晶体管单路晶体管-双极(BJT)商品目录【辰科芯查】

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状态：在售型号： 2N6431 PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA 2电压-集射极击穿(最大值)：300V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：50 @ 30mA，10V 5功率-最大值：1.8W 4频率-跃迁：50MHz	外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐封装：TO-18 料号：JTG1-13419 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N4104 PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANSISTOR-SMALL SI SMD 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：50mA 2电压-集射极击穿(最大值)：60V 6电流-集电极截止(最大值)：- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值：30mW 4频率-跃迁：540MHz	外壳：模具封装：模具料号：JTG1-13420 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N1131 PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：600mA 2电压-集射极击穿(最大值)：50V 6电流-集电极截止(最大值)：100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：20 @ 150mA，10V 5功率-最大值：2W 4频率-跃迁：50MHz	外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐封装：TO-39 料号：JTG1-13421 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N6432 PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA 2电压-集射极击穿(最大值)：200V 6电流-集电极截止(最大值)：250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 10mA，10V 5功率-最大值：1.8W 4频率-跃迁：50MHz	外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐封装：TO-18 料号：JTG1-13422 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N6433 PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA 2电压-集射极击穿(最大值)：300V 6电流-集电极截止(最大值)：250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 10mA，10V 5功率-最大值：1.8W 4频率-跃迁：50MHz	外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐封装：TO-18 料号：JTG1-13423 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N1131A PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁:90MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：PNP 2电压-集射极击穿(最大值)：40V 6电流-集电极截止(最大值)：500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：20 @ 150mA，10V 5功率-最大值：20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁：90MHz	外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐封装：TO-39 料号：JTG1-13424 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N1131B PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁:90MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：- 3电流-集电极(ic)(最大值)：- 2电压-集射极击穿(最大值)：- 6电流-集电极截止(最大值)：- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：- 5功率-最大值：- 4频率-跃迁：-	外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐封装：TO-39 料号：JTG1-13425 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N6430 PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁:90MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA 2电压-集射极击穿(最大值)：200V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：50 @ 30mA，10V 5功率-最大值：1.8W 4频率-跃迁：50MHz	外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐封装：TO-18 料号：JTG1-13426 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BCX22 PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁:90MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：NPN 2电压-集射极击穿(最大值)：125V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 200mA，1V 5功率-最大值：40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁：50MHz	外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐封装：TO-18 料号：JTG1-13427 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BCX23 PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁:90MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：PNP 2电压-集射极击穿(最大值)：125V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 200mA，1V 5功率-最大值：40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁：50MHz	外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐封装：TO-18 料号：JTG1-13428 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N4399 PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANS PNP 60V 30A TO-3 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁:90MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:15 @ 15A，2V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:4MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：30A 2电压-集射极击穿(最大值)：60V 6电流-集电极截止(最大值)：5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：15 @ 15A，2V 5功率-最大值：5W 4频率-跃迁：4MHz	外壳：TO-204AA，TO-3 封装：TO-3 料号：JTG1-13429 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N3055 PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁:90MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:15 @ 15A，2V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):15A 2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3.3A，10A 6电流-集电极截止(最大值):700µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 4A，4V 5功率-最大值:115W 4频率-跃迁:2.5MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：15A 2电压-集射极击穿(最大值)：70V 6电流-集电极截止(最大值)：700µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：20 @ 4A，4V 5功率-最大值：115W 4频率-跃迁：2.5MHz	外壳：TO-204AA，TO-3 封装：TO-3 料号：JTG1-13430 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N3053A PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁:90MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:15 @ 15A，2V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):15A 2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3.3A，10A 6电流-集电极截止(最大值):700µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 4A，4V 5功率-最大值:115W 4频率-跃迁:2.5MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):700mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 150mA，10V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:100MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：700mA 2电压-集射极击穿(最大值)：60V 6电流-集电极截止(最大值)：- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：50 @ 150mA，10V 5功率-最大值：5W 4频率-跃迁：100MHz	外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐封装：TO-39 料号：JTG1-13431 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N3253 TIN/LEAD 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANS NPN 75V 500NA TO39 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁:90MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:15 @ 15A，2V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):15A 2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3.3A，10A 6电流-集电极截止(最大值):700µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 4A，4V 5功率-最大值:115W 4频率-跃迁:2.5MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):700mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 150mA，10V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):75V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:25 @ 500mA，1V 5功率-最大值:25 @ 