首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 单路晶体管-双极(BJT)
元器件型号：15814 件
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系列

  • *
  • -
  • 2N2222
  • Automotive
  • Automotive, AEC-Q101
  • BC817
  • BC817QB
  • BC817QC
  • BC847xQB
  • CP188
  • ESBC™
  • Military, MIL-PRF-19500/99
  • Military, MIL-PRF-19500/180
  • Military, MIL-PRF-19500/181
  • Military, MIL-PRF-19500/182
  • Military, MIL-PRF-19500/207
  • Military, MIL-PRF-19500/208
  • Military, MIL-PRF-19500/225
  • Military, MIL-PRF-19500/251
  • Military, MIL-PRF-19500/253
  • Military, MIL-PRF-19500/255
  • Military, MIL-PRF-19500/290
  • Military, MIL-PRF-19500/291
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  • Military, MIL-PRF-19500/312
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  • Military, MIL-PRF-19500/317
  • Military, MIL-PRF-19500/323
  • Military, MIL-PRF-19500/348
  • Military, MIL-PRF-19500/349
  • Military, MIL-PRF-19500/350
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  • Military, MIL-PRF-19500/393
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  • Military, MIL-PRF-19500/402
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  • Military, MIL-PRF-19500/408
  • Military, MIL-PRF-19500/423
  • Military, MIL-PRF-19500/433
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  • Military, MIL-PRF-19500/525
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  • Military, MIL-PRF-19500/527
  • Military, MIL-PRF-19500/534
  • Military, MIL-PRF-19500/535
  • Military, MIL-PRF-19500/537
  • Military, MIL-PRF-19500/538
  • Military, MIL-PRF-19500/539
  • Military, MIL-PRF-19500/540
  • Military, MIL-PRF-19500/544
  • Military, MIL-PRF-19500/545
  • Military, MIL-PRF-19500/560
  • Military, MIL-PRF-19500/561
  • Military, MIL-PRF-19500/580
  • Military, MIL-PRF-19500/581
  • Military, MIL-PRF-19500/582
  • Military, MIL-PRF-19500/583
  • Military, MIL-PRF-19500/612
  • Military, MIL-PRF-19500/613
  • Military, MIL-PRF-19500/621
  • Military, MIL-PRF-19500/623
  • Military, MIL-PRF-19500/624
  • Military, MIL-PRF-19500/727
  • SWITCHMODE™
  • Special feature transistors
  • U-MOSVII
  • undefined
  • 军用，MIL-PRF-19500/255
  • 军用，MIL-PRF-19500/291
  • 军用，MIL-PRF-19500/348
  • 军用，MIL-PRF-19500/357
  • 军用，MIL-PRF-19500/366
  • 军用，MIL-PRF-19500/376
  • 军用，MIL-PRF-19500/382
  • 军用，MIL-PRF-19500/391
  • 军用，MIL-PRF-19500/402
  • 军用，MIL-PRF-19500/502
  • 军用，MIL-PRF-19500/583
  • 军用，MIL-PRF-19500/727
  • 双极晶体管
  • 在售
  • 数字晶体管
  • 汽车双极性晶体管
  • 汽车级，AEC-Q101
  • 通用双极性晶体管
  • 配电阻晶体管(RET)
清除

制造商统称

清除

制造商统称

清除

类目

清除

*晶体管类型

  • -
  • NPN
  • NPN + 二极管（隔离式）
  • NPN + 齐纳
  • NPN + 齐纳二极管（隔离式）
  • NPN - Trilinton，齐纳箝位
  • NPN - 发射极切换式双极
  • NPN - 达林顿
  • NPN 雪崩模式
  • PNP
  • PNP + 二极管（隔离式）
  • PNP - 达林顿
清除

