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描述：
参数：
系列: 制造商:KEXIN科信 制造商统称:未设定 制造商统称:KEXIN科信 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值): *2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: *6电流-集电极截止(最大值): *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7: *5功率-最大值: *4频率-跃迁:400
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：
2电压-集射极击穿(最大值)：
6电流-集电极截止(最大值)：
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：
5功率-最大值：
4频率-跃迁：400
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外壳：
封装：SOT-89
料号：JTG1-11542
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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合作现货:0
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品牌：
ROHM/罗姆
Rohm Semiconductor
罗姆半导体
描述：
NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
参数：
系列: 制造商:KEXIN科信 制造商统称:未设定 制造商统称:KEXIN科信 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值): *2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: *6电流-集电极截止(最大值): *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7: *5功率-最大值: *4频率-跃迁:400 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，1V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:300MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：200mA
2电压-集射极击穿(最大值)：40V
6电流-集电极截止(最大值)：50nA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 10mA，1V
5功率-最大值：200mW
4频率-跃迁：300MHz
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SST3
料号：JTG1-11543
包装：
3000个/
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海外现货:0
最小起订:
总额：
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品牌：
ROHM/罗姆
Rohm Semiconductor
罗姆半导体
描述：
NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
参数：
系列: 制造商:KEXIN科信 制造商统称:未设定 制造商统称:KEXIN科信 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值): *2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: *6电流-集电极截止(最大值): *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7: *5功率-最大值: *4频率-跃迁:400 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，1V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:300MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2mA，5V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:200MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA
2电压-集射极击穿(最大值)：45V
6电流-集电极截止(最大值)：15nA（ICBO）
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5功率-最大值：200mW
4频率-跃迁：200MHz
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SST3
料号：JTG1-11544
包装：
3000个/
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￥0.31
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海外现货:0
最小起订:
总额：
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描述：
PNP TRANSISTOR VCEO-50V IC-0.15A
参数：
系列: 制造商:KEXIN科信 制造商统称:未设定 制造商统称:KEXIN科信 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值): *2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: *6电流-集电极截止(最大值): *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7: *5功率-最大值: *4频率-跃迁:400 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，1V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:300MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2mA，5V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 2mA，6V *5功率-最大值:150mW *4频率-跃迁:80MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：150mA
2电压-集射极击穿(最大值)：50V
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5功率-最大值：150mW
4频率-跃迁：80MHz
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外壳：SOT-723
封装：VESM
料号：JTG1-11545
包装：
8000个/
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￥0.26
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额：
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品牌：
ROHM/罗姆
Rohm Semiconductor
罗姆半导体
描述：
PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR (SWI
参数：
系列: 制造商:KEXIN科信 制造商统称:未设定 制造商统称:KEXIN科信 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值): *2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: *6电流-集电极截止(最大值): *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7: *5功率-最大值: *4频率-跃迁:400 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，1V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:300MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2mA，5V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 2mA，6V *5功率-最大值:150mW *4频率-跃迁:80MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):600mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，10V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:200MHz
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：600mA
2电压-集射极击穿(最大值)：60V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 150mA，10V
5功率-最大值：200mW
4频率-跃迁：200MHz
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SST3
料号：JTG1-11546
包装：
3000个/
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￥0.33
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SST2907AHZGT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SST2907AHZGT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额：
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品牌：
ROHM/罗姆
Rohm Semiconductor
罗姆半导体
描述：
GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL AMP
参数：
系列: 制造商:KEXIN科信 制造商统称:未设定 制造商统称:KEXIN科信 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值): *2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: *6电流-集电极截止(最大值): *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7: *5功率-最大值: *4频率-跃迁:400 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，1V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:300MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2mA，5V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 2mA，6V *5功率-最大值:150mW *4频率-跃迁:80MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):600mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，10V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 1mA，6V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:180MHz
|
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：150mA
2电压-集射极击穿(最大值)：50V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：120 @ 1mA，6V
5功率-最大值：200mW
4频率-跃迁：180MHz
|
外壳：SC-70，SOT-323
封装：UMT3
料号：JTG1-11547
包装：
3000个/
|
￥0.35
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最小起订:
总额：
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品牌：
ROHM/罗姆
Rohm Semiconductor
罗姆半导体
描述：
GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL AMP
参数：
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外壳：SC-70，SOT-323
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描述：
NPN TRANSISTOR VCEO120V IC0.1A H
参数：
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外壳：SC-70，SOT-323
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￥0.38
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最小起订:
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NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.15A H
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ROHM/罗姆
Rohm Semiconductor
罗姆半导体
描述：
PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTOR.
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料号：JTG1-11551
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描述：
PNP TRANSISTOR VCEO-45V IC-0.5A
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描述：
NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.5A HF
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描述：
NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.5A HF
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：500mA
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：S-Mini
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3000个/
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品牌：
ROHM/罗姆
Rohm Semiconductor
罗姆半导体
描述：
PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (
参数：
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外壳：SC-70，SOT-323
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品牌：
ROHM/罗姆
Rohm Semiconductor
罗姆半导体
描述：
NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR (AEC
参数：
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品牌：
ROHM/罗姆
Rohm Semiconductor
罗姆半导体
描述：
NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (
参数：
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品牌：
ROHM/罗姆
Rohm Semiconductor
罗姆半导体
描述：
PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFICATIO
参数：
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海外现货:0
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总额：
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描述：
PNP TRANSISTOR VCEO-30V IC-0.5A
参数：
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1晶体管类型：PNP
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5功率-最大值：150mW
4频率-跃迁：200MHz
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：S-Mini
料号：JTG1-11560
包装：
3000个/
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￥0.49
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自营现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额：
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品牌：
ROHM/罗姆
Rohm Semiconductor
罗姆半导体
描述：
2SCR502EBHZG IS A BIPOLAR TRANSI
参数：
系列: 制造商:KEXIN科信 制造商统称:未设定 制造商统称:KEXIN科信 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值): *2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: *6电流-集电极截止(最大值): *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7: *5功率-最大值: *4频率-跃迁:400 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，1V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:300MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):100mA *2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 2mA，5V *5功率-最大值:200mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):150mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 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*4频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 100mA，1V *5功率-最大值:150mW *4频率-跃迁:200MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，200mA *6电流-集电极截止(最大值):200nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:200 @ 100mA，2V *5功率-最大值:150mW *4频率-跃迁:360MHz
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：500mA
2电压-集射极击穿(最大值)：30V
6电流-集电极截止(最大值)：200nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：200 @ 100mA，2V
5功率-最大值：150mW
4频率-跃迁：360MHz
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外壳：SC-89，SOT-490
封装：EMT3F（SOT-416FL）
料号：JTG1-11561
包装：
3000个/
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