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描述：
TRANS NPN 50V 0.1A SOT523
参数：
系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:110mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:430 @ 100µA，5V *5功率-最大值:350mW *4频率-跃迁:100MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA
2电压-集射极击穿(最大值)：50V
6电流-集电极截止(最大值)：50nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：430 @ 100µA，5V
5功率-最大值：350mW
4频率-跃迁：100MHz
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外壳：SOT-523
封装：SOT-523
料号：JTG1-9096
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMUT5088E TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMUT5088E TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMUT5088E TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMUT5088E TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
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描述：
TRANS NPN DARL 100V 0.9A SOT23-3
参数：
系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:110mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:430 @ 100µA，5V *5功率-最大值:350mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):900mA *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:960mV @ 5mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20000 @ 100mA，5V *5功率-最大值:806mW *4频率-跃迁:140MHz
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1晶体管类型：NPN - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：900mA
2电压-集射极击穿(最大值)：100V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：20000 @ 100mA，5V
5功率-最大值：806mW
4频率-跃迁：140MHz
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：JTG1-9097
包装：
3000个/
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￥1.91
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMMT634QTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMMT634QTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS NPN 60V 5A SOT-89
参数：
系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:110mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:430 @ 100µA，5V *5功率-最大值:350mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):900mA *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:960mV @ 5mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20000 @ 100mA，5V *5功率-最大值:806mW *4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:305mV @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，2V *5功率-最大值:2.4W *4频率-跃迁:185MHz
|
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：5A
2电压-集射极击穿(最大值)：60V
6电流-集电极截止(最大值)：50nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 10mA，2V
5功率-最大值：2.4W
4频率-跃迁：185MHz
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外壳：TO-243AA
封装：SOT-89-3
料号：JTG1-9098
包装：
1000个/
|
￥2.29
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXTN25060BZTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXTN25060BZTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXTN25060BZTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS NPN 15V 3A SOT23-3
参数：
系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:110mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:430 @ 100µA，5V *5功率-最大值:350mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):900mA *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:960mV @ 5mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20000 @ 100mA，5V *5功率-最大值:806mW *4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:305mV @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，2V *5功率-最大值:2.4W *4频率-跃迁:185MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 150mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 200mA，2V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:145MHz
|
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：3A
2电压-集射极击穿(最大值)：15V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：300 @ 200mA，2V
5功率-最大值：625mW
4频率-跃迁：145MHz
|
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG1-9099
包装：
3000个/
|
￥1.95
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|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS PNP 60V 4A SOT223-4
参数：
系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:110mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:430 @ 100µA，5V *5功率-最大值:350mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):900mA *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:960mV @ 5mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20000 @ 100mA，5V *5功率-最大值:806mW *4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:305mV @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，2V *5功率-最大值:2.4W *4频率-跃迁:185MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 150mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 200mA，2V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:145MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:75MHz
|
1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：4A
2电压-集射极击穿(最大值)：60V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 2A，2V
5功率-最大值：1.2W
4频率-跃迁：75MHz
|
外壳：TO-261-4，TO-261AA
封装：SOT-223-4
料号：JTG1-9100
包装：
|
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|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NZT751' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NZT751' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NZT751' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
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描述：
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
参数：
系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:110mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:430 @ 100µA，5V *5功率-最大值:350mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):900mA *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:960mV @ 5mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20000 @ 100mA，5V *5功率-最大值:806mW *4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:305mV @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，2V *5功率-最大值:2.4W *4频率-跃迁:185MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 150mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 200mA，2V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:145MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:75MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 2A，3V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:25MHz
|
1晶体管类型：PNP - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：2A
2电压-集射极击穿(最大值)：100V
6电流-集电极截止(最大值)：20µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：1000 @ 2A，3V
5功率-最大值：1.75W
4频率-跃迁：25MHz
|
外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：DPAK-3
料号：JTG1-9101
包装：
2500个/
|
￥3.06
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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描述：
TRANS NPN 100V 3A DPAK
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外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
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合作现货:0
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描述：
TRANS PNP 100V 3A DPAK
参数：
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1晶体管类型：PNP
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外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
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包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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海外现货:0
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描述：
TRANS NPN 12V 6A SOT23-3
参数：
系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:110mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:430 @ 100µA，5V *5功率-最大值:350mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):900mA *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:960mV @ 5mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20000 @ 100mA，5V *5功率-最大值:806mW *4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:305mV @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，2V *5功率-最大值:2.4W *4频率-跃迁:185MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 150mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 200mA，2V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:145MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:75MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 2A，3V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:1.56W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:1.56W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:190mV @ 120mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:500 @ 10mA，2V *5功率-最大值:1.25W *4频率-跃迁:260MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：6A