500mA，1V 4频率-跃迁:175MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：NPN 2电压-集射极击穿(最大值)：75V 6电流-集电极截止(最大值)：500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：25 @ 500mA，1V 5功率-最大值：25 @ 500mA，1V 4频率-跃迁：175MHz	外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐封装：TO-39 料号：JTG1-13432 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N3715 PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANS NPN 60V 10A TO-3 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁:90MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:15 @ 15A，2V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):15A 2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3.3A，10A 6电流-集电极截止(最大值):700µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 4A，4V 5功率-最大值:115W 4频率-跃迁:2.5MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):700mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 150mA，10V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):75V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:25 @ 500mA，1V 5功率-最大值:25 @ 500mA，1V 4频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 1A，2V 5功率-最大值:150W 4频率-跃迁:4MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：10A 2电压-集射极击穿(最大值)：60V 6电流-集电极截止(最大值)：- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：50 @ 1A，2V 5功率-最大值：150W 4频率-跃迁：4MHz	外壳：TO-204AA，TO-3 封装：TO-3 料号：JTG1-13433 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N5885 PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANS NPN 60V 25A TO-3 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁:90MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:15 @ 15A，2V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):15A 2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3.3A，10A 6电流-集电极截止(最大值):700µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 4A，4V 5功率-最大值:115W 4频率-跃迁:2.5MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):700mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 150mA，10V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):75V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:25 @ 500mA，1V 5功率-最大值:25 @ 500mA，1V 4频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 1A，2V 5功率-最大值:150W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):25A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A 6电流-集电极截止(最大值):2mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 10A，4V 5功率-最大值:200W 4频率-跃迁:4MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：25A 2电压-集射极击穿(最大值)：60V 6电流-集电极截止(最大值)：2mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：20 @ 10A，4V 5功率-最大值：200W 4频率-跃迁：4MHz	外壳：TO-204AA，TO-3 封装：TO-3 料号：JTG1-13434 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N4398 PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANS PNP 40V 30A TO-3 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁:90MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:15 @ 15A，2V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):15A 2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3.3A，10A 6电流-集电极截止(最大值):700µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 4A，4V 5功率-最大值:115W 4频率-跃迁:2.5MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):700mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 150mA，10V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):75V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:25 @ 500mA，1V 5功率-最大值:25 @ 500mA，1V 4频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 1A，2V 5功率-最大值:150W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):25A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A 6电流-集电极截止(最大值):2mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 10A，4V 5功率-最大值:200W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:15 @ 15A，2V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:4MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：30A 2电压-集射极击穿(最大值)：40V 6电流-集电极截止(最大值)：5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：15 @ 15A，2V 5功率-最大值：5W 4频率-跃迁：4MHz	外壳：TO-204AA，TO-3 封装：TO-3 料号：JTG1-13435 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N3585 PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANS NPN 300V 2A TO-66 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁:90MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:15 @ 15A，2V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):15A 2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3.3A，10A 6电流-集电极截止(最大值):700µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 4A，4V 5功率-最大值:115W 4频率-跃迁:2.5MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):700mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 150mA，10V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):75V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:25 @ 500mA，1V 5功率-最大值:25 @ 500mA，1V 4频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 1A，2V 5功率-最大值:150W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):25A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A 6电流-集电极截止(最大值):2mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 10A，4V 5功率-最大值:200W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:15 @ 15A，2V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 125mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:25 @ 1A，10V 5功率-最大值:35W 4频率-跃迁:10MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：2A 2电压-集射极击穿(最大值)：300V 6电流-集电极截止(最大值)：5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：25 @ 1A，10V 5功率-最大值：35W 4频率-跃迁：10MHz	外壳：TO-213AA，TO-66-2 封装：TO-66 料号：JTG1-13436 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： D965-R-BP 品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科描述： NPN PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSIST 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁:90MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:15 @ 15A，2V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):15A 2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3.3A，10A 6电流-集电极截止(最大值):700µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 4A，4V 5功率-最大值:115W 4频率-跃迁:2.5MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):700mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 150mA，10V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):75V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:25 @ 500mA，1V 5功率-最大值:25 @ 500mA，1V 4频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 1A，2V 5功率-最大值:150W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):25A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A 