*电流 - 集电极（ic）（最大值）

  • -
  • 1.2A
  • 1.3A
  • 1.5A
  • 1.7A
  • 1.8A
  • 1.25A
  • 1A
  • 2.2A
  • 2.4A
  • 2.5A
  • 2.6A
  • 2.7A
  • 2A
  • 3.2A
  • 3.5A
  • 3.7A
  • 3.8A
  • 3A
  • 4.1A
  • 4.2A
  • 4.3A
  • 4.4A
  • 4.5A
  • 4.6A
  • 4.7A
  • 4.8A
  • 4.9A
  • 4A
  • 5.1A
  • 5.2A
  • 5.3A
  • 5.5A
  • 5.6A
  • 5.7A
  • 5.8A
  • 5.25A
  • 5A
  • 6.2A
  • 6.5A
  • 6.6A
  • 6A
  • 7.5A
  • 7A
  • 8A
  • 9A
  • 10A
  • 10mA
  • 12A
  • 14A
  • 15A
  • 15mA
  • 16A
  • 17A
  • 18A
  • 20A
  • 20mA
  • 24A
  • 25A
  • 25mA
  • 26A
  • 30A
  • 30mA
  • 32A
  • 36A
  • 40A
  • 42A
  • 45A
  • 50A
  • 50mA
  • 60A
  • 60mA
  • 65mA
  • 67A
  • 70mA
  • 72A
  • 80A
  • 80mA
  • 84A
  • 100A
  • 100mA
  • 120A
  • 120mA
  • 150mA
  • 200mA
  • 200µA
  • 225mA
  • 250mA
  • 300mA
  • 400mA
  • 500mA
  • 600mA
  • 700mA
  • 750mA
  • 800mA
  • 900mA
  • 950mA
  • NPN
  • NPN - 达林顿
  • PNP
  • PNP - 达林顿
清除

电压 - 集射极击穿（最大值）

  • -
  • 3A
  • 6V
  • 7V
  • 10V
  • 11V
  • 12V
  • 15V
  • 16V
  • 17.5V
  • 18V
  • 20V
  • 22V
  • 25V
  • 30V
  • 31V
  • 32V
  • 35V
  • 36V
  • 40V
  • 45V
  • 50V
  • 55V
  • 60V
  • 65V
  • 70V
  • 72V
  • 75V
  • 80V
  • 90V
  • 100V
  • 110V
  • 120V
  • 125V
  • 140V
  • 150V
  • 160V
  • 170V
  • 175V
  • 180V
  • 185V
  • 200V
  • 220V
  • 225V
  • 230V
  • 250V
  • 260V
  • 275V
  • 285V
  • 300V
  • 325V
  • 350V
  • 370V
  • 375V
  • 380V
  • 400V
  • 420V
  • 425V
  • 440V
  • 450V
  • 460V
  • 465V
  • 480V
  • 500V
  • 525V
  • 550V
  • 560V
  • 600V
  • 650V
  • 700V
  • 750V
  • 800V
  • 900V
  • 1000V
  • 1100V
  • 1200V
  • 2200V
  • NPN
  • PNP
清除

