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品牌：
ROHM/罗姆
Rohm Semiconductor
罗姆半导体
描述：
TRANS PNP 80V 0.5A SOT-346
参数：
系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 100mA，3V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:180MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：500mA
2电压-集射极击穿(最大值)：80V
6电流-集电极截止(最大值)：500nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：180 @ 100mA，3V
5功率-最大值：200mW
4频率-跃迁：180MHz
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SMT3
料号：JTG1-9529
包装：
3000个/
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￥1.12
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海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS PNP 45V 3A TO-126
参数：
系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 100mA，3V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：3A
2电压-集射极击穿(最大值)：45V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：63 @ 150mA，2V
5功率-最大值：30W
4频率-跃迁：3MHz
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外壳：TO-225AA，TO-126-3
封装：TO-126
料号：JTG1-9530
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
咨询客服
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描述：
TRANS PNP 40V 3A SOT-223
参数：
系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 100mA，3V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:175 @ 1A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:160MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：3A
2电压-集射极击穿(最大值)：40V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：175 @ 1A，1V
5功率-最大值：2W
4频率-跃迁：160MHz
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外壳：TO-261-4，TO-261AA
封装：SOT-223
料号：JTG1-9531
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
咨询客服
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描述：
TRANS PNP 160V 1A TO92-3
参数：
系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 100mA，3V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:175 @ 1A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):160V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 200mA，5V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:50MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
2电压-集射极击穿(最大值)：160V
6电流-集电极截止(最大值)：1µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：160 @ 200mA，5V
5功率-最大值：900mW
4频率-跃迁：50MHz
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG1-9532
包装：
1个/
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￥6.61
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自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS NPN 300V 0.1A SOT223
参数：
系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 100mA，3V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:175 @ 1A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):160V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 200mA，5V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 30mA，10V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:50MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA
2电压-集射极击穿(最大值)：300V
6电流-集电极截止(最大值)：20nA（ICBO）
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5功率-最大值：1.2W
4频率-跃迁：50MHz
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外壳：TO-261-4，TO-261AA
封装：SC-73
料号：JTG1-9533
包装：
1000个/
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￥1.35
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合作现货:0
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最小起订:
总额：
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描述：
TRANS PNP 160V 1A TO-92L
参数：
系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 100mA，3V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:175 @ 1A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):160V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 200mA，5V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 30mA，10V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):160V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 200mA，5V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:50MHz
|
1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
2电压-集射极击穿(最大值)：160V
6电流-集电极截止(最大值)：1µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 200mA，5V
5功率-最大值：900mW
4频率-跃迁：50MHz
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92L
料号：JTG1-9534
包装：
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KSA1013OTA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSA1013OTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSA1013OTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS PNP 50V 2A TO92-3
参数：
系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 100mA，3V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:175 @ 1A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):160V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 200mA，5V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 30mA，10V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):160V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 200mA，5V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:100MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：2A
2电压-集射极击穿(最大值)：50V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：120 @ 500mA，2V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：100MHz
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG1-9535
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSA1281YTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSA1281YTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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品牌：
ROHM/罗姆
Rohm Semiconductor
罗姆半导体
描述：
TRANS NPN 32V 0.8A SOT-346
参数：
系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 100mA，3V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:175 @ 1A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):160V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 200mA，5V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 30mA，10V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):160V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 200mA，5V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):32V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 100mA，3V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:150MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：800mA
2电压-集射极击穿(最大值)：32V
6电流-集电极截止(最大值)：500nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：180 @ 100mA，3V
5功率-最大值：200mW
4频率-跃迁：150MHz
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SMT3
料号：JTG1-9536
包装：
3000个/
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￥0.89
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自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SD1781KT146R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS PNP 12V 1A SOT-723
参数：
系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 100mA，3V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:175 @ 1A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):160V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 200mA，5V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 30mA，10V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):160V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 200mA，5V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):32V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 100mA，3V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:410mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 500mA，2V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
2电压-集射极击穿(最大值)：12V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：120 @ 500mA，2V
5功率-最大值：625mW
4频率-跃迁：-
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外壳：SOT-723
封装：SOT-723
料号：JTG1-9537
包装：
8000个/
|
￥1.64
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSS12100M3T5G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSS12100M3T5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSS12100M3T5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSS12100M3T5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS NPN 45V 0.1A DFN1006H4-3
参数：
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描述：
TRANS PNP 40V 5A POWERFLAT3
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外壳：3-POWERUDFN
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包装：
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海外现货:0
最小起订:
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品牌：
ROHM/罗姆
Rohm Semiconductor
罗姆半导体
描述：
TRANS NPN 30V 0.4A VMT3
参数：
系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 100mA，3V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:175 @ 1A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):160V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 200mA，5V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 30mA，10V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):160V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 200mA，5V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):32V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 100mA，3V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:410mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 500mA，2V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2mA，5V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 10mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:210 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):400mA *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:270 @ 100mA，2V *5功率-最大值:150mW *4频率-跃迁:400MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：400mA
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6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
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5功率-最大值：150mW
4频率-跃迁：400MHz
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外壳：SOT-723
封装：VMT3
料号：JTG1-9540
包装：
8000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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描述：
TRANS PNP 60V 1A DFN1010D-3
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
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7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：85 @ 1A，2V
5功率-最大值：325mW
4频率-跃迁：150MHz
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外壳：3-XDFN 裸露焊盘
封装：DFN1010D-3
料号：JTG1-9541
包装：
5000个/
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自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBSS5160QAZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223
参数：
