晶体管单路晶体管-双极(BJT)商品目录【辰科芯查】

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商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： CMPT5086 TR PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANS PNP 50V 50MA SOT23 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：50mA 2电压-集射极击穿(最大值)：50V 6电流-集电极截止(最大值)：10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：150 @ 100µA，5V 5功率-最大值：350mW 4频率-跃迁：40MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23 料号：JTG1-13234 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BC857C TR PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANS PNP 80V SOT23 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA 2电压-集射极击穿(最大值)：45V 6电流-集电极截止(最大值)：15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：420 @ 2mA，5V 5功率-最大值：350mW 4频率-跃迁：100MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23 料号：JTG1-13235 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： CMST3906 TR PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANS PNP 40V 0.2A SOT323 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：200mA 2电压-集射极击穿(最大值)：40V 6电流-集电极截止(最大值)：- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 10mA，1V 5功率-最大值：275mW 4频率-跃迁：250MHz	外壳：SC-70，SOT-323 封装：SOT-323 料号：JTG1-13236 资料：规格书/封装库包装： 3000个/	￥0.88	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个总额：	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BCP53HX 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANS PNP 80V 1A SOT223 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：63 @ 150mA，2V 5功率-最大值：2.2W 4频率-跃迁：100MHz	外壳：TO-261-4，TO-261AA 封装：SOT-223 料号：JTG1-13237 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BCP53-10HX 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANS PNP 80V 1A SOT223 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：63 @ 150mA，2V 5功率-最大值：2.2W 4频率-跃迁：100MHz	外壳：TO-261-4，TO-261AA 封装：SOT-223 料号：JTG1-13238 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： PBHV9040TVL 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： PBHV9040T/SOT23/TO-236AB 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):250mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 20mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:55MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：250mA 2电压-集射极击穿(最大值)：400V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 50mA，10V 5功率-最大值：300mW 4频率-跃迁：55MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：TO-236AB 料号：JTG1-13239 资料：规格书/封装库包装： 10000个/	￥0.96	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个总额：	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： PBHV9115TVL 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： PBHV9115T/SOT23/TO-236AB 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):250mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 20mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:55MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:115MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：150V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 100mA，10V 5功率-最大值：300mW 4频率-跃迁：115MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：TO-236AB 料号：JTG1-13240 资料：规格书/封装库包装： 10000个/	￥0.93	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个总额：	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： PBSS4160XF 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： PBSS4160X/SOT89/MPT3 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):250mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 20mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:55MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:115MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:170 @ 500mA，10V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:180MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：60V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：170 @ 500mA，10V 5功率-最大值：1.35W 4频率-跃迁：180MHz	外壳：TO-243AA 封装：SOT-89 料号：JTG1-13241 资料：规格书/封装库包装： 4000个/	￥0.94	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个总额：	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： CMUT2907A BK PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANS PNP 60V 0.6A SOT523 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):250mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 20mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:55MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:115MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:170 @ 500mA，10V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，10V 5功率-最大值:250mW 4频率-跃迁:200MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：600mA 2电压-集射极击穿(最大值)：60V 6电流-集电极截止(最大值)：10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 150mA，10V 5功率-最大值：250mW 4频率-跃迁：200MHz	外壳：SC-89，SOT-490 封装：SOT-523 料号：JTG1-13242 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： CMST2907A BK PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANS PNP 60V 0.6A SOT323 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):250mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 20mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:55MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:115MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:170 @ 500mA，10V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，10V 5功率-最大值:250mW 4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，10V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:200MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：600mA 2电压-集射极击穿(最大值)：60V 6电流-集电极截止(最大值)：10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 150mA，10V 5功率-最大值：275mW 4频率-跃迁：200MHz	外壳：SC-70，SOT-323 封装：SOT-323 料号：JTG1-13243 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： PBSS4360XF 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： PBSS4360X/SOT89/MPT3 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):250mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 20mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:55MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:115MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:170 @ 500mA，10V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，10V 5功率-最大值:250mW 4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，10V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:200MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，5V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:75MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：3A 2电压-集射极击穿(最大值)：60V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：200 @ 1A，5V 5功率-最大值：1.35W 4频率-跃迁：75MHz	外壳：TO-243AA 封装：SOT-89 料号：JTG1-13244 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BCX5216H6433XTMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： TRANSISTOR AF SOT89-4 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):250mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 20mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:55MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:115MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:170 @ 500mA，10V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，10V 5功率-最大值:250mW 4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，10V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:200MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，5V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:75MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:125MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：60V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 150mA，2V 5功率-最大值：2W 4频率-跃迁：125MHz	外壳：TO-243AA 封装：PG-SOT89 料号：JTG1-13245 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： PBSS4160XX 