-跃迁：4MHz
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外壳：TO-204AA，TO-3
封装：TO-3
料号：JTG1-7839
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MJ21195G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJ21195G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJ21195G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJ21195G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
TRANS PNP 140V 20A TO3
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 8A，5V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 8A，5V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 5A，2V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:2MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：20A
2电压-集射极击穿(最大值)：140V
6电流-集电极截止(最大值)：250µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：25 @ 5A，2V
5功率-最大值：250W
4频率-跃迁：2MHz
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外壳：TO-204AA，TO-3
封装：TO-3
料号：JTG1-7840
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MJ15004G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJ15004G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJ15004G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJ15004G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
TRANS PNP DARL 250V 15A TO247
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 8A，5V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 8A，5V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 5A，2V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 150mA，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 10A，5V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:3MHz
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1晶体管类型：PNP - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：15A
2电压-集射极击穿(最大值)：250V
6电流-集电极截止(最大值)：1mA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：400 @ 10A，5V
5功率-最大值：150W
4频率-跃迁：3MHz
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外壳：TO-247-3
封装：TO-247
料号：JTG1-7841
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MJH11021G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJH11021G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJH11021G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJH11021G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS PNP 180V 15A TO-3P
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 8A，5V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 8A，5V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 5A，2V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 150mA，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 10A，5V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):180V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:40MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：15A
2电压-集射极击穿(最大值)：180V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：50 @ 5A，4V
5功率-最大值：130W
4频率-跃迁：40MHz
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外壳：TO-3P-3，SC-65-3
封装：TO-3P
料号：JTG1-7842
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SA1386A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SA1386A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SA1386A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SA1386A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS PNP 80V 25A TO204
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 8A，5V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 8A，5V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 5A，2V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 150mA，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 10A，5V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):180V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A *6电流-集电极截止(最大值):2mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 10A，4V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：25A
2电压-集射极击穿(最大值)：80V
6电流-集电极截止(最大值)：2mA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：20 @ 10A，4V
5功率-最大值：200W
4频率-跃迁：4MHz
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外壳：TO-204AA，TO-3
封装：TO-3
料号：JTG1-7843
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N5884G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5884G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5884G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5884G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS PNP 100V 30A TO3
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 8A，5V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 8A，5V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 5A，2V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 150mA，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 10A，5V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):180V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A *6电流-集电极截止(最大值):2mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 10A，4V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 750mA，7.5A *6电流-集电极截止(最大值):1mA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 7.5A，2V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:2MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：30A
2电压-集射极击穿(最大值)：100V
6电流-集电极截止(最大值)：1mA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：25 @ 7.5A，2V
5功率-最大值：200W
4频率-跃迁：2MHz
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外壳：TO-204AA，TO-3
封装：TO-3
料号：JTG1-7844
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自营现货:0
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合作现货:0
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描述：
TRANS PNP DARL 100V 20A TO247
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 8A，5V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 8A，5V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 5A，2V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 150mA，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 10A，5V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):180V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A *6电流-集电极截止(最大值):2mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 10A，4V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 750mA，7.5A *6电流-集电极截止(最大值):1mA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 7.5A，2V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 200mA，20A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 10A，3V *5功率-最大值:160W *4频率-跃迁:4MHz
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1晶体管类型：PNP - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：20A
2电压-集射极击穿(最大值)：100V
6电流-集电极截止(最大值)：1mA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：750 @ 10A，3V
5功率-最大值：160W
4频率-跃迁：4MHz
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外壳：TO-247-3
封装：TO-247
料号：JTG1-7845
包装：
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自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJH6287G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJH6287G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
TRANS NPN 250V 16A TO247
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 8A，5V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 8A，5V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 5A，2V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 150mA，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 10A，5V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):180V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A *6电流-集电极截止(最大值):2mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 10A，4V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 750mA，7.5A *6电流-集电极截止(最大值):1mA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 7.5A，2V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 200mA，20A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 10A，3V *5功率-最大值:160W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 8A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：16A
2电压-集射极击穿(最大值)：250V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：20 @ 8A，5V
5功率-最大值：200W
4频率-跃迁：4MHz
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外壳：TO-247-3
封装：TO-247
料号：JTG1-7846
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MJW21194G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJW21194G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJW21194G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJW21194G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS NPN 60V 20A TO204
参数：
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TRANS PNP DARL 120V 30A TO204
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6电流-集电极截止(最大值)：1mA
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5功率-最大值：200W
4频率-跃迁：4MHz
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外壳：TO-204AA，TO-3
封装：TO-3
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描述：
TRANS PNP 230V 15A TO-3P
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1晶体管类型：PNP
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外壳：TO-3P-3，SC-65-3
封装：TO-3P
料号：JTG1-7849
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TRANS PNP 180V 15A TO-3P
参数：
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：15A
2电压-集射极击穿(最大值)：180V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：50 @ 3A，4V
5功率-最大值：130W
4频率-跃迁：20MHz
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外壳：TO-3P-3，SC-65-3
封装：TO-3P
料号：JTG1-7850
包装：
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合作现货:0
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描述：
TRANS NPN DARL 100V 20A TO3
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 8A，5V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 8A，5V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 5A，2V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 150mA，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 10A，5V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):180V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A *6电流-集电极截止(最大值):2mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 10A，4V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 750mA，7.5A *6电流-集电极截止(最大值):1mA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 7.5A，2V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 200mA，20A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 10A，3V *5功率-最大值:160W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 8A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 4A，20A *6电流-集电极截止(最大值):10mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 10A，4V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:200kHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 300mA，30A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 20A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):230V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:35MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):180V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 3A，4V *5功率-最大值:130W *4频率-跃迁:20MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 200mA，20A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 10A，3V *5功率-最大值:160W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：20A
2电压-集射极击穿(最大值)：100V
6电流-集电极截止(最大值)：1mA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：750 @ 10A，3V
5功率-最大值：160W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-204AA，TO-3
封装：TO-3
料号：JTG1-7851
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N6284G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6284G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
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TRANS NPN DARL 120V 30A TO3
参数：
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1晶体管类型：NPN - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：30A
2电压-集射极击穿(最大值)：120V
6电流-集电极截止(最大值)：1mA
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5功率-最大值：200W
4频率-跃迁：4MHz
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外壳：TO-204AA，TO-3
封装：TO-3
料号：JTG1-7852
包装：
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描述：
TRANS NPN 250V 16A TO264
参数：
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：16A
2电压-集射极击穿(最大值)：250V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：25 @ 8A，5V
5功率-最大值：200W
4频率-跃迁：4MHz
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外壳：TO-264-3，TO-264AA
封装：TO-264
料号：JTG1-7853
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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海外现货:0
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TRANS PNP 250V 16A TO264
参数：
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：16A
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4频率-跃迁：4MHz
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外壳：TO-264-3，TO-264AA
封装：TO-264
料号：JTG1-7854
包装：
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描述：
TRANS NPN DARL 160V 15A TO-3P-5
参数：
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1晶体管类型：NPN - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：15A
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外壳：TO-3P-5
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TRANS PNP DARL 160V 15A TO-3P-5
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1晶体管类型：PNP - 达林顿
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外壳：TO-3P-5
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料号：JTG1-7856
包装：
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描述：
TRANS NPN 200V 16A TO204
参数：
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外壳：TO-204AA，TO-3
封装：TO-3
料号：JTG1-7857
包装：
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MJ15022G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJ15022G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJ15022G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJ15022G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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