*不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）

  • -
  • 0.5mV @ 100mA，2A
  • 0.15mV @ 500µA，10V
  • 1.05V @ 5mA，1A
  • 1.1V @ 150mA，3A
  • 1.1V @ 200µA，200mA
  • 1.1V @ 250µA，250mA
  • 1.1V @ 300mA，3A
  • 1.1V @ 400mA，4A
  • 1.1V @ 500mA，2.5A
  • 1.1V @ 600mA，3A
  • 1.1V @ 750mA，3A
  • 1.2V @ 1.5mA，1.5A
  • 1.2V @ 1A，4A
  • 1.2V @ 2A，20A
  • 1.2V @ 3.2A，16A
  • 1.2V @ 3.3A，10A
  • 1.2V @ 3.5A，35A
  • 1.2V @ 3mA，30mA
  • 1.2V @ 5A，50A
  • 1.2V @ 5mA，50mA
  • 1.2V @ 6.4A，32A
  • 1.2V @ 10mA，1A
  • 1.2V @ 50mA，500mA
  • 1.2V @ 100mA，1A
  • 1.2V @ 250mA，1A
  • 1.2V @ 330mA，1A
  • 1.2V @ 375mA，3A
  • 1.2V @ 400mA，2A
  • 1.2V @ 400mA，4A
  • 1.2V @ 500mA，2.5A
  • 1.2V @ 500mA，5A
  • 1.2V @ 500mA，10A
  • 1.2V @ 600mA，3A
  • 1.2V @ 800mA，4A
  • 1.3V @ 1A，4A
  • 1.3V @ 2.4A，60A
  • 1.3V @ 4mA，4A
  • 1.3V @ 15mA，150mA
  • 1.3V @ 500µA，500mA
  • 1.3V @ 600mA，2.5A
  • 1.4V @ 1.2A，20A
  • 1.4V @ 1A，4A
  • 1.4V @ 2.8A，50A
  • 1.4V @ 2A，35A
  • 1.4V @ 4A，40A
  • 1.4V @ 15mA，150mA
  • 1.4V @ 20mA，200mA
  • 1.4V @ 30mA，300mA
  • 1.4V @ 125mA，1A
  • 1.4V @ 200µA，200mA
  • 1.4V @ 800mA，8A
  • 1.5V @ 1.2A，6A
  • 1.5V @ 1.2A，12A
  • 1.5V @ 1.2mA，600mA
  • 1.5V @ 1.5mA，1.5A
  • 1.5V @ 1.5mA，1A
  • 1.5V @ 1.6A，56A
  • 1.5V @ 1.25A，5A
  • 1.5V @ 1.25A，10A
  • 1.5V @ 1.33A，4A
  • 1.5V @ 1.67A，10A
  • 1.5V @ 1A，3.5A
  • 1.5V @ 1A，3A
  • 1.5V @ 1A，5A
  • 1.5V @ 1A，6A
  • 1.5V @ 1A，10A
  • 1.5V @ 1A，100A
  • 1.5V @ 1mA，1A
  • 1.5V @ 1mA，500mA
  • 1.5V @ 2.4A，12A
  • 1.5V @ 2.4A，85A
  • 1.5V @ 2.5A，10A
  • 1.5V @ 2.5A，20A
  • 1.5V @ 2A，20A
  • 1.5V @ 2mA，1A
  • 1.5V @ 2mA，2A
  • 1.5V @ 3A，15A
  • 1.5V @ 3A，25A
  • 1.5V @ 3mA，2A
  • 1.5V @ 3mA，3A
  • 1.5V @ 3mA，30mA
  • 1.5V @ 4A，20A
  • 1.5V @ 4mA，2A
  • 1.5V @ 5A，50A
  • 1.5V @ 5mA，2A
  • 1.5V @ 5mA，5A
  • 1.5V @ 5mA，50mA
  • 1.5V @ 6mA，3A
  • 1.5V @ 8mA，4A
  • 1.5V @ 10mA，3A
  • 1.5V @ 10mA，5A
  • 1.5V @ 15mA，150mA
  • 1.5V @ 16mA，8A
  • 1.5V @ 20mA，1A
  • 1.5V @ 20mA，2A
  • 1.5V @ 20mA，3A
  • 1.5V @ 20mA，4A
  • 1.5V @ 20mA，10A
  • 1.5V @ 20mA，200mA
  • 1.5V @ 30mA，300mA
  • 1.5V @ 40mA，200mA
  • 1.5V @ 50mA，5A
  • 1.5V @ 50mA，250mA
  • 1.5V @ 50mA，500mA
  • 1.5V @ 100µA，100mA
  • 1.5V @ 135mA，400mA
  • 1.5V @ 160mA，800mA
  • 1.5V @ 200mA，1A
  • 1.5V @ 200mA，2A
  • 1.5V @ 250mA，1A
  • 1.5V @ 250mA，2.5A
  • 1.5V @ 250mA，750mA
  • 1.5V @ 300mA，3A
  • 1.5V @ 330mA，2.5A
  • 1.5V @ 400mA，1.6A
  • 1.5V @ 400mA，2A
  • 1.5V @ 400mA，4A
  • 1.5V @ 400µA，200mA
  • 1.5V @ 500mA，1.5A
  • 1.5V @ 500mA，2.5A
  • 1.5V @ 500mA，5A
  • 1.5V @ 500µA，500mA