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： PBSS4160X/SOT89/MPT3 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):250mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 20mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:55MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:115MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:170 @ 500mA，10V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，10V 5功率-最大值:250mW 4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，10V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:200MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，5V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:75MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:125MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:170 @ 500mA，10V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:180MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：60V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：170 @ 500mA，10V 5功率-最大值：1.35W 4频率-跃迁：180MHz	外壳：TO-243AA 封装：SOT-89 料号：JTG1-13246 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： PBHV8115TLHR 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： PBHV8115TLH/SOT23/TO-236AB 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):250mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 20mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:55MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:115MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:170 @ 500mA，10V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，10V 5功率-最大值:250mW 4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，10V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:200MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，5V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:75MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:125MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:170 @ 500mA，10V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:180MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:60mV @ 10mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 50mA，10V 5功率-最大值:70 @ 50mA，10V 4频率-跃迁:30MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：150V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：70 @ 50mA，10V 5功率-最大值：70 @ 50mA，10V 4频率-跃迁：30MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：TO-236AB 料号：JTG1-13247 资料：规格书/封装库包装： 3000个/	￥1.27	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个总额：	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： PBHV9115TLHR 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： PBHV9115TLH/SOT23/TO-236AB 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):250mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 20mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:55MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:115MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:170 @ 500mA，10V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，10V 5功率-最大值:250mW 4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，10V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:200MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，5V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:75MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:125MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:170 @ 500mA，10V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:180MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:60mV @ 10mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 50mA，10V 5功率-最大值:70 @ 50mA，10V 4频率-跃迁:30MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 50mA，10V 5功率-最大值:70 @ 50mA，10V 4频率-跃迁:55MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：150V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：70 @ 50mA，10V 5功率-最大值：70 @ 50mA，10V 4频率-跃迁：55MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：TO-236AB 料号：JTG1-13248 资料：规格书/封装库包装： 3000个/	￥1.27	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个总额：	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： PBSS5250XZ 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANS PNP 50V 2A SOT89-3 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):250mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 20mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:55MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:115MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:170 @ 500mA，10V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，10V 5功率-最大值:250mW 4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，10V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:200MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，5V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:75MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:125MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:170 @ 500mA，10V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:180MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:60mV @ 10mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 50mA，10V 5功率-最大值:70 @ 50mA，10V 4频率-跃迁:30MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 50mA，10V 5功率-最大值:70 @ 50mA，10V 4频率-跃迁:55MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:380mV @ 100mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，2V 5功率-最大值:550mW 4频率-跃迁:100MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：2A 2电压-集射极击穿(最大值)：50V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：200 @ 1A，2V 5功率-最大值：550mW 4频率-跃迁：100MHz	外壳：TO-243AA 封装：SOT-89 料号：JTG1-13249 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BCX5116H6433XTMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： TRANSISTOR AF SOT89-4 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):250mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 20mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:55MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 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状态：在售型号： BCX51H6327XTSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： TRANSISTOR AF SOT89-4 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):250mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 20mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:55MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 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状态：在售型号： BCX5216H6327XTSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： TRANSISTOR AF SOT89-4 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 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2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:125MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:125MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:125MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：60V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 150mA，2V 5功率-最大值：2W 4频率-跃迁：125MHz	外壳：TO-243AA 封装：PG-SOT89 料号：JTG1-13253 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 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状态：在售型号： CMPT5086 TR PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANS PNP 50V 50MA SOT23 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：50mA 2电压-集射极击穿(最大值)：50V 6电流-集电极截止(最大值)：10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：150 @ 100µA，5V 5功率-最大值：350mW 4频率-跃迁：40MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23 料号：JTG1-13234 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BC857C TR PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANS PNP 80V SOT23 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA 2电压-集射极击穿(最大值)：45V 6电流-集电极截止(最大值)：15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：420 @ 2mA，5V 5功率-最大值：350mW 