6电流-集电极截止(最大值):2mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 10A，4V 5功率-最大值:200W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:15 @ 15A，2V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 125mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:25 @ 1A，10V 5功率-最大值:35W 4频率-跃迁:10MHz 系列:- 制造商:MCC/美微科制造商统称:未设定制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):22V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 100mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:340 @ 500mA，2V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：5A 2电压-集射极击穿(最大值)：22V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：340 @ 500mA，2V 5功率-最大值：750mW 4频率-跃迁：-	外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）封装：TO-92 料号：JTG1-13437 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2SD1913S 品牌： SANYO/三洋 SANYO 三洋描述： TRANS NPN 60V 3A TO-220ML 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁:90MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:15 @ 15A，2V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):15A 2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3.3A，10A 6电流-集电极截止(最大值):700µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 4A，4V 5功率-最大值:115W 4频率-跃迁:2.5MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):700mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 150mA，10V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):75V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:25 @ 500mA，1V 5功率-最大值:25 @ 500mA，1V 4频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 1A，2V 5功率-最大值:150W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):25A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A 6电流-集电极截止(最大值):2mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 10A，4V 5功率-最大值:200W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:15 @ 15A，2V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 125mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:25 @ 1A，10V 5功率-最大值:35W 4频率-跃迁:10MHz 系列:- 制造商:MCC/美微科制造商统称:未设定制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):22V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 100mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:340 @ 500mA，2V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:SANYO/三洋制造商统称:未设定制造商统称:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:140 @ 500mA，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：3A 2电压-集射极击穿(最大值)：60V 6电流-集电极截止(最大值)：- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：140 @ 500mA，5V 5功率-最大值：2W 4频率-跃迁：100MHz	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220ML 料号：JTG1-13438 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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状态：在售型号： 2N6431 PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA 2电压-集射极击穿(最大值)：300V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：50 @ 30mA，10V 5功率-最大值：1.8W 4频率-跃迁：50MHz	外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐封装：TO-18 料号：JTG1-13419 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N4104 PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANSISTOR-SMALL SI SMD 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：50mA 2电压-集射极击穿(最大值)：60V 6电流-集电极截止(最大值)：- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值：30mW 4频率-跃迁：540MHz	外壳：模具封装：模具料号：JTG1-13420 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N1131 PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：600mA 2电压-集射极击穿(最大值)：50V 6电流-集电极截止(最大值)：100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：20 @ 150mA，10V 5功率-最大值：2W 4频率-跃迁：50MHz	外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐封装：TO-39 料号：JTG1-13421 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N6432 PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA 2电压-集射极击穿(最大值)：200V 6电流-集电极截止(最大值)：250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 10mA，10V 5功率-最大值：1.8W 4频率-跃迁：50MHz	外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐封装：TO-18 料号：JTG1-13422 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N6433 PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA 2电压-集射极击穿(最大值)：300V 6电流-集电极截止(最大值)：250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 10mA，10V 5功率-最大值：1.8W 4频率-跃迁：50MHz	外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐封装：TO-18 料号：JTG1-13423 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N1131A PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁:90MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：PNP 2电压-集射极击穿(最大值)：40V 6电流-集电极截止(最大值)：500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：20 @ 150mA，10V 5功率-最大值：20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁：90MHz	外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐封装：TO-39 料号：JTG1-13424 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N1131B PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁:90MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：- 3电流-集电极(ic)(最大值)：- 2电压-集射极击穿(最大值)：- 6电流-集电极截止(最大值)：- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：- 5功率-最大值：- 4频率-跃迁：-	外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐封装：TO-39 料号：JTG1-13425 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N6430 PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁:90MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA 2电压-集射极击穿(最大值)：200V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：50 @ 30mA，10V 5功率-最大值：1.8W 4频率-跃迁：50MHz	外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐封装：TO-18 料号：JTG1-13426 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BCX22 PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁:90MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：NPN 2电压-集射极击穿(最大值)：125V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 200mA，1V 5功率-最大值：40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁：50MHz	外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐封装：TO-18 料号：JTG1-13427 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BCX23 PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁:90MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：PNP 2电压-集射极击穿(最大值)：125V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 200mA，1V 5功率-最大值：40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁：50MHz	外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐封装：TO-18 料号：JTG1-13428 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N4399 PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANS PNP 60V 30A