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描述：
TRANS PNP 230V 17A MT200
参数：
系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):17A *2电压-集射极击穿(最大值):230V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:35MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：17A
2电压-集射极击穿(最大值)：230V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：50 @ 5A，4V
5功率-最大值：200W
4频率-跃迁：35MHz
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外壳：3-ESIP
封装：MT-200
料号：JTG1-7878
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SA1295' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SA1295' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SA1295' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SA1295' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS PNP 80V 50A TO3
参数：
系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):17A *2电压-集射极击穿(最大值):230V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:35MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 10A，50A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 25A，2V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:2MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：50A
2电压-集射极击穿(最大值)：80V
6电流-集电极截止(最大值)：1mA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：15 @ 25A，2V
5功率-最大值：300W
4频率-跃迁：2MHz
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外壳：TO-204AE
封装：TO-3
料号：JTG1-7879
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N5684G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5684G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5684G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5684G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS NPN 450V 30A TO247
参数：
系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):17A *2电压-集射极击穿(最大值):230V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:35MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 10A，50A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 25A，2V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):450V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4A，20A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：30A
2电压-集射极击穿(最大值)：450V
6电流-集电极截止(最大值)：-
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：-
5功率-最大值：200W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-247-3
封装：TO-247-3
料号：JTG1-7880
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUF420AW' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUF420AW' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUF420AW' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS NPN DARL 60V 50A TO3
参数：
系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):17A *2电压-集射极击穿(最大值):230V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:35MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 10A，50A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 25A，2V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):450V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4A，20A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.5V @ 500mA，50A *6电流-集电极截止(最大值):2mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 25A，5V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：50A
2电压-集射极击穿(最大值)：60V
6电流-集电极截止(最大值)：2mA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：1000 @ 25A，5V
5功率-最大值：300W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-204AE
封装：TO-3
料号：JTG1-7881
包装：
1个/
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￥192.58
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJ11028G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJ11028G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS NPN 90V 20A TO3
参数：
系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):17A *2电压-集射极击穿(最大值):230V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:35MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 10A，50A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 25A，2V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):450V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4A，20A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.5V @ 500mA，50A *6电流-集电极截止(最大值):2mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 25A，5V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):90V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 5A，20A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 12A，5V *5功率-最大值:140W *4频率-跃迁:-
|
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：20A
2电压-集射极击穿(最大值)：90V
6电流-集电极截止(最大值)：-
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：20 @ 12A，5V
5功率-最大值：140W
4频率-跃迁：-
|
外壳：TO-204AA，TO-3
封装：TO-3
料号：JTG1-7882
包装：
|
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5038G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5038G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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描述：
TRANS PNP DARL 120V 50A TO3
参数：
系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):17A *2电压-集射极击穿(最大值):230V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:35MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 10A，50A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 25A，2V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):450V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4A，20A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.5V @ 500mA，50A *6电流-集电极截止(最大值):2mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 25A，5V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):90V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 5A，20A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 12A，5V *5功率-最大值:140W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.5V @ 500mA，50A *6电流-集电极截止(最大值):2mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 25A，5V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：PNP - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：50A
2电压-集射极击穿(最大值)：120V
6电流-集电极截止(最大值)：2mA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：1000 @ 25A，5V
5功率-最大值：300W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-204AE
封装：TO-3
料号：JTG1-7883
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MJ11033G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJ11033G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJ11033G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJ11033G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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描述：
TRANS NPN 100V 0.5A E-LINE
参数：
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4频率-跃迁：40MHz
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料号：JTG1-7884
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描述：
TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23
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1晶体管类型：NPN
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4频率-跃迁：100MHz
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG1-7885
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS NPN 45V 100MA SOT323
参数：
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1晶体管类型：NPN
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7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：420 @ 2mA，5V
5功率-最大值：200mW
4频率-跃迁：100MHz
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外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG1-7886
包装：
10000个/
圆盘
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￥0.20
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总额：
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描述：
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自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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总额：
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描述：
TRANS PNP 45V 0.1A SOT323
参数：
系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):17A *2电压-集射极击穿(最大值):230V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:35MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 10A，50A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 25A，2V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):450V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4A，20A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.5V @ 500mA，50A *6电流-集电极截止(最大值):2mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 25A，5V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):90V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 5A，20A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 12A，5V *5功率-最大值:140W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.5V @ 500mA，50A *6电流-集电极截止(最大值):2mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 25A，5V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN 雪崩模式 *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 10mA，10V *5功率-最大值:680mW *4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:420 @ 2mA，5V *5功率-最大值:300mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:420 @ 2mA，5V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:250 @ 100mA，1V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:125 @ 2mA，5V *5功率-最大值:300mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:125 @ 2mA，5V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:125 @ 2mA，5V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:100MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA
