晶体管单路晶体管-双极(BJT)商品目录【辰科芯查】

首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 单路晶体管-双极(BJT)

元器件型号：15814 件

当前类别共15814 件相关商品

商品描述	综合参数	封装规格/资料	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： JANTXV2N3997 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS NPN 80V 10A TO111 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：10A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：80 @ 1A，2V 5功率-最大值：2W 4频率-跃迁：-	外壳：TO-111-4，接线柱封装：TO-111 料号：JTG1-14499 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JANTX2N3999 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS NPN 80V 10A TO59 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：10A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：80 @ 1A，2V 5功率-最大值：2W 4频率-跃迁：-	外壳：TO-210AA，TO-59-4，接线柱封装：TO-59 料号：JTG1-14500 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N4033UB 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS PNP 80V 1A 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 100mA，5V 5功率-最大值：500mW 4频率-跃迁：-	外壳：3-SMD，无引线封装：UB 料号：JTG1-14501 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JANTX2N4261UB 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS PNP 15V 0.03A 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：30mA 2电压-集射极击穿(最大值)：15V 6电流-集电极截止(最大值)：10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：30 @ 10mA，1V 5功率-最大值：200mW 4频率-跃迁：-	外壳：3-SMD，无引线封装：UB 料号：JTG1-14502 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N4405 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS PNP TO-39 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：- 3电流-集电极(ic)(最大值)：- 2电压-集射极击穿(最大值)：- 6电流-集电极截止(最大值)：- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：- 5功率-最大值：- 4频率-跃迁：-	外壳：- 封装：- 料号：JTG1-14503 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JANTX2N5004 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS NPN 80V 5A TO59 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/534 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：5A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值：2W 4频率-跃迁：-	外壳：TO-210AA，TO-59-4，接线柱封装：TO-59 料号：JTG1-14504 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JAN2N5153 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS PNP 80V 2A TO-39 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/534 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：2A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值：1W 4频率-跃迁：-	外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐封装：TO-39（TO-205AD）料号：JTG1-14505 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JAN2N5154 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS NPN 80V 2A TO-39 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/534 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：2A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值：1W 4频率-跃迁：-	外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐封装：TO-39（TO-205AD）料号：JTG1-14506 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JANTX2N5154 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： DIODE 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/534 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：2A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值：1W 4频率-跃迁：-	外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐封装：TO-39（TO-205AD）料号：JTG1-14507 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JANTXV2N5154 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： DIODE 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/534 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：2A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值：1W 4频率-跃迁：-	外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐封装：TO-39（TO-205AD）料号：JTG1-14508 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JANTXV2N5154L 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS NPN 80V 2A TO5 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/534 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：2A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值：1W 4频率-跃迁：-	外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐封装：TO-5 料号：JTG1-14509 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JANTXV2N5237 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS NPN 120V 10A TO-5 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/534 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/394 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 1A，10A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：10A 2电压-集射极击穿(最大值)：120V 6电流-集电极截止(最大值)：10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 5A，5V 5功率-最大值：1W 4频率-跃迁：-	外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐封装：TO-5 料号：JTG1-14510 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JAN2N5415 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS PNP 200V 1A TO-5 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/534 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/394 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 1A，10A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：200V 6电流-集电极截止(最大值)：1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：30 @ 50mA，10V 5功率-最大值：750mW 4频率-跃迁：-	外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐封装：TO-5 料号：JTG1-14511 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JAN2N5416 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS PNP 300V 1A TO5 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/534 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/394 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 1A，10A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：300V 6电流-集电极截止(最大值)：1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：30 @ 50mA，10V 5功率-最大值：750mW 4频率-跃迁：-	外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐封装：TO-5 料号：JTG1-14512 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JAN2N5416S 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS PNP 300V 1A TO-39 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/534 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/394 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 1A，10A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：300V 6电流-集电极截止(最大值)：1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：30 @ 50mA，10V 5功率-最大值：750mW 4频率-跃迁：-	外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐封装：TO-39（TO-205AD）料号：JTG1-14513 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JANTXV2N5416S 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS PNP 300V 1A TO-39 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/534 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/394 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 1A，10A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：300V 6电流-集电极截止(最大值)：1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：30 @ 50mA，10V 5功率-最大值：750mW 4频率-跃迁：-	外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐封装：TO-39（TO-205AD）料号：JTG1-14514 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JANTXV2N5664 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS NPN 200V 5A TO66 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/534 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/394 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 1A，10A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5A，1A 6电流-集电极截止(最大值):200nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 1A，5V 5功率-最大值:2.5W 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：5A 2电压-集射极击穿(最大值)：200V 6电流-集电极截止(最大值)：200nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 1A，5V 5功率-最大值：2.5W 4频率-跃迁：-	外壳：TO-213AA，TO-66-2 封装：TO-66（TO-213AA）料号：JTG1-14515 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JANTXV2N5666 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS NPN 200V 5A TO5 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/534 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/394 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 1A，10A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5A，1A 6电流-集电极截止(最大值):200nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 1A，5V 5功率-最大值:2.5W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5A，1A 6电流-集电极截止(最大值):200nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 1A，5V 5功率-最大值:1.2W 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：5A 2电压-集射极击穿(最大值)：200V 6电流-集电极截止(最大值)：200nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 1A，5V 5功率-最大值：1.2W 4频率-跃迁：-	外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐封装：TO-5 料号：JTG1-14516 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JAN2N5666S 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS NPN 200V 5A TO39 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/534 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/394 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 1A，10A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5A，1A 6电流-集电极截止(最大值):200nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 1A，5V 5功率-最大值:2.5W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5A，1A 6电流-集电极截止(最大值):200nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 1A，5V 5功率-最大值:1.2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5A，1A 6电流-集电极截止(最大值):200nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 1A，5V 5功率-最大值:1.2W 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：5A 2电压-集射极击穿(最大值)：200V 6电流-集电极截止(最大值)：200nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 1A，5V 5功率-最大值：1.2W 4频率-跃迁：-	外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐封装：TO-39（TO-205AD）料号：JTG1-14517 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JANTX2N5666S 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS NPN 200V 5A TO39 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/534 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/394 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 1A，10A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5A，1A 6电流-集电极截止(最大值):200nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 1A，5V 5功率-最大值:2.5W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5A，1A 6电流-集电极截止(最大值):200nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 1A，5V 5功率-最大值:1.2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5A，1A 6电流-集电极截止(最大值):200nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 1A，5V 5功率-最大值:1.2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5A，1A 6电流-集电极截止(最大值):200nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 1A，5V 5功率-最大值:1.2W 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：5A 2电压-集射极击穿(最大值)：200V 6电流-集电极截止(最大值)：200nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 1A，5V 5功率-最大值：1.2W 4频率-跃迁：-	外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐封装：TO-39（TO-205AD）料号：JTG1-14518 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