  • 1.5V @ 600mA，2A
  • 1.5V @ 600mA，3A
  • 1.5V @ 600mA，6A
  • 1.5V @ 800mA，8A
  • 1.5V @ 860mA，5A
  • 1.6V @ 1mA，1A
  • 1.6V @ 4mA，1A
  • 1.6V @ 5mA，20mA
  • 1.6V @ 5mA，25mA
  • 1.6V @ 50mA，500mA
  • 1.6V @ 125mA，1A
  • 1.6V @ 500mA，5A
  • 1.7V @ 250mA，10A
  • 1.7V @ 300mA，3A
  • 1.7V @ 600mA，3A
  • 1.8V @ 1.5A，6A
  • 1.8V @ 1A，5A
  • 1.8V @ 1mA，1A
  • 1.8V @ 2.5A，25A
  • 1.8V @ 5mA，20mA
  • 1.8V @ 24mA，12A
  • 1.8V @ 250mA，10A
  • 1.8V @ 750mA，3A
  • 1.13V @ 20mA，2A
  • 1.25V @ 8mA，800mA
  • 1.35V @ 4A，70A
  • 1V @ 1.2A，6A
  • 1V @ 1.2A，12A
  • 1V @ 1.6A，4.5A
  • 1V @ 1.6A，8A
  • 1V @ 1A，3A
  • 1V @ 1A，4A
  • 1V @ 1A，5A
  • 1V @ 1A，10A
  • 1V @ 1mA，1A
  • 1V @ 1mA，10mA
  • 1V @ 2A，4.5A
  • 1V @ 2A，10A
  • 1V @ 2mA，200mA
  • 1V @ 3A，15A
  • 1V @ 3mA，30mA
  • 1V @ 5A，1A
  • 1V @ 5mA，50mA
  • 1V @ 5mA，100mA
  • 1V @ 5mA，500mA
  • 1V @ 6mA，30mA
  • 1V @ 10mA，100mA
  • 1V @ 10µA，10mA
  • 1V @ 15A，60A
  • 1V @ 15mA，500mA
  • 1V @ 20mA，200mA
  • 1V @ 20mA，500mA
  • 1V @ 25mA，200mA
  • 1V @ 30mA，300mA
  • 1V @ 50mA，2A
  • 1V @ 50mA，5A
  • 1V @ 50mA，150mA
  • 1V @ 50mA，350mA
  • 1V @ 50mA，500mA
  • 1V @ 60mA，300mA
  • 1V @ 62.5mA，500mA
  • 1V @ 70mA，700mA
  • 1V @ 75mA，600mA
  • 1V @ 100mA，1A
  • 1V @ 100mA，3A
  • 1V @ 100mA，4A
  • 1V @ 100mA，500mA
  • 1V @ 100mA，800mA
  • 1V @ 100µA，100mA
  • 1V @ 150mA，1.2A
  • 1V @ 150mA，1.5A
  • 1V @ 150mA，1A
  • 1V @ 150mA，750mA
  • 1V @ 200mA，1A
  • 1V @ 200mA，2A
  • 1V @ 250mA，1A
  • 1V @ 250mA，2A
  • 1V @ 300mA，1.5A
  • 1V @ 300mA，3A
  • 1V @ 400mA，2A
  • 1V @ 400mA，4A
  • 1V @ 400mA，8A
  • 1V @ 400µA，2A
  • 1V @ 500mA，2A
  • 1V @ 500mA，5A
  • 1V @ 500mA，20mA
  • 1V @ 500µA，10mA
  • 1V @ 600mA，3A
  • 1V @ 640mA，3.2A
  • 1V @ 750mA，3A
  • 1V @ 800mA，4A
  • 1V @ 800mA，5A
  • 1V @ 800mA，8A
  • 1V @ 900mA，2A
  • 2.5V @ 1.2A，6A
  • 2.5V @ 1.75A，7A
  • 2.5V @ 1A，4A
  • 2.5V @ 1A，10A
  • 2.5V @ 2A，10A
  • 2.5V @ 2mA，2A
  • 2.5V @ 3.3A，10A
  • 2.5V @ 3.25A，13A
  • 2.5V @ 3A，12A
  • 2.5V @ 4mA，4A
  • 2.5V @ 5A，20A
  • 2.5V @ 5mA，5A
  • 2.5V @ 5mA，50mA
  • 2.5V @ 6mA，1.5A
  • 2.5V @ 6mA，3A
  • 2.5V @ 6mA，6A
  • 2.5V @ 7mA，7A
  • 2.5V @ 8mA，2A
  • 2.5V @ 8mA，4A
  • 2.5V @ 10mA，5A
  • 2.5V @ 10mA，10A
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  • 900V
  • 900mV @ 1A，4A
  • 900mV @ 2mA，20mA
  • 900mV @ 6A，30A
  • 900mV @ 7A，70A
  • 900mV @ 10A，100A
  • 900mV @ 15mA，150mA
  • 900mV @ 30mA，300mA
  • 900mV @ 100mA，1A
  • 900mV @ 100µA，100mA
  • 900mV @ 150mA，3A
  • 900mV @ 200mA，1A
  • 950mV @ 100mA，1A
  • 960mV @ 5mA，1A
  • 1000V
清除