TO-3 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁:90MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:15 @ 15A，2V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:4MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：30A 2电压-集射极击穿(最大值)：60V 6电流-集电极截止(最大值)：5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：15 @ 15A，2V 5功率-最大值：5W 4频率-跃迁：4MHz	外壳：TO-204AA，TO-3 封装：TO-3 料号：JTG1-13429 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N3055 PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁:90MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:15 @ 15A，2V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):15A 2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3.3A，10A 6电流-集电极截止(最大值):700µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 4A，4V 5功率-最大值:115W 4频率-跃迁:2.5MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：15A 2电压-集射极击穿(最大值)：70V 6电流-集电极截止(最大值)：700µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：20 @ 4A，4V 5功率-最大值：115W 4频率-跃迁：2.5MHz	外壳：TO-204AA，TO-3 封装：TO-3 料号：JTG1-13430 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N3053A PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁:90MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:15 @ 15A，2V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):15A 2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3.3A，10A 6电流-集电极截止(最大值):700µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 4A，4V 5功率-最大值:115W 4频率-跃迁:2.5MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):700mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 150mA，10V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:100MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：700mA 2电压-集射极击穿(最大值)：60V 6电流-集电极截止(最大值)：- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：50 @ 150mA，10V 5功率-最大值：5W 4频率-跃迁：100MHz	外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐封装：TO-39 料号：JTG1-13431 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N3253 TIN/LEAD 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANS NPN 75V 500NA TO39 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁:90MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:15 @ 15A，2V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):15A 2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3.3A，10A 6电流-集电极截止(最大值):700µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 4A，4V 5功率-最大值:115W 4频率-跃迁:2.5MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):700mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 150mA，10V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):75V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:25 @ 500mA，1V 5功率-最大值:25 @ 500mA，1V 4频率-跃迁:175MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：NPN 2电压-集射极击穿(最大值)：75V 6电流-集电极截止(最大值)：500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：25 @ 500mA，1V 5功率-最大值：25 @ 500mA，1V 4频率-跃迁：175MHz	外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐封装：TO-39 料号：JTG1-13432 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N3715 PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANS NPN 60V 10A TO-3 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁:90MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:15 @ 15A，2V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):15A 2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3.3A，10A 6电流-集电极截止(最大值):700µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 4A，4V 5功率-最大值:115W 4频率-跃迁:2.5MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):700mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 150mA，10V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):75V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:25 @ 500mA，1V 5功率-最大值:25 @ 500mA，1V 4频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 1A，2V 5功率-最大值:150W 4频率-跃迁:4MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：10A 2电压-集射极击穿(最大值)：60V 6电流-集电极截止(最大值)：- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：50 @ 1A，2V 5功率-最大值：150W 4频率-跃迁：4MHz	外壳：TO-204AA，TO-3 封装：TO-3 料号：JTG1-13433 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N5885 PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANS NPN 60V 25A TO-3 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁:90MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:15 @ 15A，2V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):15A 2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3.3A，10A 6电流-集电极截止(最大值):700µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 4A，4V 5功率-最大值:115W 4频率-跃迁:2.5MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):700mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 150mA，10V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):75V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:25 @ 500mA，1V 5功率-最大值:25 @ 500mA，1V 4频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 1A，2V 5功率-最大值:150W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):25A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A 6电流-集电极截止(最大值):2mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 10A，4V 5功率-最大值:200W 4频率-跃迁:4MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：25A 2电压-集射极击穿(最大值)：60V 6电流-集电极截止(最大值)：2mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：20 @ 10A，4V 5功率-最大值：200W 4频率-跃迁：4MHz	外壳：TO-204AA，TO-3 封装：TO-3 料号：JTG1-13434 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N4398 PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANS PNP 40V 30A TO-3 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁:90MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:15 @ 15A，2V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):15A 2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3.3A，10A 6电流-集电极截止(最大值):700µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 4A，4V 5功率-最大值:115W 4频率-跃迁:2.5MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):700mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 150mA，10V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):75V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:25 @ 500mA，1V 5功率-最大值:25 @ 500mA，1V 4频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 1A，2V 5功率-最大值:150W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):25A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A 6电流-集电极截止(最大值):2mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 10A，4V 5功率-最大值:200W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:15 @ 