2电压-集射极击穿(最大值)：12V
6电流-集电极截止(最大值)：50nA（ICBO）
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5功率-最大值：1.25W
4频率-跃迁：260MHz
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG1-9104
包装：
3000个/
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￥2.35
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最小起订:
总额：
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品牌：
ROHM/罗姆
Rohm Semiconductor
罗姆半导体
描述：
TRANS NPN 80V 1.5A SOT-89
参数：
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描述：
TRANS PNP 100V 3A TO252-3L
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外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
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包装：
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最小起订:
总额：
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描述：
TRANS PNP 30V 5.1A SOT89
参数：
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描述：
TRANS NPN 60V 4.7A SOT89
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4频率-跃迁：130MHz
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外壳：TO-243AA
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料号：JTG1-9108
包装：
1000个/
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最小起订:
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描述：
TRANS NPN 12V 5.3A SOT89
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系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:110mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:430 @ 100µA，5V *5功率-最大值:350mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):900mA *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:960mV @ 5mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20000 @ 100mA，5V *5功率-最大值:806mW *4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:305mV @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，2V *5功率-最大值:2.4W *4频率-跃迁:185MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 150mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 200mA，2V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:145MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:75MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 2A，3V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:1.56W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:1.56W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:190mV @ 120mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:500 @ 10mA，2V *5功率-最大值:1.25W *4频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 25mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 100mA，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):1µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:15W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5.1A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:230mV @ 255mA，5.1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2A，2V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4.7A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:245mV @ 235mA，4.7A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:250 @ 2A，2V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5.3A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 265mA，5.3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:250 @ 2A，2V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:140MHz
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1晶体管类型：NPN
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TRANS NPN DARL 60V 1A SOT89
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1晶体管类型：NPN - 达林顿
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5功率-最大值：1.3W
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外壳：TO-243AA
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料号：JTG1-9110
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描述：
TRANS NPN DARL 100V 1.5A SOT223
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系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:110mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:430 @ 100µA，5V *5功率-最大值:350mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):900mA *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:960mV @ 5mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20000 @ 100mA，5V *5功率-最大值:806mW *4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:305mV @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，2V *5功率-最大值:2.4W *4频率-跃迁:185MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 150mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 200mA，2V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:145MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:75MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 2A，3V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:1.56W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:1.56W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:190mV @ 120mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:500 @ 10mA，2V *5功率-最大值:1.25W *4频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 25mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 100mA，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):1µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:15W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5.1A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:230mV @ 255mA，5.1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2A，2V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4.7A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:245mV @ 235mA，4.7A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:250 @ 2A，2V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5.3A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 265mA，5.3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:250 @ 2A，2V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:140MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.3V @ 500µA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 500mA，10V *5功率-最大值:1.3W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 100µA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 1A，5V *5功率-最大值:1.25W *4频率-跃迁:200MHz
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1晶体管类型：NPN - 达林顿
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外壳：TO-261-4，TO-261AA
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料号：JTG1-9111
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￥2.43
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描述：
TRANS NPN 400V 3A DPAK
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外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
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包装：
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描述：
TRANS NPN 45V 0.5A SC-74
参数：
