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描述：
TRANS PNP 20V 8A SOT223
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:275mV @ 800mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 100mA，2V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:176MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：8A
2电压-集射极击穿(最大值)：20V
6电流-集电极截止(最大值)：50nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：300 @ 100mA，2V
5功率-最大值：3W
4频率-跃迁：176MHz
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外壳：TO-261-4，TO-261AA
封装：SOT-223
料号：JTG1-8717
包装：
1000个/
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￥3.45
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXTP19020DGTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS NPN 400V 2A SOT32
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:275mV @ 800mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 100mA，2V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:176MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 400mA，1.6A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 500mA，5V *5功率-最大值:45W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：2A
2电压-集射极击穿(最大值)：400V
6电流-集电极截止(最大值)：250µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：10 @ 500mA，5V
5功率-最大值：45W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-225AA，TO-126-3
封装：SOT-32-3
料号：JTG1-8718
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STT13005-K' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STT13005-K' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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描述：
TRANS NPN 20V 9A SOT223
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:275mV @ 800mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 100mA，2V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:176MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 400mA，1.6A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 500mA，5V *5功率-最大值:45W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):9A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 450mA，9A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 100mA，2V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:160MHz
|
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：9A
2电压-集射极击穿(最大值)：20V
6电流-集电极截止(最大值)：50nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：300 @ 100mA，2V
5功率-最大值：3W
4频率-跃迁：160MHz
|
外壳：TO-261-4，TO-261AA
封装：SOT-223
料号：JTG1-8719
包装：
1000个/
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￥3.46
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自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXTN19020DGTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS NPN 600V 2A TO-220
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:275mV @ 800mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 100mA，2V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:176MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 400mA，1.6A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 500mA，5V *5功率-最大值:45W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):9A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 450mA，9A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 100mA，2V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):600V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 200mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:4 @ 1A，1V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:11MHz
|
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：2A
2电压-集射极击穿(最大值)：600V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：4 @ 1A，1V
5功率-最大值：50W
4频率-跃迁：11MHz
|
外壳：TO-220-3
封装：TO-220-3
料号：JTG1-8720
包装：
|
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSC5502DTTU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSC5502DTTU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
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描述：
TRANS NPN 400V 4A DPAK
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:275mV @ 800mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 100mA，2V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:176MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 400mA，1.6A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 500mA，5V *5功率-最大值:45W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):9A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 450mA，9A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 100mA，2V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):600V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 200mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:4 @ 1A，1V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:11MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1A，3.5A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 800mA，3V *5功率-最大值:45W *4频率-跃迁:-
|
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：4A
2电压-集射极击穿(最大值)：400V
6电流-集电极截止(最大值)：250µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：25 @ 800mA，3V
5功率-最大值：45W
4频率-跃迁：-
|
外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：D-PAK
料号：JTG1-8721
包装：
2500个/
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￥3.99
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BULD742CT4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BULD742CT4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BULD742CT4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额：
|
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描述：
TRANS NPN 30V 7A SOT223
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:275mV @ 800mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 100mA，2V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:176MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 400mA，1.6A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 500mA，5V *5功率-最大值:45W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):9A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 450mA，9A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 100mA，2V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):600V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 200mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:4 @ 1A，1V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:11MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1A，3.5A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 800mA，3V *5功率-最大值:45W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):7A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 300mA，6.5A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，1V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:140MHz
|
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：7A
2电压-集射极击穿(最大值)：30V
6电流-集电极截止(最大值)：50nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 1A，1V
5功率-最大值：3W
4频率-跃迁：140MHz
|
外壳：TO-261-4，TO-261AA
封装：SOT-223
料号：JTG1-8722
包装：
1000个/
|
￥3.90
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS PNP 140V 4A SOT223
参数：
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1晶体管类型：PNP
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外壳：TO-261-4，TO-261AA
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自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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TRANS PNP 40V 3A SOT223
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外壳：TO-261-4，TO-261AA
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包装：
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￥3.51
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海外现货:0
最小起订:
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描述：
TRANS PNP DARL 100V 12A TO-220
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|
1晶体管类型：PNP - 达林顿
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6电流-集电极截止(最大值)：1mA
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外壳：TO-220-3 整包
封装：TO-220F
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BDW94CFTU' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BDW94CFTU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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最小起订:
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描述：
TRANS NPN 25V 5.5A SOT89
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TRANS NPN 400V 4A DPAK
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包装：
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1晶体管类型：NPN
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6电流-集电极截止(最大值)：250µA
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品牌：
ROHM/罗姆
Rohm Semiconductor
罗姆半导体
描述：
TRANS NPN 80V 2A
参数：
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包装：
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描述：
TRANS PNP 50V 10A TP-FA
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：10A
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6电流-集电极截止(最大值)：10µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：200 @ 1A，2V
5功率-最大值：950mW
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外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：2-TP-FA
料号：JTG1-8732
包装：
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描述：
TRANS NPN 500V 5A TO220F
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1晶体管类型：NPN
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5功率-最大值：40W
4频率-跃迁：15MHz
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外壳：TO-220-3 整包
封装：TO-220F
料号：JTG1-8733
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描述：
TRANS NPN 30V 7A SOT-223
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：7A
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6电流-集电极截止(最大值)：20nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 1A，1V
5功率-最大值：3W
4频率-跃迁：140MHz
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外壳：TO-261-4，TO-261AA
封装：SOT-223
料号：JTG1-8734
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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海外现货:0
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描述：
TRANS NPN 80V 10A D2PAK-3
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:275mV @ 800mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 100mA，2V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:176MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 400mA，1.6A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 500mA，5V *5功率-最大值:45W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):9A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 450mA，9A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 100mA，2V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):600V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 200mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:4 @ 1A，1V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:11MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1A，3.5A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 800mA，3V *5功率-最大值:45W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):7A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 300mA，6.5A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，1V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:360mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，5V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 10mA，2V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 100mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 5A，3V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5.5A *2电压-集射极击穿(最大值):25V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 150mA，6.5A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 1A，1V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5.8A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 290mA，5.8A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:250 @ 2A，2V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，2V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.3V @ 1A，4A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 1A，5V *5功率-最大值:35W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:8 @ 2A，5V *5功率-最大值:20W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 100mA，3V *5功率-最大值:10W *4频率-跃迁:280MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:580mV @ 250mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 1A，2V *5功率-最大值:950mW *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):500V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 600mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 600mA，5V *5功率-最大值:40W *4频率-跃迁:15MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):7A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 300mA，6.5A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，1V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:140MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN
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外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：D2PAK
料号：JTG1-8735
包装：
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描述：
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:275mV @ 800mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 100mA，2V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:176MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 400mA，1.6A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 500mA，5V *5功率-最大值:45W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):9A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 450mA，9A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 100mA，2V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):600V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 200mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:4 @ 1A，1V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:11MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1A，3.5A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 800mA，3V *5功率-最大值:45W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):7A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:220mV @ 300mA，6.5A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，1V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:360mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，5V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 50mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 10mA，2V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 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1晶体管类型：
3电流-集电极(ic)(最大值)：
2电压-集射极击穿(最大值)：
6电流-集电极截止(最大值)：
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：
5功率-最大值：
4频率-跃迁：
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自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVGS5120PT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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合作现货:0
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海外现货:0
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