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描述：
TRANS PNP 250V 16A TO247
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 8A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：16A
2电压-集射极击穿(最大值)：250V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：20 @ 8A，5V
5功率-最大值：200W
4频率-跃迁：4MHz
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外壳：TO-247-3
封装：TO-247
料号：JTG1-9847
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MJW21193G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJW21193G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJW21193G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJW21193G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS PNP DARL 100V 12A TO204
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 8A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 120mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 6A，3V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：PNP - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：12A
2电压-集射极击穿(最大值)：100V
6电流-集电极截止(最大值)：1mA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：750 @ 6A，3V
5功率-最大值：150W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-204AA，TO-3
封装：TO-3
料号：JTG1-9848
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N6052G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6052G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6052G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6052G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS PNP DARL 120V 25A TO3P
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 8A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 120mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 6A，3V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 24mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 12A，4V *5功率-最大值:120W *4频率-跃迁:50MHz
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1晶体管类型：PNP - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：25A
2电压-集射极击穿(最大值)：120V
6电流-集电极截止(最大值)：10µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：2000 @ 12A，4V
5功率-最大值：120W
4频率-跃迁：50MHz
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外壳：TO-3P-3，SC-65-3
封装：TO-3P
料号：JTG1-9849
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SB1383' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SB1383' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SB1383' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SB1383' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS PNP 150V 14A TO-3PF
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 8A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 120mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 6A，3V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 24mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 12A，4V *5功率-最大值:120W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:50MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：14A
2电压-集射极击穿(最大值)：150V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：50 @ 5A，4V
5功率-最大值：80W
4频率-跃迁：50MHz
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外壳：TO-3P-3 整包
封装：TO-3PF
料号：JTG1-9850
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SA1860' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SA1860' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SA1860' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SA1860' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS NPN 150V 14A TO-3PF
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 8A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 120mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 6A，3V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 24mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 12A，4V *5功率-最大值:120W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:60MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：14A
2电压-集射极击穿(最大值)：150V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：50 @ 5A，4V
5功率-最大值：80W
4频率-跃迁：60MHz
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外壳：TO-3P-3，SC-65-3
封装：TO-3PF
料号：JTG1-9851
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SC4886' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC4886' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC4886' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC4886' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS NPN DARL 60V 30A TO204
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 8A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 120mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 6A，3V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 24mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 12A，4V *5功率-最大值:120W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 300mA，30A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 20A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz
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1晶体管类型：NPN - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：30A
2电压-集射极击穿(最大值)：60V
6电流-集电极截止(最大值)：1mA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：1000 @ 20A，5V
5功率-最大值：200W
4频率-跃迁：4MHz
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外壳：TO-204AA，TO-3
封装：TO-3
料号：JTG1-9852
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MJ11012G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJ11012G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJ11012G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJ11012G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS NPN DARL 150V 10A TO-3P-5
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 8A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 120mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 6A，3V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 24mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 12A，4V *5功率-最大值:120W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 300mA，30A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 20A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 6mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 6A，4V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：10A
2电压-集射极击穿(最大值)：150V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：5000 @ 6A，4V
5功率-最大值：100W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-3P-5
封装：TO-3P-5L
料号：JTG1-9853
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STD01N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STD01N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STD01N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STD01N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
TRANS PNP DARL 150V 10A TO-3P-5
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 8A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 120mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 6A，3V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 24mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 12A，4V *5功率-最大值:120W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 300mA，30A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 20A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 6mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 6A，4V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 6mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 6A，4V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：PNP - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：10A
2电压-集射极击穿(最大值)：150V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：5000 @ 6A，4V
5功率-最大值：100W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-3P-5
封装：TO-3P-5L
料号：JTG1-9854
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STD01P' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STD01P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STD01P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STD01P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
TRANS NPN 400V 8A TO-3
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 8A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 120mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 6A，3V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 24mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 12A，4V *5功率-最大值:120W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 300mA，30A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 20A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 6mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 6A，4V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 6mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 6A，4V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 2A，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:7 @ 5A，3V *5功率-最大值:125W *4频率-跃迁:28MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：8A
2电压-集射极击穿(最大值)：400V
6电流-集电极截止(最大值)：-
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：7 @ 5A，3V
5功率-最大值：125W
4频率-跃迁：28MHz
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外壳：TO-204AA，TO-3
封装：TO-3
料号：JTG1-9855
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N6545' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6545' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6545' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6545' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
PNP TRANSISTOR
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 8A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 120mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 6A，3V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 24mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 12A，4V *5功率-最大值:120W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 300mA，30A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 20A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 6mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 6A，4V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 6mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 6A，4V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 2A，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:7 @ 5A，3V *5功率-最大值:125W *4频率-跃迁:28MHz 系列:* 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：-
3电流-集电极(ic)(最大值)：-
2电压-集射极击穿(最大值)：-
6电流-集电极截止(最大值)：-
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：-
5功率-最大值：-
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-204AA，TO-3
封装：TO-3
料号：JTG1-9856
包装：
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N4399' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4399' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4399' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4399' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