系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:110mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:430 @ 100µA，5V *5功率-最大值:350mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):900mA *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:960mV @ 5mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20000 @ 100mA，5V *5功率-最大值:806mW *4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:305mV @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，2V *5功率-最大值:2.4W *4频率-跃迁:185MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 150mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 200mA，2V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:145MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:75MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 2A，3V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:1.56W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:1.56W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:190mV @ 120mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:500 @ 10mA，2V *5功率-最大值:1.25W *4频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 25mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 100mA，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):1µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:15W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5.1A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:230mV @ 255mA，5.1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2A，2V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4.7A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:245mV @ 235mA，4.7A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:250 @ 2A，2V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5.3A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 265mA，5.3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:250 @ 2A，2V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:140MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.3V @ 500µA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 500mA，10V *5功率-最大值:1.3W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 100µA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 1A，5V *5功率-最大值:1.25W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 400mA，3V *5功率-最大值:1.25W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 100mA，1V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:170MHz
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1晶体管类型：NPN
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5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：170MHz
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外壳：SC-74，SOT-457
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描述：
TRANS PNP 50V 3A 6TSOP
参数：
系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:110mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:430 @ 100µA，5V *5功率-最大值:350mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):900mA *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:960mV @ 5mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20000 @ 100mA，5V *5功率-最大值:806mW *4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:305mV @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，2V *5功率-最大值:2.4W *4频率-跃迁:185MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 150mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 200mA，2V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:145MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:75MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 2A，3V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:1.56W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:1.56W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:190mV @ 120mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:500 @ 10mA，2V *5功率-最大值:1.25W *4频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 25mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 100mA，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):1µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:15W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5.1A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:230mV @ 255mA，5.1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2A，2V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4.7A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:245mV @ 235mA，4.7A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:250 @ 2A，2V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5.3A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 265mA，5.3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:250 @ 2A，2V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:140MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.3V @ 500µA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 500mA，10V *5功率-最大值:1.3W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 100µA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 1A，5V *5功率-最大值:1.25W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 400mA，3V *5功率-最大值:1.25W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 100mA，1V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:170MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，2V *5功率-最大值:750mW *4频率-跃迁:100MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：3A
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7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 2A，2V
5功率-最大值：750mW
4频率-跃迁：100MHz
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外壳：SC-74，SOT-457
封装：6-TSOP
料号：JTG1-9114
包装：
3000个/
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￥0.98
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最小起订:
总额：
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描述：
TRANS PNP 50V 3A 6TSOP
参数：
系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:110mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:430 @ 100µA，5V *5功率-最大值:350mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):900mA *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:960mV @ 5mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20000 @ 100mA，5V *5功率-最大值:806mW *4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:305mV @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，2V *5功率-最大值:2.4W *4频率-跃迁:185MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 150mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:300 @ 200mA，2V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:145MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:75MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):20µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 2A，3V *5功率-最大值:1.75W *4频率-跃迁:25MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:1.56W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:1.56W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):6A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:190mV @ 120mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:500 @ 10mA，2V *5功率-最大值:1.25W *4频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 25mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 100mA，3V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):1µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 3A，4V *5功率-最大值:15W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5.1A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:230mV @ 255mA，5.1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2A，2V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4.7A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:245mV @ 235mA，4.7A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:250 @ 2A，2V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5.3A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 265mA，5.3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:250 @ 2A，2V *5功率-最大值:2.1W *4频率-跃迁:140MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.3V @ 500µA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 500mA，10V *5功率-最大值:1.3W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 100µA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 1A，5V *5功率-最大值:1.25W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 400mA，3V *5功率-最大值:1.25W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 100mA，1V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:170MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，2V *5功率-最大值:750mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 2A，2V *5功率-最大值:750mW *4频率-跃迁:100MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：3A
2电压-集射极击穿(最大值)：50V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 2A，2V
5功率-最大值：750mW
4频率-跃迁：100MHz
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外壳：SC-74，SOT-457
封装：6-TSOP
料号：JTG1-9115
包装：
3000个/
圆盘
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