系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 100mA，3V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:175 @ 1A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):160V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 200mA，5V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 30mA，10V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):160V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 200mA，5V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):32V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 100mA，3V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:410mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 500mA，2V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2mA，5V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 10mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:210 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):400mA *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:270 @ 100mA，2V *5功率-最大值:150mW *4频率-跃迁:400MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:460mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:85 @ 1A，2V *5功率-最大值:325mW *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.3V @ 500µA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 500mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
2电压-集射极击穿(最大值)：80V
6电流-集电极截止(最大值)：10µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：2000 @ 500mA，10V
5功率-最大值：800mW
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外壳：TO-261-4，TO-261AA
封装：SOT-223
料号：JTG1-9542
包装：
4000个/
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￥1.45
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描述：
TRANS NPN 50V 3A SOT89-3
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描述：
TRANS PNP 50V 3A 3CPH
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描述：
TRANS NPN 80V 3A TO-126
参数：
系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 100mA，3V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:175 @ 1A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):160V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 200mA，5V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 30mA，10V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):160V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 200mA，5V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):32V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 100mA，3V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:410mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 500mA，2V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2mA，5V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 10mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:210 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):400mA *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:270 @ 100mA，2V *5功率-最大值:150mW *4频率-跃迁:400MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:460mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:85 @ 1A，2V *5功率-最大值:325mW *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.3V @ 500µA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 500mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:82 @ 500mA，2V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 100mA，2V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:380MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：3A
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6电流-集电极截止(最大值)：100µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：63 @ 150mA，2V
5功率-最大值：30W
4频率-跃迁：3MHz
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外壳：TO-225AA，TO-126-3
封装：TO-126
料号：JTG1-9545
包装：
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合作现货:0
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描述：
TRANS PNP 80V 0.5A SOT26
参数：
系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 100mA，3V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:175 @ 1A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):160V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 200mA，5V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 30mA，10V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):160V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 200mA，5V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):32V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 100mA，3V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:410mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 500mA，2V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2mA，5V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 10mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:210 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):400mA *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:270 @ 100mA，2V *5功率-最大值:150mW *4频率-跃迁:400MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:460mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:85 @ 1A，2V *5功率-最大值:325mW *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.3V @ 500µA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 500mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:82 @ 500mA，2V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 100mA，2V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:380MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP + 二极管（隔离式） *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 10mA，1V *5功率-最大值:600mW *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：PNP + 二极管（隔离式）
3电流-集电极(ic)(最大值)：500mA
2电压-集射极击穿(最大值)：80V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：120 @ 10mA，1V
5功率-最大值：600mW
4频率-跃迁：-
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外壳：SOT-23-6
封装：SOT-26
料号：JTG1-9546
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSM80100M-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSM80100M-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS NPN 32V 1A SOT89-3
参数：
系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 100mA，3V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:175 @ 1A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):160V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 200mA，5V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 30mA，10V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):160V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 200mA，5V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):32V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 100mA，3V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:410mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 500mA，2V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2mA，5V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 10mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:210 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):400mA *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:270 @ 100mA，2V *5功率-最大值:150mW *4频率-跃迁:400MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:460mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:85 @ 1A，2V *5功率-最大值:325mW *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.3V @ 500µA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 500mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:82 @ 500mA，2V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 100mA，2V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:380MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP + 二极管（隔离式） *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 10mA，1V *5功率-最大值:600mW *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):32V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 100mA，3V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:280MHz
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1晶体管类型：NPN
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5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：280MHz
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外壳：TO-243AA
封装：SOT-89-3
料号：JTG1-9547
包装：
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描述：
TRANS NPN 60V 2A 3SSOT
参数：
系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 100mA，3V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 300mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:175 @ 1A，1V *5功率-最大值:2W *4频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):160V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:160 @ 200mA，5V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):20nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 30mA，10V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):160V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 200mA，5V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):32V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 100mA，3V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:410mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 500mA，2V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2mA，5V *5功率-最大值:250mW *4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 10mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:210 @ 2A，2V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):400mA *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:270 @ 100mA，2V *5功率-最大值:150mW *4频率-跃迁:400MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:460mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:85 @ 1A，2V *5功率-最大值:325mW *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.3V @ 500µA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 500mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:82 @ 500mA，2V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):1µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 100mA，2V *5功率-最大值:900mW *4频率-跃迁:380MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:63 @ 150mA，2V *5功率-最大值:30W *4频率-跃迁:3MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP + 二极管（隔离式） *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 10mA，1V *5功率-最大值:600mW *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):32V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:180 @ 100mA，3V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:280MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 200mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 500mA，2V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:75MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：2A
2电压-集射极击穿(最大值)：60V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 500mA，2V
5功率-最大值：500mW
4频率-跃迁：75MHz
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：3-SSOT
料号：JTG1-9548
包装：
3000个/
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