电流 - 集电极截止（最大值）

  • -
  • 1.5mA
  • 1.7µA（ICBO）
  • 1mA
  • 1mA（ICBO）
  • 1µA
  • 1µA（ICBO）
  • 2mA
  • 2nA
  • 2nA（ICBO）
  • 2µA
  • 2µA（ICBO）
  • 3mA
  • 5mA
  • 5mA（ICBO）
  • 5µA
  • 5µA（ICBO）
  • 10mA
  • 10nA
  • 10nA（ICBO）
  • 10µA
  • 10µA（ICBO）
  • 15nA
  • 15nA（ICBO）
  • 15µA
  • 15µA（ICBO）
  • 20nA
  • 20nA（ICBO）
  • 20µA
  • 20µA（ICBO）
  • 25mA（ICBO）
  • 25nA
  • 25nA（ICBO）
  • 25µA（ICBO）
  • 30nA
  • 30nA（ICBO）
  • 30µA（ICBO）
  • 35nA
  • 50mA
  • 50nA
  • 50nA（ICBO）
  • 50µA
  • 50µA（ICBO）
  • 60V
  • 70µA（ICBO）
  • 75µA
  • 100mA
  • 100mA（ICBO）
  • 100nA
  • 100nA（ICBO）
  • 100µA
  • 100µA（ICBO）
  • 150µA
  • 200mA
  • 200nA
  • 200nA（ICBO）
  • 200µA
  • 200µA（ICBO）
  • 250mA
  • 250nA
  • 250nA（ICBO）
  • 250µA
  • 300nA
  • 300nA（ICBO）
  • 300µA
  • 400mA
  • 400nA
  • 400nA（ICBO）
  • 400µA
  • 500nA
  • 500nA（ICBO）
  • 500pA（ICBO）
  • 500µA
  • 500µA（ICBO）
  • 650mV @ 5mA，100mA
  • 700µA
  • 750µA
清除