2电压-集射极击穿(最大值)：45V
6电流-集电极截止(最大值)：15nA（ICBO）
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5功率-最大值：200mW
4频率-跃迁：100MHz
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外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG1-7890
包装：
3000个/
圆盘
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￥0.23
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自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC857W,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC857W,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC857W,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS PNP 25V 500MA SOT23-3
参数：
系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):17A *2电压-集射极击穿(最大值):230V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:35MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 10A，50A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 25A，2V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):450V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4A，20A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.5V @ 500mA，50A *6电流-集电极截止(最大值):2mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 25A，5V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):90V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 5A，20A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 12A，5V *5功率-最大值:140W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.5V @ 500mA，50A *6电流-集电极截止(最大值):2mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 25A，5V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN 雪崩模式 *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 10mA，10V *5功率-最大值:680mW *4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:420 @ 2mA，5V *5功率-最大值:300mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:420 @ 2mA，5V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:250 @ 100mA，1V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:125 @ 2mA，5V *5功率-最大值:300mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:125 @ 2mA，5V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:125 @ 2mA，5V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):25V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 100mA，1V *5功率-最大值:300mW *4频率-跃迁:100MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：500mA
2电压-集射极击穿(最大值)：25V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：160 @ 100mA，1V
5功率-最大值：300mW
4频率-跃迁：100MHz
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG1-7891
包装：
3000个/
|
￥0.31
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描述：
TRANS NPN 50V 100MA SC59
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描述：
TRANS PNP 40V 600MA TO236AB
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总额：
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描述：
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参数：
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描述：
TRANS PNP 45V 500MA SOT323
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合作现货:0
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总额：
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描述：
TRANS NPN 45V 100MA SOT23-3
参数：
系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):17A *2电压-集射极击穿(最大值):230V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:35MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 10A，50A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 25A，2V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):450V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4A，20A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.5V @ 500mA，50A *6电流-集电极截止(最大值):2mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 25A，5V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):90V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 5A，20A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 12A，5V *5功率-最大值:140W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.5V @ 500mA，50A *6电流-集电极截止(最大值):2mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 25A，5V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN 雪崩模式 *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 10mA，10V *5功率-最大值:680mW *4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:420 @ 2mA，5V *5功率-最大值:300mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:420 @ 2mA，5V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:250 @ 100mA，1V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:125 @ 2mA，5V *5功率-最大值:300mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:125 @ 2mA，5V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:125 @ 2mA，5V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):25V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 100mA，1V *5功率-最大值:300mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2mA，6V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):600mA *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，10V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 100mA，1V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:80MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 100mA，1V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:110 @ 2mA，5V *5功率-最大值:330mW *4频率-跃迁:250MHz
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5功率-最大值：330mW
4频率-跃迁：250MHz
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描述：
TRANS NPN 45V 100MA SOT23-3
参数：
系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):17A *2电压-集射极击穿(最大值):230V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:35MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 10A，50A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 25A，2V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:2MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):450V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4A，20A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.5V @ 500mA，50A *6电流-集电极截止(最大值):2mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 25A，5V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):90V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 5A，20A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 12A，5V *5功率-最大值:140W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.5V @ 500mA，50A *6电流-集电极截止(最大值):2mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 25A，5V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN 雪崩模式 *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 10mA，10V *5功率-最大值:680mW *4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:420 @ 2mA，5V *5功率-最大值:300mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:420 @ 2mA，5V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:250 @ 100mA，1V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:125 @ 2mA，5V *5功率-最大值:300mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:125 @ 2mA，5V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:125 @ 2mA，5V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):25V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 100mA，1V *5功率-最大值:300mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2mA，6V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):600mA *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，10V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 100mA，1V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:80MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 100mA，1V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:110 @ 2mA，5V *5功率-最大值:330mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:420 @ 2mA，5V *5功率-最大值:330mW *4频率-跃迁:250MHz
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1晶体管类型：NPN
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6电流-集电极截止(最大值)：15nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：420 @ 2mA，5V
5功率-最大值：330mW
4频率-跃迁：250MHz
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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