4频率-跃迁：100MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：SOT-23 料号：JTG1-13235 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： CMST3906 TR PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANS PNP 40V 0.2A SOT323 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：200mA 2电压-集射极击穿(最大值)：40V 6电流-集电极截止(最大值)：- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 10mA，1V 5功率-最大值：275mW 4频率-跃迁：250MHz	外壳：SC-70，SOT-323 封装：SOT-323 料号：JTG1-13236 资料：规格书/封装库包装： 3000个/	￥0.88	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个总额：	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BCP53HX 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANS PNP 80V 1A SOT223 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：63 @ 150mA，2V 5功率-最大值：2.2W 4频率-跃迁：100MHz	外壳：TO-261-4，TO-261AA 封装：SOT-223 料号：JTG1-13237 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BCP53-10HX 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANS PNP 80V 1A SOT223 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：63 @ 150mA，2V 5功率-最大值：2.2W 4频率-跃迁：100MHz	外壳：TO-261-4，TO-261AA 封装：SOT-223 料号：JTG1-13238 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： PBHV9040TVL 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： PBHV9040T/SOT23/TO-236AB 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):250mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 20mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:55MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：250mA 2电压-集射极击穿(最大值)：400V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 50mA，10V 5功率-最大值：300mW 4频率-跃迁：55MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：TO-236AB 料号：JTG1-13239 资料：规格书/封装库包装： 10000个/	￥0.96	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个总额：	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： PBHV9115TVL 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： PBHV9115T/SOT23/TO-236AB 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):250mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 20mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:55MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:115MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：150V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 100mA，10V 5功率-最大值：300mW 4频率-跃迁：115MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：TO-236AB 料号：JTG1-13240 资料：规格书/封装库包装： 10000个/	￥0.93	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个总额：	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： PBSS4160XF 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： PBSS4160X/SOT89/MPT3 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):250mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 20mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:55MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:115MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:170 @ 500mA，10V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:180MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：60V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：170 @ 500mA，10V 5功率-最大值：1.35W 4频率-跃迁：180MHz	外壳：TO-243AA 封装：SOT-89 料号：JTG1-13241 资料：规格书/封装库包装： 4000个/	￥0.94	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个总额：	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： CMUT2907A BK PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANS PNP 60V 0.6A SOT523 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):250mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 20mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:55MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:115MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:170 @ 500mA，10V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，10V 5功率-最大值:250mW 4频率-跃迁:200MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：600mA 2电压-集射极击穿(最大值)：60V 6电流-集电极截止(最大值)：10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 150mA，10V 5功率-最大值：250mW 4频率-跃迁：200MHz	外壳：SC-89，SOT-490 封装：SOT-523 料号：JTG1-13242 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： CMST2907A BK PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANS PNP 60V 0.6A SOT323 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):250mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 20mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:55MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:115MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:170 @ 500mA，10V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，10V 5功率-最大值:250mW 4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，10V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:200MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：600mA 2电压-集射极击穿(最大值)：60V 6电流-集电极截止(最大值)：10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 150mA，10V 5功率-最大值：275mW 4频率-跃迁：200MHz	外壳：SC-70，SOT-323 封装：SOT-323 料号：JTG1-13243 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： PBSS4360XF 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： PBSS4360X/SOT89/MPT3 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):250mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 20mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:55MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:115MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:170 @ 500mA，10V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，10V 5功率-最大值:250mW 4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，10V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:200MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，5V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:75MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：3A 2电压-集射极击穿(最大值)：60V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：200 @ 1A，5V 5功率-最大值：1.35W 4频率-跃迁：75MHz	外壳：TO-243AA 封装：SOT-89 料号：JTG1-13244 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BCX5216H6433XTMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： TRANSISTOR AF SOT89-4 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):250mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 20mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:55MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:115MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:170 @ 500mA，10V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，10V 5功率-最大值:250mW 4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，10V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:200MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，5V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:75MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:125MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：60V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 150mA，2V 5功率-最大值：2W 4频率-跃迁：125MHz	外壳：TO-243AA 封装：PG-SOT89 料号：JTG1-13245 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： PBSS4160XX 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： PBSS4160X/SOT89/MPT3 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):250mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 20mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:55MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:115MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:170 @ 500mA，10V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，10V 5功率-最大值:250mW 4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，10V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:200MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，5V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:75MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:125MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:170 @ 