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描述：
TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:150 @ 500mA，2V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:100MHz
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1晶体管类型：PNP
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2电压-集射极击穿(最大值)：30V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
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5功率-最大值：500mW
4频率-跃迁：100MHz
|
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG1-9116
包装：
3000个/
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￥1.26
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最小起订:
总额：
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描述：
TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:150 @ 500mA，2V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:310mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:220 @ 1A，2V *5功率-最大值:600mW *4频率-跃迁:220MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：2A
2电压-集射极击穿(最大值)：20V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
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5功率-最大值：600mW
4频率-跃迁：220MHz
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG1-9117
包装：
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海外现货:0
最小起订:
咨询客服
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描述：
TRANS NPN 12V 2A SOT89-3
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:150 @ 500mA，2V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:310mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:220 @ 1A，2V *5功率-最大值:600mW *4频率-跃迁:220MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:180mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:270 @ 200mA，2V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:170MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：2A
2电压-集射极击穿(最大值)：12V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
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5功率-最大值：900mW
4频率-跃迁：170MHz
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外壳：TO-243AA
封装：SOT-89-3
料号：JTG1-9118
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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海外现货:0
最小起订:
咨询客服
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品牌：
ROHM/罗姆
Rohm Semiconductor
罗姆半导体
描述：
TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:150 @ 500mA，2V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:310mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:220 @ 1A，2V *5功率-最大值:600mW *4频率-跃迁:220MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:180mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:270 @ 200mA，2V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:170MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):300mA *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 100µA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10000 @ 100mA，5V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:200MHz
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1晶体管类型：NPN - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：300mA
2电压-集射极击穿(最大值)：30V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：10000 @ 100mA，5V
5功率-最大值：200mW
4频率-跃迁：200MHz
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SMT3
料号：JTG1-9119
包装：
3000个/
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￥1.47
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自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS NPN 20V 3A SOT89
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:150 @ 500mA，2V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:310mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:220 @ 1A，2V *5功率-最大值:600mW *4频率-跃迁:220MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:180mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:270 @ 200mA，2V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:170MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):300mA *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 100µA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10000 @ 100mA，5V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:310mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.6W *4频率-跃迁:100MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：3A
2电压-集射极击穿(最大值)：20V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：200 @ 2A，2V
5功率-最大值：1.6W
4频率-跃迁：100MHz
|
外壳：TO-243AA
封装：SOT-89-3
料号：JTG1-9120
包装：
4000个/
圆盘
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￥1.14
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBSS4320X,135' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS PNP 20V 1A SOT89-3
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:150 @ 500mA，2V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:310mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:220 @ 1A，2V *5功率-最大值:600mW *4频率-跃迁:220MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:180mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:270 @ 200mA，2V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:170MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):300mA *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 100µA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10000 @ 100mA，5V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:310mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.6W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:85 @ 500mA，1V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:200MHz
|
1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
2电压-集射极击穿(最大值)：20V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
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5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：200MHz
|
外壳：TO-243AA
封装：SOT-89-3
料号：JTG1-9121
包装：
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自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DCX69-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
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描述：
TRANS PNP 30V 2A SOT89-3
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:150 @ 500mA，2V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:310mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:220 @ 1A，2V *5功率-最大值:600mW *4频率-跃迁:220MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:180mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:270 @ 200mA，2V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:170MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):300mA *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 100µA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10000 @ 100mA，5V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:310mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.6W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:85 @ 500mA，1V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 75mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:270 @ 200mA，2V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:200MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：2A
2电压-集射极击穿(最大值)：30V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：270 @ 200mA，2V
5功率-最大值：900mW
4频率-跃迁：200MHz
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外壳：TO-243AA
封装：SOT-89-3
料号：JTG1-9122
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2DB1714-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2DB1714-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2DB1714-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS PNP 100V 1A 6TSOP
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:150 @ 500mA，2V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:310mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:220 @ 1A，2V *5功率-最大值:600mW *4频率-跃迁:220MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:180mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:270 @ 200mA，2V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:170MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):300mA *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 100µA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10000 @ 100mA，5V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:310mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.6W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:85 @ 500mA，1V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 75mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:270 @ 200mA，2V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:320mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:150 @ 500mA，5V *5功率-最大值:700mW *4频率-跃迁:100MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
2电压-集射极击穿(最大值)：100V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：150 @ 500mA，5V
5功率-最大值：700mW
4频率-跃迁：100MHz
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外壳：SC-74，SOT-457
封装：6-TSOP
料号：JTG1-9123
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PBSS9110D,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBSS9110D,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBSS9110D,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBSS9110D,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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描述：
TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:150 @ 500mA，2V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:310mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:220 @ 1A，2V *5功率-最大值:600mW *4频率-跃迁:220MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:180mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:270 @ 200mA，2V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:170MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):300mA *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 100µA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10000 @ 100mA，5V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:310mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.6W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:85 @ 500mA，1V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 75mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:270 @ 200mA，2V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:320mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:150 @ 500mA，5V *5功率-最大值:700mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:180mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:250 @ 500mA，2V *5功率-最大值:460mW *4频率-跃迁:100MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：2A
2电压-集射极击穿(最大值)：12V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：250 @ 500mA，2V
5功率-最大值：460mW
4频率-跃迁：100MHz
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG1-9124
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSS12200LT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSS12200LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSS12200LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSS12200LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS PNP 12V 1.25A SC70-3
参数：
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ROHM/罗姆
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罗姆半导体
描述：
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料号：JTG1-9127
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海外现货:0
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总额：
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描述：
TRANS PNP 30V 2A SOT23
参数：
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：2A
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5功率-最大值：480mW
4频率-跃迁：200MHz
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG1-9128
包装：
3000个/
圆盘
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￥0.95
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合作现货:0
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最小起订:
总额：
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描述：
TRANS PNP 40V 2A 6TSSOP
参数：
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：2A
2电压-集射极击穿(最大值)：40V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：210 @ 1A，2V
5功率-最大值：430mW
4频率-跃迁：100MHz
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外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-TSSOP
料号：JTG1-9129
包装：
10000个/
圆盘
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PBSS5240Y,135' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBSS5240Y,135' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBSS5240Y,135' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS PNP 40V 2A 6TSSOP
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描述：
TRANS NPN 20V 4A 6TSOP
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TRANS PNP 20V 4A 6TSOP
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外壳：SC-74，SOT-457
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料号：JTG1-9132
包装：
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总额：
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品牌：
ROHM/罗姆
Rohm Semiconductor
罗姆半导体
描述：
TRANS PNP DARL 32V 0.3A SOT-346
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:150 @ 500mA，2V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:310mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:220 @ 1A，2V *5功率-最大值:600mW *4频率-跃迁:220MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:180mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:270 @ 200mA，2V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:170MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):300mA *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 100µA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10000 @ 100mA，5V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:310mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.6W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:85 @ 500mA，1V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 75mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:270 @ 200mA，2V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:320mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:150 @ 500mA，5V *5功率-最大值:700mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:180mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:250 @ 500mA，2V *5功率-最大值:460mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1.25A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:240mV @ 100mA，1.25A *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 500mA，2V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:220MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:270 @ 100mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):300nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:820 @ 1mA，5V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 1A，2V *5功率-最大值:480mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:210 @ 1A，2V *5功率-最大值:430mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:210 @ 1A，2V *5功率-最大值:430mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.1V @ 400mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:250 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.1W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:420mV @ 600mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.1W *4频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):300mA *2电压-集射极击穿(最大值):32V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 400µA，200mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 100mA，5V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:200MHz
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1晶体管类型：PNP - 达林顿
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5功率-最大值：200mW
4频率-跃迁：200MHz
|
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SMT3
料号：JTG1-9133
包装：
3000个/
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合作现货:0
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描述：
TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
参数：
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TRANS PNP 50V 0.1A DFN1006H4-3
参数：
系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:150 @ 500mA，2V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:310mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:220 @ 1A，2V *5功率-最大值:600mW *4频率-跃迁:220MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:180mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:270 @ 200mA，2V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:170MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):300mA *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 100µA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10000 @ 100mA，5V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:310mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.6W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:85 @ 500mA，1V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:370mV @ 75mA，1.5A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:270 @ 200mA，2V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:320mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:150 @ 500mA，5V *5功率-最大值:700mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:180mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:250 @ 500mA，2V *5功率-最大值:460mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1.25A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:240mV @ 100mA，1.25A *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 500mA，2V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:220MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:270 @ 100mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):300nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:820 @ 1mA，5V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 1A，2V *5功率-最大值:480mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:210 @ 1A，2V *5功率-最大值:430mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:210 @ 1A，2V *5功率-最大值:430mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.1V @ 400mA，4A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:250 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.1W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:420mV @ 600mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.1W *4频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):300mA *2电压-集射极击穿(最大值):32V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 400µA，200mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 100mA，5V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2mA，6V *5功率-最大值:450mW *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2mA，6V *5功率-最大值:450mW *4频率-跃迁:80MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA
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5功率-最大值：450mW
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外壳：3-XFDFN
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包装：
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