共有15814个记录每页显示20条，本页14501-14520条 726/791页首页上一页 722 723 724 725 726 727 728 729 730 下一页尾页

商品描述	综合参数	封装规格/资料	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： JANTXV2N3997 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS NPN 80V 10A TO111 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：10A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：80 @ 1A，2V 5功率-最大值：2W 4频率-跃迁：-	外壳：TO-111-4，接线柱封装：TO-111 料号：JTG1-14499 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JANTX2N3999 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS NPN 80V 10A TO59 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：10A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：80 @ 1A，2V 5功率-最大值：2W 4频率-跃迁：-	外壳：TO-210AA，TO-59-4，接线柱封装：TO-59 料号：JTG1-14500 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N4033UB 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS PNP 80V 1A 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 100mA，5V 5功率-最大值：500mW 4频率-跃迁：-	外壳：3-SMD，无引线封装：UB 料号：JTG1-14501 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JANTX2N4261UB 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS PNP 15V 0.03A 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：30mA 2电压-集射极击穿(最大值)：15V 6电流-集电极截止(最大值)：10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：30 @ 10mA，1V 5功率-最大值：200mW 4频率-跃迁：-	外壳：3-SMD，无引线封装：UB 料号：JTG1-14502 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N4405 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS PNP TO-39 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：- 3电流-集电极(ic)(最大值)：- 2电压-集射极击穿(最大值)：- 6电流-集电极截止(最大值)：- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：- 5功率-最大值：- 4频率-跃迁：-	外壳：- 封装：- 料号：JTG1-14503 包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JANTX2N5004 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS NPN 80V 5A TO59 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/534 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：5A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值：2W 4频率-跃迁：-	外壳：TO-210AA，TO-59-4，接线柱封装：TO-59 料号：JTG1-14504 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JAN2N5153 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS PNP 80V 2A TO-39 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/534 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：2A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值：1W 4频率-跃迁：-	外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐封装：TO-39（TO-205AD）料号：JTG1-14505 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JAN2N5154 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS NPN 80V 2A TO-39 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/534 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：2A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值：1W 4频率-跃迁：-	外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐封装：TO-39（TO-205AD）料号：JTG1-14506 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JANTX2N5154 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： DIODE 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/534 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：2A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值：1W 4频率-跃迁：-	外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐封装：TO-39（TO-205AD）料号：JTG1-14507 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JANTXV2N5154 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： DIODE 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/534 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：2A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值：1W 4频率-跃迁：-	外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐封装：TO-39（TO-205AD）料号：JTG1-14508 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JANTXV2N5154L 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS NPN 80V 2A TO5 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/534 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：2A 2电压-集射极击穿(最大值)：80V 6电流-集电极截止(最大值)：50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值：1W 4频率-跃迁：-	外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐封装：TO-5 料号：JTG1-14509 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JANTXV2N5237 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS NPN 120V 10A TO-5 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/534 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/394 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 1A，10A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：10A 2电压-集射极击穿(最大值)：120V 6电流-集电极截止(最大值)：10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 5A，5V 5功率-最大值：1W 4频率-跃迁：-	外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐封装：TO-5 料号：JTG1-14510 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JAN2N5415 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS PNP 200V 1A TO-5 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/534 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/394 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 1A，10A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：200V 6电流-集电极截止(最大值)：1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：30 @ 50mA，10V 5功率-最大值：750mW 4频率-跃迁：-	外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐封装：TO-5 料号：JTG1-14511 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JAN2N5416 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS PNP 300V 1A TO5 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/534 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/394 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 1A，10A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：300V 6电流-集电极截止(最大值)：1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：30 @ 50mA，10V 5功率-最大值：750mW 4频率-跃迁：-	外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐封装：TO-5 料号：JTG1-14512 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JAN2N5416S 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS PNP 300V 1A TO-39 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/534 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/394 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 1A，10A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：300V 6电流-集电极截止(最大值)：1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：30 @ 50mA，10V 5功率-最大值：750mW 4频率-跃迁：-	