15A，2V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:4MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：30A 2电压-集射极击穿(最大值)：40V 6电流-集电极截止(最大值)：5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：15 @ 15A，2V 5功率-最大值：5W 4频率-跃迁：4MHz	外壳：TO-204AA，TO-3 封装：TO-3 料号：JTG1-13435 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N3585 PBFREE 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANS NPN 300V 2A TO-66 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁:90MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:15 @ 15A，2V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):15A 2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3.3A，10A 6电流-集电极截止(最大值):700µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 4A，4V 5功率-最大值:115W 4频率-跃迁:2.5MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):700mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 150mA，10V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):75V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:25 @ 500mA，1V 5功率-最大值:25 @ 500mA，1V 4频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 1A，2V 5功率-最大值:150W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):25A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A 6电流-集电极截止(最大值):2mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 10A，4V 5功率-最大值:200W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:15 @ 15A，2V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 125mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:25 @ 1A，10V 5功率-最大值:35W 4频率-跃迁:10MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：2A 2电压-集射极击穿(最大值)：300V 6电流-集电极截止(最大值)：5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：25 @ 1A，10V 5功率-最大值：35W 4频率-跃迁：10MHz	外壳：TO-213AA，TO-66-2 封装：TO-66 料号：JTG1-13436 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： D965-R-BP 品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科描述： NPN PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSIST 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁:90MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:15 @ 15A，2V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):15A 2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3.3A，10A 6电流-集电极截止(最大值):700µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 4A，4V 5功率-最大值:115W 4频率-跃迁:2.5MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):700mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 150mA，10V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):75V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:25 @ 500mA，1V 5功率-最大值:25 @ 500mA，1V 4频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 1A，2V 5功率-最大值:150W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):25A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A 6电流-集电极截止(最大值):2mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 10A，4V 5功率-最大值:200W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:15 @ 15A，2V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 125mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:25 @ 1A，10V 5功率-最大值:35W 4频率-跃迁:10MHz 系列:- 制造商:MCC/美微科制造商统称:未设定制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):22V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 100mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:340 @ 500mA，2V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：5A 2电压-集射极击穿(最大值)：22V 6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：340 @ 500mA，2V 5功率-最大值：750mW 4频率-跃迁：-	外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）封装：TO-92 料号：JTG1-13437 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2SD1913S 品牌： SANYO/三洋 SANYO 三洋描述： TRANS NPN 60V 3A TO-220ML 参数：系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:1400 @ 1mA，5V 5功率-最大值:30mW 4频率-跃迁:540MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):600mA 2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):100µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 10mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 150mA，10V 5功率-最大值:20 @ 150mA，10V 4频率-跃迁:90MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 30mA，10V 5功率-最大值:1.8W 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):PNP 2电压-集射极击穿(最大值):125V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 200mA，1V 5功率-最大值:40 @ 200mA，1V 4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:15 @ 15A，2V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):15A 2电压-集射极击穿(最大值):70V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 3.3A，10A 6电流-集电极截止(最大值):700µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 4A，4V 5功率-最大值:115W 4频率-跃迁:2.5MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):700mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 15mA，150mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 150mA，10V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):NPN 2电压-集射极击穿(最大值):75V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:25 @ 500mA，1V 5功率-最大值:25 @ 500mA，1V 4频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:50 @ 1A，2V 5功率-最大值:150W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):25A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A 6电流-集电极截止(最大值):2mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:20 @ 10A，4V 5功率-最大值:200W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30A 2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:4V @ 6A，30A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:15 @ 15A，2V 5功率-最大值:5W 4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:750mV @ 125mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):5mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:25 @ 1A，10V 5功率-最大值:35W 4频率-跃迁:10MHz 系列:- 制造商:MCC/美微科制造商统称:未设定制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):22V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 100mA，3A 6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:340 @ 500mA，2V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:SANYO/三洋制造商统称:未设定制造商统称:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):3A 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 200mA，2A 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:140 @ 500mA，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:100MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：3A 2电压-集射极击穿(最大值)：60V 6电流-集电极截止(最大值)：- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：140 @ 500mA，5V 5功率-最大值：2W 4频率-跃迁：100MHz	外壳：TO-220-3 整包封装：TO-220ML 料号：JTG1-13438 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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