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描述：
TRANS NPN 60V 1A SOT223
参数：
系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：-
3电流-集电极(ic)(最大值)：-
2电压-集射极击穿(最大值)：-
6电流-集电极截止(最大值)：-
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：-
5功率-最大值：-
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-261-4，TO-261AA
封装：SOT-223
料号：JTG1-9411
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BCP5510TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
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描述：
TRANS PNP 60V 1.5A TO126-3
参数：
系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1.25W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：1.5A
2电压-集射极击穿(最大值)：60V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：63 @ 150mA，2V
5功率-最大值：1.25W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-225AA，TO-126-3
封装：TO-126
料号：JTG1-9412
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BD13810STU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS NPN 45V 1A SOT89
参数：
系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1.25W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
2电压-集射极击穿(最大值)：45V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 150mA，2V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：150MHz
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外壳：TO-243AA
封装：SOT-89
料号：JTG1-9413
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BCX54TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BCX54TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS PNP 45V 1A SOT89
参数：
系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1.25W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1.3W *4频率-跃迁:145MHz
|
1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
2电压-集射极击穿(最大值)：45V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：63 @ 150mA，2V
5功率-最大值：1.3W
4频率-跃迁：145MHz
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外壳：TO-243AA
封装：SOT-89-3
料号：JTG1-9414
包装：
1000个/
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￥1.18
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BCX51-10,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BCX51-10,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS PNP 80V 1A SOT223
参数：
系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1.25W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1.3W *4频率-跃迁:145MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，2V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:150MHz
|
1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
2电压-集射极击穿(最大值)：80V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 150mA，2V
5功率-最大值：2W
4频率-跃迁：150MHz
|
外壳：TO-261-4，TO-261AA
封装：SOT-223
料号：JTG1-9415
包装：
1000个/
|
￥0.91
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BCP5316TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BCP5316TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS PNP 60V 1A SOT89
参数：
系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1.25W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1.3W *4频率-跃迁:145MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，2V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz
|
1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
2电压-集射极击穿(最大值)：60V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 150mA，2V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：150MHz
|
外壳：TO-243AA
封装：SOT-89
料号：JTG1-9416
包装：
|
array(5) {
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string(1) "0"
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BCX52TA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BCX52TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BCX52TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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描述：
TRANS NPN 45V 1A SOT89
参数：
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描述：
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圆盘
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TRANS NPN 60V 1A SOT223
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￥1.08
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总额：
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描述：
TRANS NPN 450V 3.2A TO126
参数：
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外壳：TO-225AA，TO-126-3
封装：TO-126
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包装：
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自营现货:0
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品牌：
ROHM/罗姆
Rohm Semiconductor
罗姆半导体
描述：
TRANS PNP 12V 1.5A SOT-323
参数：
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1晶体管类型：PNP
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5功率-最大值：200mW
4频率-跃迁：400MHz
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外壳：SC-70，SOT-323
封装：UMT3
料号：JTG1-9424
包装：
3000个/
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￥1.36
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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合作现货:0
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总额：
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描述：
TRANS NPN DARL 30V 500MA TO236AB
参数：
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1晶体管类型：NPN - 达林顿
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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料号：JTG1-9425
包装：
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描述：
TRANS NPN 45V 1.5A TO-126
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最小起订:
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品牌：
ROHM/罗姆
Rohm Semiconductor
罗姆半导体
描述：
TRANS NPN 11V 0.05A SOT-416
参数：
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：50mA
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外壳：SC-75，SOT-416
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料号：JTG1-9427
包装：
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描述：
TRANS NPN 60V 3A 3HUSON
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：3A
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6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：200 @ 1A，5V
5功率-最大值：600mW
4频率-跃迁：160MHz
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外壳：6-UDFN 裸露焊盘
封装：DFN2020D-3
料号：JTG1-9428
包装：
3000个/
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￥1.65
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最小起订:
总额：
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描述：
TRANS PNP 60V 1A TO236AB
参数：
系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1.25W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1.3W *4频率-跃迁:145MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，2V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1.35W *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1.35W *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，2V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，2V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3.2A *2电压-集射极击穿(最大值):450V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 750mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:8 @ 2A，5V *5功率-最大值:20W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 25mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:270 @ 200mA，2V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:400MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 100µA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20000 @ 100mA，5V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:125MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1.25W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):50mA *2电压-集射极击穿(最大值):11V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，10mA *6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:56 @ 5mA，10V *5功率-最大值:150mW *4频率-跃迁:3.2GHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:325mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 1A，5V *5功率-最大值:600mW *4频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:330mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:150 @ 500mA，5V *5功率-最大值:400mW *4频率-跃迁:220MHz
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1晶体管类型：PNP
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6电流-集电极截止(最大值)：100nA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：150 @ 500mA，5V
5功率-最大值：400mW
4频率-跃迁：220MHz
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG1-9429
包装：
3000个/
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描述：
TRANS NPN 20V 1A SOT-223
参数：
系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1.25W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1.3W *4频率-跃迁:145MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，2V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1.35W *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1.35W *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，2V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，2V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3.2A *2电压-集射极击穿(最大值):450V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 750mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:8 @ 2A，5V *5功率-最大值:20W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 25mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:270 @ 200mA，2V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:400MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 100µA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20000 @ 100mA，5V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:125MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1.5A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，2V *5功率-最大值:1.25W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):50mA *2电压-集射极击穿(最大值):11V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，10mA *6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:56 @ 5mA，10V *5功率-最大值:150mW *4频率-跃迁:3.2GHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:325mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 1A，5V *5功率-最大值:600mW *4频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:330mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:150 @ 500mA，5V *5功率-最大值:400mW *4频率-跃迁:220MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:85 @ 500mA，1V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
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6电流-集电极截止(最大值)：10µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：85 @ 500mA，1V
5功率-最大值：1.5W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-261-4，TO-261AA
封装：SOT-223
料号：JTG1-9430
包装：
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