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描述：
TRANS NPN 50V 3A TO5
参数：
系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：3A
2电压-集射极击穿(最大值)：50V
6电流-集电极截止(最大值)：-
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：30 @ 1.5A，2V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐
封装：TO-5
料号：JTG1-12401
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JAN2N3507L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N3507L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N3507L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N3507L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS NPN 50V 0.8A
参数：
系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，10V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：800mA
2电压-集射极击穿(最大值)：50V
6电流-集电极截止(最大值)：50nA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 150mA，10V
5功率-最大值：500mW
4频率-跃迁：-
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外壳：4-SMD
封装：4-SMD
料号：JTG1-12402
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N2221AUA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N2221AUA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N2221AUA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N2221AUA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS PNP 60V 0.6A TO-39
参数：
系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，10V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/290 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):600mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：600mA
2电压-集射极击穿(最大值)：60V
6电流-集电极截止(最大值)：10µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 150mA，10V
5功率-最大值：800mW
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐
封装：TO-39（TO-205AD）
料号：JTG1-12403
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTX2N2904A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N2904A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N2904A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N2904A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS NPN 350V 1A
参数：
系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，10V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/290 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):600mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/368 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):2µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 20mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
2电压-集射极击穿(最大值)：350V
6电流-集电极截止(最大值)：2µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 20mA，10V
5功率-最大值：800mW
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐
封装：TO-39（TO-205AD）
料号：JTG1-12404
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JAN2N3439' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N3439' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N3439' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N3439' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS PNP 80V 2A TO5
参数：
系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，10V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/290 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):600mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/368 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):2µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 20mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 2.5A，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：2A
2电压-集射极击穿(最大值)：80V
6电流-集电极截止(最大值)：50µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：30 @ 2.5A，5V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐
封装：TO-5
料号：JTG1-12405
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JAN2N5151L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N5151L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N5151L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N5151L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS NPN 80V 2A TO5
参数：
系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，10V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/290 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):600mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/368 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):2µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 20mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 2.5A，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 2.5A，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：2A
2电压-集射极击穿(最大值)：80V
6电流-集电极截止(最大值)：50µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：30 @ 2.5A，5V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐
封装：TO-5
料号：JTG1-12406
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JAN2N5152L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N5152L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N5152L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N5152L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
TRANS PNP 80V 2A TO5
参数：
系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，10V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/290 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):600mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/368 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):2µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 20mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 2.5A，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 2.5A，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 2.5A，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：2A
2电压-集射极击穿(最大值)：80V
6电流-集电极截止(最大值)：50µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：70 @ 2.5A，5V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐
封装：TO-5
料号：JTG1-12407
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合作现货:0
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描述：
TRANS NPN 80V 2A TO5
参数：
系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，10V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/290 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):600mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/368 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):2µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 20mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 2.5A，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 2.5A，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 2.5A，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 2.5A，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN
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4频率-跃迁：-
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外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐
封装：TO-5
料号：JTG1-12408
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N5154L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
TRANS GP BJT NPN 100V 5A 3-PIN T
参数：
系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，10V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/290 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):600mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/368 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):2µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 20mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 2.5A，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 2.5A，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 2.5A，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 2.5A，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/560 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:60 @ 2A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：5A
2电压-集射极击穿(最大值)：100V
6电流-集电极截止(最大值)：100µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：60 @ 2A，2V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐
封装：TO-39（TO-205AD）
料号：JTG1-12409
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTXV2N5339' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N5339' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N5339' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N5339' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS NPN 250V 1A
参数：
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描述：
TRANS NPN 60V 0.05A
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1晶体管类型：NPN
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5功率-最大值：360mW
4频率-跃迁：-
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外壳：4-SMD，无引线
封装：UA
料号：JTG1-12411
包装：
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自营现货:0
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海外现货:0
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描述：
TRANS NPN 100V 0.5A TO5
参数：
系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，10V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/290 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):600mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/368 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):2µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 20mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 2.5A，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 2.5A，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 2.5A，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 2.5A，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/560 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:60 @ 2A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/368 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):2µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 20mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):50mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100µA，1mA *6电流-集电极截止(最大值):2nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:225 @ 10mA，5V *5功率-最大值:360mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/366 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.4V @ 30mA，300mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：500mA