不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

  • -
  • 1mA
  • 2.25 @ 4.5A，5V
  • 3 @ 200mA，2V
  • 3 @ 250mA，10V
  • 3 @ 500mA，5V
  • 4 @ 1A，1V
  • 4 @ 2A，1V
  • 4 @ 2A，5V
  • 4 @ 4A，5V
  • 4 @ 5A，5V
  • 4 @ 7A，10V
  • 4 @ 10A，4V
  • 4.5 @ 4.5A，5V
  • 4.5 @ 5A，5V
  • 4.5 @ 6A，5V
  • 4.5 @ 8A，5V
  • 5 @ 1A，2V
  • 5 @ 1A，10V
  • 5 @ 2A，5V
  • 5 @ 4V，25A
  • 5 @ 5.5A，5V
  • 5 @ 5A，5V
  • 5 @ 6A，5V
  • 5 @ 8A，5V
  • 5 @ 10A，5V
  • 5 @ 13A，5V
  • 5 @ 18A，5V
  • 5 @ 25A，4V
  • 5 @ 400mA，5V
  • 5.5 @ 5A，5V
  • 5.5 @ 7A，5V
  • 5.5 @ 9A，5V
  • 5.5 @ 11A，5V
  • 5.5 @ 12A，5V
  • 5.5 @ 13A，5V
  • 6 @ 1A，1V
  • 6 @ 2A，1V
  • 6 @ 2A，5V
  • 6 @ 3A，1V
  • 6 @ 3A，2.5V
  • 6 @ 3A，5V
  • 6 @ 5A，5V
  • 6 @ 7A，5V
  • 6 @ 8.5A，5V
  • 6 @ 8A，5V
  • 6 @ 10A，3V
  • 6 @ 12A，5V
  • 6 @ 100mA，5V
  • 6 @ 300mA，10V
  • 6 @ 500mA，2V
  • 6 @ 800mA，5V
  • 6.5 @ 3A，5V
  • 6.5 @ 6A，5V
  • 6.5 @ 7A，5V
  • 6.5 @ 12A，5V
  • 7 @ 2.5A，2V
  • 7 @ 3A，5V
  • 7 @ 5A，3V
  • 7 @ 6A，2V
  • 7 @ 6A，5V
  • 7 @ 800mA，1V
  • 8 @ 1.2A，2V
  • 8 @ 1A，1V
  • 8 @ 1A，5V
  • 8 @ 2.5A，5V
  • 8 @ 2A，1V
  • 8 @ 2A，5V
  • 8 @ 3A，5V
  • 8 @ 4A，5V
  • 8 @ 5A，5V
  • 8 @ 6A，5V
  • 8 @ 8A，5V
  • 8 @ 10A，2V
  • 8 @ 10A，3V
  • 8 @ 10A，5V
  • 8 @ 15A，3V
  • 8 @ 500mA，2V
  • 8 @ 500mA，5V
  • 8.5 @ 11A，5V
  • 9 @ 2A，5V
  • 9 @ 24A，5V
  • 9 @ 60A，3V
  • 9 @ 200mA，10V
  • 9 @ 500mA，2V
  • 9 @ 750mA，5V
  • 10 @ 1.5A，4V
  • 10 @ 1.8A，4V
  • 10 @ 1A，1V
  • 10 @ 1A，5V
  • 10 @ 1mA，5V
  • 10 @ 2.5A，10V
  • 10 @ 2A，1V
  • 10 @ 2A，4V
  • 10 @ 2A，5V
  • 10 @ 3A，4V
  • 10 @ 4A，2V
  • 10 @ 5A，4V
  • 10 @ 5A，5V
  • 10 @ 5mA，5V
  • 10 @ 6A，4V
  • 10 @ 7A，4V
  • 10 @ 8A，5V
  • 10 @ 8A，300V
  • 10 @ 10A，3V
  • 10 @ 10A，4V
  • 10 @ 10mA，5V
  • 10 @ 10µA，5V
  • 10 @ 15A，4V
  • 10 @ 20mA，20V
  • 10 @ 100mA，5V
  • 10 @ 200mA，5V
  • 10 @ 250mA，10V
  • 10 @ 300mA，5V
  • 10 @ 300mA，10V
  • 10 @ 400mA，5V
  • 10 @ 500mA，5V
  • 10 @ 600mA，3V
  • 10 @ 600mA，5V
  • 10 @ 700mA，4V
  • 10 @ 800mA，5V
  • 10µA（ICBO）
  • 11 @ 2A，5V
  • 12 @ 2A，5V
  • 12 @ 3A，4V
  • 12 @ 3A，5V
  • 12 @ 4A，10V
  • 12 @ 5A，2V
  • 12 @ 32A，5V
  • 12 @ 40mA，5V
  • 12 @ 400mA，3V
  • 12 @ 400mA，5V
  • 12 @ 500mA，2.5V
  • 12 @ 500mA，5V
  • 12 @ 700mA，5V
  • 13 @ 500mA，2V
  • 13 @ 500mA，5V
  • 14 @ 1A，5V
  • 14 @ 2A，5V
  • 14 @ 3A，5V
  • 14 @ 100mA，5V
  • 14 @ 200mA，5V
  • 14 @ 300mA，5V
