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描述：
TRANS NPN 40V 3A TO-39
参数：
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：3A
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6电流-集电极截止(最大值)：-
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5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐
封装：TO-39（TO-205AD）
料号：JTG1-12541
包装：
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描述：
TRANS NPN 40V 3A TO-39
参数：
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外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐
封装：TO-39（TO-205AD）
料号：JTG1-12542
包装：
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描述：
TRANS NPN 40V 3A TO5
参数：
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：3A
2电压-集射极击穿(最大值)：40V
6电流-集电极截止(最大值)：-
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 1.5A，2V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐
封装：TO-5
料号：JTG1-12543
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描述：
TRANS NPN 40V 3A TO5
参数：
系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：3A
2电压-集射极击穿(最大值)：40V
6电流-集电极截止(最大值)：-
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 1.5A，2V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐
封装：TO-5
料号：JTG1-12544
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N3506L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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描述：
TRANS NPN 50V 3A TO39
参数：
系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：3A
2电压-集射极击穿(最大值)：50V
6电流-集电极截止(最大值)：-
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：30 @ 1.5A，2V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐
封装：TO-39（TO-205AD）
料号：JTG1-12545
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTXV2N3507A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N3507A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N3507A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N3507A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
TRANS NPN 50V 3A TO5
参数：
系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：3A
2电压-集射极击穿(最大值)：50V
6电流-集电极截止(最大值)：-
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：30 @ 1.5A，2V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐
封装：TO-5
料号：JTG1-12546
包装：
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTXV2N3507AL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N3507AL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N3507AL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
TRANS NPN 50V 3A TO5
参数：
系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：3A
2电压-集射极击穿(最大值)：50V
6电流-集电极截止(最大值)：-
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：30 @ 1.5A，2V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐
封装：TO-5
料号：JTG1-12547
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N3507L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N3507L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
TRANS PNP 175V 1A
参数：
系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/357 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):175V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 50mA，10V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
2电压-集射极击穿(最大值)：175V
6电流-集电极截止(最大值)：10µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：50 @ 50mA，10V
5功率-最大值：1.5W
4频率-跃迁：-
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外壳：3-SMD，无引线
封装：3-SMD
料号：JTG1-12548
包装：
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTXV2N3636UB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N3636UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N3636UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N3636UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS NPN 200V 5A TO39
参数：
系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/357 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):175V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 50mA，10V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5A，1A *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1A，5V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：5A
2电压-集射极击穿(最大值)：200V
6电流-集电极截止(最大值)：200nA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 1A，5V
5功率-最大值：1.2W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐
封装：TO-39（TO-205AD）
料号：JTG1-12549
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTXV2N5666S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N5666S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N5666S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N5666S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS NPN 30V 500MA
参数：
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外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐
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料号：JTG1-12550
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NPN TRANSISTOR
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NPN TRANSISTOR
参数：
系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/357 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):175V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 50mA，10V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5A，1A *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1A，5V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：-
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外壳：-
封装：-
料号：JTG1-12553
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描述：
TRANS NPN 200V 5A TO66
参数：
系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/357 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):175V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 50mA，10V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5A，1A *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1A，5V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5A，1A *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1A，5V *5功率-最大值:2.5W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：5A
2电压-集射极击穿(最大值)：200V
6电流-集电极截止(最大值)：200nA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 1A，5V
5功率-最大值：2.5W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-213AA，TO-66-2
封装：TO-66（TO-213AA）
料号：JTG1-12555
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTX2N5664' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N5664' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N5664' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N5664' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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描述：
TRANS PNP 80V 4A TO-66
参数：
系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/357 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):175V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 50mA，10V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5A，1A *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1A，5V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5A，1A *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1A，5V *5功率-最大值:2.5W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/441 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 125mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 250mA，1V *5功率-最大值:25W *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：4A
2电压-集射极击穿(最大值)：80V
6电流-集电极截止(最大值)：10µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：30 @ 250mA，1V
5功率-最大值：25W
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-213AA，TO-66-2
封装：TO-66（TO-213AA）
料号：JTG1-12556
包装：
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描述：
PNP POWER SILICON TRANSISTOR
参数：
系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/349 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 1.5A，2V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/357 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):175V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 50mA，10V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5A，1A *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1A，5V *5功率-最大值:1.2W *4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5A，1A *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1A，5V *5功率-最大值:2.5W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/441 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 125mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 250mA，1V *5功率-最大值:25W *4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:-
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1晶体管类型：-
3电流-集电极(ic)(最大值)：-
2电压-集射极击穿(最大值)：-
6电流-集电极截止(最大值)：-
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：-
5功率-最大值：-
4频率-跃迁：-
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外壳：-
封装：-
料号：JTG1-12557
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N5154' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1
自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5154' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5154' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
NPN TRANSISTOR
参数：
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料号：JTG1-12558
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描述：
TRANS NPN 80V 1A
参数：
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1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
2电压-集射极击穿(最大值)：80V
6电流-集电极截止(最大值)：10nA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：50 @ 500mA，10V
5功率-最大值：800mW
4频率-跃迁：-
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外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐
封装：TO-39
料号：JTG1-12559
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTXV2N3019S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1
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合作现货:0
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海外现货:0
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描述：
TRANS PNP 40V 0.6A TO39
参数：
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料号：JTG1-12560
包装：
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描述：
TRANS PNP 60V 0.6A
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系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *3电流-集电极(ic)(最大值):- *2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:- *5功率-最大值:- *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5A，1A *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 1A，5V *5功率-最大值:2.5W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/441 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):4A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 125mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):10µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 250mA，1V 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1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：600mA
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5功率-最大值：500mW
4频率-跃迁：-
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外壳：4-SMD，无引线
封装：UA
料号：JTG1-12561
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N2907AUA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N2907AUA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N2907AUA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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