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描述：
TRANS NPN 100V 3A DPAK
参数：
系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:15W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：3A
2电压-集射极击穿(最大值)：100V
6电流-集电极截止(最大值)：50µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：10 @ 3A，4V
5功率-最大值：15W
4频率-跃迁：-
|
外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：D-PAK
料号：JTG1-8737
包装：
2500个/
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￥1.85
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS PNP 100V 2A E-LINE
参数：
系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:15W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:140MHz
|
1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：2A
2电压-集射极击穿(最大值)：100V
6电流-集电极截止(最大值)：10µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：-
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：140MHz
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外壳：E-LINE-3，成型引线
封装：E-LINE（TO-92 兼容）
料号：JTG1-8738
包装：
1个/
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￥12.36
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX753STZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS NPN 400V 2.5A DPAK
参数：
系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:15W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2.5A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 600mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 450mA，3V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:-
|
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：2.5A
2电压-集射极击穿(最大值)：400V
6电流-集电极截止(最大值)：250µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：25 @ 450mA，3V
5功率-最大值：30W
4频率-跃迁：-
|
外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：D-PAK
料号：JTG1-8739
包装：
2500个/
|
￥3.99
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最小起订:
总额：
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描述：
TRANS PNP 40V 5.5A SOT89
参数：
系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:15W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2.5A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 600mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 450mA，3V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5.5A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:185mV @ 550mA，5.5A *6电流-集电极截止(最大值):20nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 500mA，2V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:152MHz
|
1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：5.5A
2电压-集射极击穿(最大值)：40V
6电流-集电极截止(最大值)：20nA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：200 @ 500mA，2V
5功率-最大值：2.1W
4频率-跃迁：152MHz
|
外壳：TO-243AA
封装：SOT-89-3
料号：JTG1-8740
包装：
1000个/
|
￥3.65
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|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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自营现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS NPN 100V 4A TP-FA
参数：
系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:15W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2.5A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 600mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 450mA，3V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5.5A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:185mV @ 550mA，5.5A *6电流-集电极截止(最大值):20nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 500mA，2V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:152MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 500mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:180MHz
|
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：4A
2电压-集射极击穿(最大值)：100V
6电流-集电极截止(最大值)：1µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：200 @ 500mA，5V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：180MHz
|
外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：2-TP-FA
料号：JTG1-8741
包装：
700个/
|
￥5.64
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SD1816T-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SD1816T-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额：
|
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描述：
TRANS PNP 140V 3A SOT89
参数：
系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:15W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2.5A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 600mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 450mA，3V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5.5A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:185mV @ 550mA，5.5A *6电流-集电极截止(最大值):20nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 500mA，2V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:152MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 500mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:330mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，5V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:120MHz
|
1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：3A
2电压-集射极击穿(最大值)：140V
6电流-集电极截止(最大值)：20nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 1A，5V
5功率-最大值：2.1W
4频率-跃迁：120MHz
|
外壳：TO-243AA
封装：SOT-89-3
料号：JTG1-8742
包装：
1000个/
|
￥3.65
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXTP2014ZTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXTP2014ZTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额：
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品牌：
ROHM/罗姆
Rohm Semiconductor
罗姆半导体
描述：
TRANS PNP 80V 1A SOT-428
参数：
系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:15W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2.5A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 600mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 450mA，3V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5.5A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:185mV @ 550mA，5.5A *6电流-集电极截止(最大值):20nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 500mA，2V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:152MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 500mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:330mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，5V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 100mA，3V *5功率-最大值:10W *4频率-跃迁:100MHz
|
1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
2电压-集射极击穿(最大值)：80V
6电流-集电极截止(最大值)：1µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：120 @ 100mA，3V
5功率-最大值：10W
4频率-跃迁：100MHz
|
外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：CPT3
料号：JTG1-8743
包装：
2500个/
|
￥3.66
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SB1181TLR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS PNP 100V 3.5A SOT89
参数：
系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:15W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2.5A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 600mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 450mA，3V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5.5A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:185mV @ 550mA，5.5A *6电流-集电极截止(最大值):20nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 500mA，2V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:152MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 500mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:330mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，5V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 100mA，3V *5功率-最大值:10W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3.5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 400mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，1V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:125MHz
|
1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：3.5A
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5功率-最大值：2.1W
4频率-跃迁：125MHz
|
外壳：TO-243AA
封装：SOT-89-3
料号：JTG1-8744
包装：
1000个/
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￥3.10
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自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXTP2013ZTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXTP2013ZTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS PNP DARL 80V 4A SOT-32
参数：
系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:15W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2.5A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 600mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 450mA，3V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5.5A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:185mV @ 550mA，5.5A *6电流-集电极截止(最大值):20nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 500mA，2V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:152MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 500mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:330mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，5V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 100mA，3V *5功率-最大值:10W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3.5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 400mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，1V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:125MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.8V @ 40mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):500µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 2A，3V *5功率-最大值:40W *4频率-跃迁:-
|
1晶体管类型：PNP - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：4A
2电压-集射极击穿(最大值)：80V
6电流-集电极截止(最大值)：500µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：750 @ 2A，3V
5功率-最大值：40W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-225AA，TO-126-3
封装：SOT-32-3
料号：JTG1-8745
包装：
|
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自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BD680A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BD680A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BD680A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
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描述：
TRANS PNP 60V 3A SOT-223
参数：
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描述：
TRANS NPN 7V 0.01A SMINI-3
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封装：S迷你型3-G1
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最小起订:
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描述：
TRANS NPN 60V 8A SOT-223
参数：
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：8A
2电压-集射极击穿(最大值)：60V
6电流-集电极截止(最大值)：10µA（ICBO）
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5功率-最大值：1.5W
4频率-跃迁：50MHz