外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐封装：TO-39（TO-205AD）料号：JTG1-14513 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JANTXV2N5416S 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS PNP 300V 1A TO-39 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/534 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/394 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 1A，10A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：1A 2电压-集射极击穿(最大值)：300V 6电流-集电极截止(最大值)：1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：30 @ 50mA，10V 5功率-最大值：750mW 4频率-跃迁：-	外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐封装：TO-39（TO-205AD）料号：JTG1-14514 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JANTXV2N5664 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS NPN 200V 5A TO66 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/534 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/394 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 1A，10A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5A，1A 6电流-集电极截止(最大值):200nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 1A，5V 5功率-最大值:2.5W 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：5A 2电压-集射极击穿(最大值)：200V 6电流-集电极截止(最大值)：200nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 1A，5V 5功率-最大值：2.5W 4频率-跃迁：-	外壳：TO-213AA，TO-66-2 封装：TO-66（TO-213AA）料号：JTG1-14515 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JANTXV2N5666 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS NPN 200V 5A TO5 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/534 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/394 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 1A，10A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5A，1A 6电流-集电极截止(最大值):200nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 1A，5V 5功率-最大值:2.5W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5A，1A 6电流-集电极截止(最大值):200nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 1A，5V 5功率-最大值:1.2W 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：5A 2电压-集射极击穿(最大值)：200V 6电流-集电极截止(最大值)：200nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 1A，5V 5功率-最大值：1.2W 4频率-跃迁：-	外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐封装：TO-5 料号：JTG1-14516 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JAN2N5666S 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS NPN 200V 5A TO39 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/534 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/394 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 1A，10A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5A，1A 6电流-集电极截止(最大值):200nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 1A，5V 5功率-最大值:2.5W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5A，1A 6电流-集电极截止(最大值):200nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 1A，5V 5功率-最大值:1.2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5A，1A 6电流-集电极截止(最大值):200nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 1A，5V 5功率-最大值:1.2W 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：5A 2电压-集射极击穿(最大值)：200V 6电流-集电极截止(最大值)：200nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 1A，5V 5功率-最大值：1.2W 4频率-跃迁：-	外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐封装：TO-39（TO-205AD）料号：JTG1-14517 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： JANTX2N5666S 品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技描述： TRANS NPN 200V 5A TO39 参数：系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/374 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:80 @ 1A，2V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 100mA，5V 5功率-最大值:500mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/511 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 10mA，1V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):- 2电压-集射极击穿(最大值):- 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:- 5功率-最大值:- 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/534 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/545 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/544 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):2A 2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 6电流-集电极截止(最大值):50µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:70 @ 2.5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/394 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):10A 2电压-集射极击穿(最大值):120V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 1A，10A 6电流-集电极截止(最大值):10µA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 5A，5V 5功率-最大值:1W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/485 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):1A 2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 6电流-集电极截止(最大值):1mA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:30 @ 50mA，10V 5功率-最大值:750mW 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5A，1A 6电流-集电极截止(最大值):200nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 1A，5V 5功率-最大值:2.5W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5A，1A 6电流-集电极截止(最大值):200nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 1A，5V 5功率-最大值:1.2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5A，1A 6电流-集电极截止(最大值):200nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 1A，5V 5功率-最大值:1.2W 4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455 制造商:Microchip/微芯制造商统称:未设定制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):5A 2电压-集射极击穿(最大值):200V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 5A，1A 6电流-集电极截止(最大值):200nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:40 @ 1A，5V 5功率-最大值:1.2W 4频率-跃迁:- 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：5A 2电压-集射极击穿(最大值)：200V 6电流-集电极截止(最大值)：200nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 1A，5V 5功率-最大值：1.2W 4频率-跃迁：-	外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐封装：TO-39（TO-205AD）料号：JTG1-14518 资料：规格书/封装库包装：	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

今日热搜

业务介绍

购物指南

联系我们

关注我们

销售在线

销售在线

工程师在线

工程师在线

电话咨询

今日热搜

系列

制造商统称

制造商统称

类目

*晶体管类型

*电流 - 集电极（ic）（最大值）

电压 - 集射极击穿（最大值）

*不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）

电流 - 集电极截止（最大值）

不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

*功率 - 最大值

*频率 - 跃迁

安装类型

工作温度

每包数量

业务介绍

购物指南

联系我们

关注我们

销售在线

销售在线

工程师在线

工程师在线

电话咨询