500mA，10V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:180MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：60V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：170 @ 500mA，10V 5功率-最大值：1.35W 4频率-跃迁：180MHz	外壳：TO-243AA 封装：SOT-89 料号：JTG1-13246 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： PBHV8115TLHR 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： PBHV8115TLH/SOT23/TO-236AB 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):250mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 20mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:55MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:115MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:170 @ 500mA，10V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，10V 5功率-最大值:250mW 4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，10V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:200MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，5V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:75MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:125MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:170 @ 500mA，10V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:180MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:60mV @ 10mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 50mA，10V 5功率-最大值:70 @ 50mA，10V 4频率-跃迁:30MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：150V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：70 @ 50mA，10V 5功率-最大值：70 @ 50mA，10V 4频率-跃迁：30MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：TO-236AB 料号：JTG1-13247 资料：规格书/封装库包装： 3000个/	￥1.27	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个总额：	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： PBHV9115TLHR 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： PBHV9115TLH/SOT23/TO-236AB 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):250mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 20mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:55MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:115MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:170 @ 500mA，10V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，10V 5功率-最大值:250mW 4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，10V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:200MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，5V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:75MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:125MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:170 @ 500mA，10V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:180MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:60mV @ 10mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 50mA，10V 5功率-最大值:70 @ 50mA，10V 4频率-跃迁:30MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 50mA，10V 5功率-最大值:70 @ 50mA，10V 4频率-跃迁:55MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：150V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：70 @ 50mA，10V 5功率-最大值：70 @ 50mA，10V 4频率-跃迁：55MHz	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：TO-236AB 料号：JTG1-13248 资料：规格书/封装库包装： 3000个/	￥1.27	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个总额：	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： PBSS5250XZ 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANS PNP 50V 2A SOT89-3 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):250mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 20mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:55MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:115MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:170 @ 500mA，10V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，10V 5功率-最大值:250mW 4频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，10V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:200MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，5V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:75MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:125MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:170 @ 500mA，10V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:180MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:60mV @ 10mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 50mA，10V 5功率-最大值:70 @ 50mA，10V 4频率-跃迁:30MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 50mA，10V 5功率-最大值:70 @ 50mA，10V 4频率-跃迁:55MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:380mV @ 100mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，2V 5功率-最大值:550mW 4频率-跃迁:100MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：2A 2电压-集射极击穿(最大值)：50V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：200 @ 1A，2V 5功率-最大值：550mW 4频率-跃迁：100MHz	外壳：TO-243AA 封装：SOT-89 料号：JTG1-13249 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BCX5116H6433XTMA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： TRANSISTOR AF SOT89-4 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):250mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 20mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:55MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 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状态：在售型号： BCX51H6327XTSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： TRANSISTOR AF SOT89-4 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:63 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2.2W 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):250mA 2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 20mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 50mA，10V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:55MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 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状态：在售型号： BCX5216H6327XTSA1 品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌描述： TRANSISTOR AF SOT89-4 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 100µA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:50mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:350mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10mA，1V 5功率-最大值:275mW 4频率-跃迁:250MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 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2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 300mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，5V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:75MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:125MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:170 @ 500mA，10V 5功率-最大值:1.35W 4频率-跃迁:180MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:60mV @ 10mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 50mA，10V 5功率-最大值:70 @ 50mA，10V 4频率-跃迁:30MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):150V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 50mA，10V 5功率-最大值:70 @ 50mA，10V 4频率-跃迁:55MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:380mV @ 100mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):100nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 1A，2V 5功率-最大值:550mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:125MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:125MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:125MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon/英飞凌制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 150mA，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:125MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：60V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 150mA，2V 5功率-最大值：2W 4频率-跃迁：125MHz	外壳：TO-243AA 封装：PG-SOT89 料号：JTG1-13253 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 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