TRANS NPN 250V 45A TO-247
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 8A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 120mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 6A，3V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 24mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 12A，4V *5功率-最大值:120W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 300mA，30A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 20A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 6mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 6A，4V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 6mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 6A，4V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 2A，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:7 @ 5A，3V *5功率-最大值:125W *4频率-跃迁:28MHz 系列:* 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):45A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 15A，60A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:9 @ 60A，3V *5功率-最大值:180W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：45A
2电压-集射极击穿(最大值)：250V
6电流-集电极截止(最大值)：50µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：9 @ 60A，3V
5功率-最大值：180W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-247-3
封装：TO-247-3
料号：JTG1-9857
包装：
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BUTW92' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUTW92' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUTW92' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUTW92' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
TRANS PNP DARL 250V 15A TO-3
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 8A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 120mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 6A，3V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 24mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 12A，4V *5功率-最大值:120W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 300mA，30A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 20A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 6mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 6A，4V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 6mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 6A，4V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 2A，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:7 @ 5A，3V *5功率-最大值:125W *4频率-跃迁:28MHz 系列:* 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):45A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 15A，60A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:9 @ 60A，3V *5功率-最大值:180W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.4V @ 150mA，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 10A，5V *5功率-最大值:175W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：PNP - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：15A
2电压-集射极击穿(最大值)：250V
6电流-集电极截止(最大值)：1mA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：400 @ 10A，5V
5功率-最大值：175W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-204AA，TO-3
封装：TO-3
料号：JTG1-9858
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MJ11021G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJ11021G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJ11021G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MJ11021G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
PNP TRANSISTOR
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 8A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 120mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 6A，3V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 24mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 12A，4V *5功率-最大值:120W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 300mA，30A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 20A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 6mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 6A，4V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 6mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 6A，4V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 2A，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:7 @ 5A，3V *5功率-最大值:125W *4频率-跃迁:28MHz 系列:* 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):45A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 15A，60A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:9 @ 60A，3V *5功率-最大值:180W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.4V @ 150mA，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 10A，5V *5功率-最大值:175W *4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：-
3电流-集电极(ic)(最大值)：-
2电压-集射极击穿(最大值)：-
6电流-集电极截止(最大值)：-
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：-
5功率-最大值：-
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-204AA，TO-3
封装：TO-3
料号：JTG1-9859
包装：
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N4398' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4398' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4398' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4398' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
TRANS NPN 200V 40A TO-3
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 8A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 120mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 6A，3V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 24mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 12A，4V *5功率-最大值:120W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 300mA，30A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 20A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 6mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 6A，4V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 6mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 6A，4V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 2A，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:7 @ 5A，3V *5功率-最大值:125W *4频率-跃迁:28MHz 系列:* 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):45A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 15A，60A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:9 @ 60A，3V *5功率-最大值:180W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.4V @ 150mA，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 10A，5V *5功率-最大值:175W *4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:SWITCHMODE™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):40A *2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 3A，25A *6电流-集电极截止(最大值):3mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 12A，2V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:8MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：40A
2电压-集射极击穿(最大值)：200V
6电流-集电极截止(最大值)：3mA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：20 @ 12A，2V
5功率-最大值：250W
4频率-跃迁：8MHz
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外壳：TO-204AE
封装：TO-3
料号：JTG1-9860
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BUV21G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUV21G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUV21G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUV21G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS NPN TO-66
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 8A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 120mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 6A，3V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 24mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 12A，4V *5功率-最大值:120W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 300mA，30A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 20A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 6mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 6A，4V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 6mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 6A，4V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 2A，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:7 @ 5A，3V *5功率-最大值:125W *4频率-跃迁:28MHz 系列:* 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):45A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 15A，60A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:9 @ 60A，3V *5功率-最大值:180W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.4V @ 150mA，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 10A，5V *5功率-最大值:175W *4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:SWITCHMODE™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):40A *2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 3A，25A *6电流-集电极截止(最大值):3mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 12A，2V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:8MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：-
3电流-集电极(ic)(最大值)：-
2电压-集射极击穿(最大值)：-
6电流-集电极截止(最大值)：-
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：-
5功率-最大值：-
4频率-跃迁：-
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外壳：-
封装：-
料号：JTG1-9861
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N5578' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5578' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5578' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5578' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 8A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 120mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 6A，3V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 24mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 12A，4V *5功率-最大值:120W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 300mA，30A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 20A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 6mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 6A，4V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 6mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 6A，4V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 2A，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:7 @ 5A，3V *5功率-最大值:125W *4频率-跃迁:28MHz 系列:* 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):45A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 15A，60A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:9 @ 60A，3V *5功率-最大值:180W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.4V @ 150mA，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 10A，5V *5功率-最大值:175W *4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:SWITCHMODE™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):40A *2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 3A，25A *6电流-集电极截止(最大值):3mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 12A，2V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:8MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:420 @ 2mA，5V *5功率-最大值:330mW *4频率-跃迁:250MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA
2电压-集射极击穿(最大值)：45V
6电流-集电极截止(最大值)：15nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：420 @ 2mA，5V
5功率-最大值：330mW
4频率-跃迁：250MHz
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：PG-SOT23-3
料号：JTG1-9862
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BC847CE6433HTMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC847CE6433HTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC847CE6433HTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC847CE6433HTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS NPN 45V 100MA SOT23-3
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 8A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 120mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 6A，3V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 24mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 12A，4V *5功率-最大值:120W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 300mA，30A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 20A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 6mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 6A，4V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 6mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 6A，4V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 2A，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:7 @ 5A，3V *5功率-最大值:125W *4频率-跃迁:28MHz 系列:* 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):45A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 15A，60A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:9 @ 60A，3V *5功率-最大值:180W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.4V @ 150mA，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 10A，5V *5功率-最大值:175W *4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:SWITCHMODE™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):40A *2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 3A，25A *6电流-集电极截止(最大值):3mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 12A，2V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:8MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:420 @ 2mA，5V *5功率-最大值:330mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2mA，5V *5功率-最大值:330mW *4频率-跃迁:250MHz
|
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA
2电压-集射极击穿(最大值)：45V
6电流-集电极截止(最大值)：15nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：200 @ 2mA，5V
5功率-最大值：330mW
4频率-跃迁：250MHz
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：PG-SOT23-3
料号：JTG1-9863
包装：
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BC847BE6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC847BE6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC847BE6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC847BE6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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TRANS PNP 45V 100MA SOT23-3
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 8A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 120mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 6A，3V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 24mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 12A，4V *5功率-最大值:120W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 300mA，30A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 20A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 6mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 6A，4V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 6mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 6A，4V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 2A，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:7 @ 5A，3V *5功率-最大值:125W *4频率-跃迁:28MHz 系列:* 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):45A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 15A，60A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:9 @ 60A，3V *5功率-最大值:180W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.4V @ 150mA，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 10A，5V *5功率-最大值:175W *4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:SWITCHMODE™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):40A *2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 3A，25A *6电流-集电极截止(最大值):3mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 12A，2V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:8MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:420 @ 2mA，5V *5功率-最大值:330mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2mA，5V *5功率-最大值:330mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:220 @ 2mA，5V *5功率-最大值:330mW *4频率-跃迁:250MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA
2电压-集射极击穿(最大值)：45V
6电流-集电极截止(最大值)：15nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：220 @ 2mA，5V
5功率-最大值：330mW
4频率-跃迁：250MHz
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：PG-SOT23-3
料号：JTG1-9864
包装：
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BC857BE6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC857BE6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC857BE6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC857BE6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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TRANS PNP 50V 0.1A MINI3
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 8A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 120mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 6A，3V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 24mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 12A，4V *5功率-最大值:120W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 300mA，30A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 20A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 6mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 6A，4V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 6mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 6A，4V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 2A，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:7 @ 5A，3V *5功率-最大值:125W *4频率-跃迁:28MHz 系列:* 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):45A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 15A，60A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:9 @ 60A，3V *5功率-最大值:180W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.4V @ 150mA，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 10A，5V *5功率-最大值:175W *4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:SWITCHMODE™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):40A *2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 3A，25A *6电流-集电极截止(最大值):3mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 12A，2V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:8MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:420 @ 2mA，5V *5功率-最大值:330mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2mA，5V *5功率-最大值:330mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:220 @ 2mA，5V *5功率-最大值:330mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:210 @ 2mA，10V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:150MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA
2电压-集射极击穿(最大值)：50V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：210 @ 2mA，10V
5功率-最大值：200mW
4频率-跃迁：150MHz
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：迷你型3-G3-B
料号：JTG1-9865
包装：
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DSA200100L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSA200100L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSA200100L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSA200100L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
TRANS PNP 30V 100MA SOT23-3
参数：
系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):16A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 8A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):12A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 120mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:750 @ 6A，3V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):25A *2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 24mA，12A *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:2000 @ 12A，4V *5功率-最大值:120W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):14A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 5A，4V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):30A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 300mA，30A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 20A，5V *5功率-最大值:200W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 6mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 6A，4V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):10A *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 6mA，6A *6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:5000 @ 6A，4V *5功率-最大值:100W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 2A，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:7 @ 5A，3V *5功率-最大值:125W *4频率-跃迁:28MHz 系列:* 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):45A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 15A，60A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:9 @ 60A，3V *5功率-最大值:180W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3.4V @ 150mA，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:400 @ 10A，5V *5功率-最大值:175W *4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:SWITCHMODE™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):40A *2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 3A，25A *6电流-集电极截止(最大值):3mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 12A，2V *5功率-最大值:250W *4频率-跃迁:8MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:420 @ 2mA，5V *5功率-最大值:330mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2mA，5V *5功率-最大值:330mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:220 @ 2mA，5V *5功率-最大值:330mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:210 @ 2mA，10V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:420 @ 2mA，5V *5功率-最大值:330mW *4频率-跃迁:250MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA
2电压-集射极击穿(最大值)：30V
6电流-集电极截止(最大值)：15nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：420 @ 2mA，5V
5功率-最大值：330mW
4频率-跃迁：250MHz
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：PG-SOT23-3
料号：JTG1-9866
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BC859CE6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC859CE6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC859CE6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC859CE6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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