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描述：
TRANS NPN 50V 4A 3-DFN
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:320mV @ 200mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):25nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，2V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:165MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：4A
2电压-集射极击穿(最大值)：50V
6电流-集电极截止(最大值)：25nA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 2A，2V
5功率-最大值：3W
4频率-跃迁：165MHz
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外壳：3-UDFN
封装：DFN2020B-3
料号：JTG1-8337
包装：
3000个/
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￥1.57
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS PNP 70V 2.5A 3-DFN
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:320mV @ 200mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):25nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，2V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:165MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2.5A *2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:260mV @ 200mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):25nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，5V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:180MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：2.5A
2电压-集射极击穿(最大值)：70V
6电流-集电极截止(最大值)：25nA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 1.5A，5V
5功率-最大值：3W
4频率-跃迁：180MHz
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外壳：3-UDFN
封装：DFN2020B-3
料号：JTG1-8338
包装：
3000个/
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￥1.85
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最小起订:
总额：
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描述：
TRANS NPN 400V 1A SOT223
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:320mV @ 200mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):25nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，2V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:165MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2.5A *2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:260mV @ 200mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):25nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，5V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 200mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:35 @ 500mA，10V *5功率-最大值:1.45W *4频率-跃迁:25MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
2电压-集射极击穿(最大值)：400V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：35 @ 500mA，10V
5功率-最大值：1.45W
4频率-跃迁：25MHz
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外壳：TO-261-4，TO-261AA
封装：SC-73
料号：JTG1-8339
包装：
1000个/
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￥2.21
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最小起订:
总额：
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描述：
TRANS PNP 40V 200MA TO92-3
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:320mV @ 200mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):25nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，2V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:165MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2.5A *2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:260mV @ 200mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):25nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，5V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 200mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:35 @ 500mA，10V *5功率-最大值:1.45W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，1V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:250MHz
|
1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：200mA
2电压-集射极击穿(最大值)：40V
6电流-集电极截止(最大值)：-
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 10mA，1V
5功率-最大值：625mW
4频率-跃迁：250MHz
|
外壳：TO-226-3,TO-92-3 标准主体(TO-226AA)
封装：TO-92-3
料号：JTG1-8340
包装：
|
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自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N3906BU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
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描述：
TRANS NPN 45V 0.1A TO-92
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:320mV @ 200mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):25nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，2V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:165MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2.5A *2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:260mV @ 200mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):25nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，5V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 200mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:35 @ 500mA，10V *5功率-最大值:1.45W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，1V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 1mA，5V *5功率-最大值:450mW *4频率-跃迁:270MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA
2电压-集射极击穿(最大值)：45V
6电流-集电极截止(最大值)：500nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：400 @ 1mA，5V
5功率-最大值：450mW
4频率-跃迁：270MHz
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外壳：TO-226-3,TO-92-3 标准主体(TO-226AA)
封装：TO-92-3
料号：JTG1-8341
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SS9014DBU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
咨询客服
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描述：
TRANS NPN 45V 0.1A TO-92
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:320mV @ 200mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):25nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，2V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:165MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2.5A *2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:260mV @ 200mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):25nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，5V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 200mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:35 @ 500mA，10V *5功率-最大值:1.45W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，1V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 1mA，5V *5功率-最大值:450mW *4频率-跃迁:270MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 1mA，5V *5功率-最大值:450mW *4频率-跃迁:270MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA
2电压-集射极击穿(最大值)：45V
6电流-集电极截止(最大值)：500nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：200 @ 1mA，5V
5功率-最大值：450mW
4频率-跃迁：270MHz
|
外壳：TO-226-3,TO-92-3 标准主体(TO-226AA)
封装：TO-92-3
料号：JTG1-8342
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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合作现货:0
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描述：
TRANS NPN 60V 3A LFPAK56
参数：
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：3A
2电压-集射极击穿(最大值)：60V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
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5功率-最大值：1.25W
4频率-跃迁：140MHz
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外壳：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
封装：LFPAK， 电源-SO8
料号：JTG1-8343
包装：
1500个/
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￥1.99
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自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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总额：
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描述：
TRANS NPN 60V 6A SOT-223
参数：
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1晶体管类型：NPN
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5功率-最大值：800mW
4频率-跃迁：100MHz
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外壳：TO-261-4，TO-261AA
封装：SOT-223
料号：JTG1-8344
包装：
1000个/
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￥2.66
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自营现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:320mV @ 200mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):25nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，2V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:165MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2.5A *2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:260mV @ 200mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):25nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，5V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 200mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:35 @ 500mA，10V *5功率-最大值:1.45W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，1V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 1mA，5V *5功率-最大值:450mW *4频率-跃迁:270MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 1mA，5V *5功率-最大值:450mW *4频率-跃迁:270MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:270mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.25W *4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 600mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 1A，2V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:440mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 500mA，2V *5功率-最大值:740mW *4频率-跃迁:200MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
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6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 500mA，2V
5功率-最大值：740mW
4频率-跃迁：200MHz
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外壳：3-WDFN 裸露焊盘
封装：3-WDFN（2X2）
料号：JTG1-8345
包装：
3000个/
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￥2.04
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最小起订:
总额：
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描述：
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1晶体管类型：NPN
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包装：
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|
1晶体管类型：NPN
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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描述：
TRANS NPN 30V 600MA SOT23-3
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1晶体管类型：NPN
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描述：
TRANS NPN 30V 100MA SOT23-3
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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包装：
3000个/
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自营现货:0
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系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:320mV @ 200mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):25nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，2V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:165MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2.5A *2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:260mV @ 200mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):25nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，5V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 200mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:35 @ 500mA，10V *5功率-最大值:1.45W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):- 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制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2.5A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2A，2V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2mA，5V *5功率-最大值:300mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2mA，5V *5功率-最大值:300mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 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*3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:420 @ 2mA，5V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:420 @ 2mA，5V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:100MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA
2电压-集射极击穿(最大值)：45V
6电流-集电极截止(最大值)：15nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：420 @ 2mA，5V
5功率-最大值：250mW
4频率-跃迁：100MHz
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG1-8356
包装：
10000个/
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