2电压-集射极击穿(最大值)：100V
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4频率-跃迁：-
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外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐
封装：TO-5
料号：JTG1-12412
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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描述：
TRANS NPN 150V 0.3A TO-39
参数：
系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，10V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/290 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):600mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/368 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):2µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 20mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 2.5A，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 2.5A，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 2.5A，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 2.5A，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/560 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:60 @ 2A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/368 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):2µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 20mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):50mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100µA，1mA *6电流-集电极截止(最大值):2nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:225 @ 10mA，5V *5功率-最大值:360mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/366 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.4V @ 30mA，300mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/366 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):300mA *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 15mA，150mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：300mA
2电压-集射极击穿(最大值)：150V
6电流-集电极截止(最大值)：10µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 150mA，10V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐
封装：TO-39（TO-205AD）
料号：JTG1-12413
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N3500' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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TRANS NPN 150V 0.3A
参数：
系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，10V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/290 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):600mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/368 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):2µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 20mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 2.5A，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 2.5A，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 2.5A，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 2.5A，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/560 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:60 @ 2A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/368 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):2µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 20mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):50mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100µA，1mA *6电流-集电极截止(最大值):2nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:225 @ 10mA，5V *5功率-最大值:360mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/366 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.4V @ 30mA，300mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 150mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/366 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):300mA *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 15mA，150mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/366 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):300mA *2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 15mA，150mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：300mA
2电压-集射极击穿(最大值)：150V
6电流-集电极截止(最大值)：10µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 150mA，10V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐
封装：TO-5
料号：JTG1-12414
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N3500L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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合作现货:0
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TRANS NPN 350V 1A
参数：
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1晶体管类型：NPN
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4频率-跃迁：-
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外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐
封装：TO-5
料号：JTG1-12415
包装：
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描述：
PNP TRANSISTOR
参数：
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1晶体管类型：-
3电流-集电极(ic)(最大值)：-
2电压-集射极击穿(最大值)：-
6电流-集电极截止(最大值)：-
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：-
5功率-最大值：-
4频率-跃迁：-
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外壳：-
封装：-
料号：JTG1-12416
包装：
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描述：
TRANS NPN 20V TO46
参数：
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外壳：TO-206AB，TO-46-3 金属罐
封装：TO-46（TO-206AB）
料号：JTG1-12417
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描述：
TRANS NPN 200V 5A TO5
参数：
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MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 2.5A，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/560 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:60 @ 2A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/368 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):2µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 20mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):50mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：5A
2电压-集射极击穿(最大值)：200V
6电流-集电极截止(最大值)：200nA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 1A，5V
5功率-最大值：1.2W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐
封装：TO-5
料号：JTG1-12418
包装：
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海外现货:0
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描述：
PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
参数：
系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，10V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/290 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):600mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/368 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 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MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 2.5A，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/560 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:60 @ 2A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/368 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):2µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 20mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):50mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 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*5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/368 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):2µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 20mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/317 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):NPN *2电压-集射极击穿(最大值):20V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:450mV @ 10mA，100mA *6电流-集电极截止(最大值):400nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:20 @ 100mA，1V *5功率-最大值:360mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 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料号：JTG1-12419
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描述：
TRANS PNP 60V 0.6A
参数：
系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):800mA *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，10V *5功率-最大值:500mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/290 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):600mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 150mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/368 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):350V 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MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):50µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:70 @ 2.5A，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/560 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 500mA，5A *6电流-集电极截止(最大值):100µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:60 @ 2A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/368 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):250V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):2µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 20mA，10V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):50mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 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1晶体管类型：PNP
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2电压-集射极击穿(最大值)：60V
6电流-集电极截止(最大值)：50nA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 150mA，10V
5功率-最大值：500mW
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐
封装：TO-18
料号：JTG1-12420
包装：
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTXV2N2906AL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N2906AL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N2906AL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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