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外壳：TO-261-4，TO-261AA
封装：SOT-223-4
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￥3.87
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS PNP 140V 3A SOT-89
参数：
系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:15W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2.5A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 600mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 450mA，3V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5.5A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:185mV @ 550mA，5.5A *6电流-集电极截止(最大值):20nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 500mA，2V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:152MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 500mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:330mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，5V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 100mA，3V *5功率-最大值:10W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3.5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 400mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，1V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:125MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.8V @ 40mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):500µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 2A，3V *5功率-最大值:40W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 500mA，2V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):10mA *2电压-集射极击穿(最大值):7V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 1mA，1V *5功率-最大值:50mW *4频率-跃迁:4GHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:330mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，5V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:120MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：3A
2电压-集射极击穿(最大值)：140V
6电流-集电极截止(最大值)：20nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 1A，5V
5功率-最大值：2.1W
4频率-跃迁：120MHz
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外壳：TO-243AA
封装：SOT-89-3
料号：JTG1-8749
包装：
1000个/
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￥3.71
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自营现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额：
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品牌：
ROHM/罗姆
Rohm Semiconductor
罗姆半导体
描述：
TRANS PNP 160V 1.5A SOT-428
参数：
系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:15W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2.5A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 600mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 450mA，3V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5.5A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:185mV @ 550mA，5.5A *6电流-集电极截止(最大值):20nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 500mA，2V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:152MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 500mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:330mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，5V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 100mA，3V *5功率-最大值:10W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3.5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 400mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，1V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:125MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.8V @ 40mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):500µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 2A，3V *5功率-最大值:40W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 500mA，2V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):10mA *2电压-集射极击穿(最大值):7V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 1mA，1V *5功率-最大值:50mW *4频率-跃迁:4GHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:330mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，5V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):160V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:82 @ 100mA，5V *5功率-最大值:10W *4频率-跃迁:50MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：1.5A
2电压-集射极击穿(最大值)：160V
6电流-集电极截止(最大值)：1µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：82 @ 100mA，5V
5功率-最大值：10W
4频率-跃迁：50MHz
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外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：CPT3
料号：JTG1-8750
包装：
2500个/
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￥4.18
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SB1275TLP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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最小起订:
总额：
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描述：
TRANS PNP 140V 4A SOT-223
参数：
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1晶体管类型：PNP
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外壳：TO-261-4，TO-261AA
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描述：
TRANS NPN 400V 4A TO-220
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1晶体管类型：NPN
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描述：
TRANS NPN 150V 1A E-LINE
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1晶体管类型：-
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外壳：E-LINE-3
封装：E-LINE（TO-92 兼容）
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海外现货:0
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品牌：
ROHM/罗姆
Rohm Semiconductor
罗姆半导体
描述：
TRANS PNP 50V 1A MPT3
参数：
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达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.8V @ 40mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):500µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 2A，3V *5功率-最大值:40W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 500mA，2V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):10mA *2电压-集射极击穿(最大值):7V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 1mA，1V *5功率-最大值:50mW *4频率-跃迁:4GHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:330mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，5V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):160V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:82 @ 100mA，5V *5功率-最大值:10W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:360mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，5V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 700mA，3.5A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 2A，5V *5功率-最大值:65W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5.5A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:210mV @ 500mA，5.5A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，1V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:110MHz 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 25mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 50mA，2V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:400MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
2电压-集射极击穿(最大值)：50V
6电流-集电极截止(最大值)：1µA（ICBO）
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5功率-最大值：2W
4频率-跃迁：400MHz
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外壳：TO-243AA
封装：MPT3
料号：JTG1-8755
包装：
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描述：
TRANS NPN 80V 8A DPAK
参数：
系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:15W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2.5A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 600mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 450mA，3V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5.5A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:185mV @ 550mA，5.5A *6电流-集电极截止(最大值):20nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 500mA，2V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:152MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 500mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:330mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，5V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 100mA，3V *5功率-最大值:10W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3.5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 400mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，1V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:125MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.8V @ 40mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):500µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 2A，3V *5功率-最大值:40W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 500mA，2V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):10mA *2电压-集射极击穿(最大值):7V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 1mA，1V *5功率-最大值:50mW *4频率-跃迁:4GHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 4A，1V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:330mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，5V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):160V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:82 @ 100mA，5V *5功率-最大值:10W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):140V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:360mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，5V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 700mA，3.5A *6电流-集电极截止(最大值):250µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 2A，5V *5功率-最大值:65W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5.5A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:210mV @ 500mA，5.5A *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1A，1V *5功率-最大值:3W *4频率-跃迁:110MHz 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 25mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 50mA，2V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:400MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A *6电流-集电极截止(最大值):1µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:60 @ 2A，1V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:85MHz
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1晶体管类型：NPN
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5功率-最大值：1.75W
4频率-跃迁：85MHz
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外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：DPAK-3
料号：JTG1-8756
包装：
2500个/
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￥3.39
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自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NJVMJD44H11T4G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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合作现货:0
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海外现货:0
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