  • 14 @ 500mA，2V
  • 14 @ 500mA，5V
  • 15 @ 1A，3V
  • 15 @ 1A，4V
  • 15 @ 1A，5V
  • 15 @ 2.5A，10V
  • 15 @ 2A，2V
  • 15 @ 2A，5V
  • 15 @ 2V，1A
  • 15 @ 3A，4V
  • 15 @ 3A，5V
  • 15 @ 4A，2V
  • 15 @ 4A，4V
  • 15 @ 5A，4V
  • 15 @ 5A，5V
  • 15 @ 6A，5V
  • 15 @ 7A，5V
  • 15 @ 8A，2V
  • 15 @ 8A，4V
  • 15 @ 10A，2V
  • 15 @ 10A，4V
  • 15 @ 15A，2V
  • 15 @ 15A，4V
  • 15 @ 20mA，2V
  • 15 @ 20mA，10V
  • 15 @ 25A，2V
  • 15 @ 50A，3V
  • 15 @ 50mA，5V
  • 15 @ 60A，5V
  • 15 @ 100mA，10V
  • 15 @ 200mA，5V
  • 15 @ 300mA，2V
  • 15 @ 300mA，5V
  • 15 @ 400mA，3V
  • 15 @ 500mA，5V
  • 15 @ 600mA，5V
  • 15 @ 800mA，5V
  • 15nA（ICBO）
  • 16 @ 2A，5V
  • 16 @ 350mA，3V
  • 16 @ 350mA，5V
  • 16 @ 500mA，1V
  • 16 @ 500mA，2V
  • 16 @ 800mA，3V
  • 17 @ 1A，5V
  • 18 @ 5A，5V
  • 18 @ 6A，5V
  • 18 @ 700mA，5V
  • 19 @ 1A，5V
  • 19 @ 500mA，2V
  • 20 @ 1.2A，5V
  • 20 @ 1.5A，2V
  • 20 @ 1A，1.5V
  • 20 @ 1A，2V
  • 20 @ 1A，5V
  • 20 @ 2A，1V
  • 20 @ 2A，2V
  • 20 @ 2A，5V
  • 20 @ 2A，10V
  • 20 @ 3A，4V
  • 20 @ 3mA，1V
  • 20 @ 4A，1V
  • 20 @ 4A，2V
  • 20 @ 4A，4V
  • 20 @ 4A，5V
  • 20 @ 5A，4V
  • 20 @ 5A，5V
  • 20 @ 8A，5V
  • 20 @ 8mA，10V
  • 20 @ 10A，2V
  • 20 @ 10A，4V
  • 20 @ 10mA，1V
  • 20 @ 10mA，5V
  • 20 @ 10mA，20V
  • 20 @ 12.5mA，12.5V
  • 20 @ 12A，2V
  • 20 @ 12A，5V
  • 20 @ 15A，2V
  • 20 @ 25A，2V
  • 20 @ 40mA，5V
  • 20 @ 50mA，10V
  • 20 @ 100mA，1V
  • 20 @ 100mA，5V
  • 20 @ 150mA，10V
  • 20 @ 200mA，4V
  • 20 @ 200mA，5V
  • 20 @ 200mA，13.5V
  • 20 @ 300mA，2V
  • 20 @ 300mA，5V
  • 20 @ 400mA，3V
  • 20 @ 400mA，10V
  • 20 @ 500mA，1V
  • 20 @ 500mA，3V
  • 20 @ 500mA，5V
  • 20 @ 500µA，5V
  • 20 @ 600mA，5V
  • 20 @ 800mA，3V
  • 20 @ 800mA，5V
  • 23 @ 800mA，3V
  • 24 @ 2A，3V
  • 24 @ 425mA，2V
  • 25 @ 1.5A，2V
  • 25 @ 1.5A，4V
  • 25 @ 1A，2V
  • 25 @ 1A，4V
  • 25 @ 1A，5V
  • 25 @ 1A，10V
  • 25 @ 1mA，10V
  • 25 @ 2.5A，4V
  • 25 @ 2A，2V
  • 25 @ 2A，5V
  • 25 @ 2mA，10V
  • 25 @ 3mA，1V
  • 25 @ 4A，2V
  • 25 @ 4mA，10V
  • 25 @ 5A，2V
  • 25 @ 5A，275V
  • 25 @ 7.5A，2V
  • 25 @ 8A，5V
  • 25 @ 10mA，10V
  • 25 @ 30mA，10V
  • 25 @ 100mA，5V
  • 25 @ 100mA，10V
  • 25 @ 100µA，1V
  • 25 @ 200mA，3V
  • 25 @ 250mA，10V
  • 25 @ 450mA，3V
  • 25 @ 500mA，1V
  • 25 @ 500mA，4V
  • 25 @ 500mA，5V
  • 25 @ 800mA，3V
  • 26 @ 1A，5V
  • 26 @ 2A，5V
  • 27 @ 100A，5V
  • 28 @ 10mA，3V
  • 30 @ 1.5A，2V
  • 30 @ 1.7A，2V
  • 30 @ 1A，1.5V
  • 30 @ 1A，2V
  • 30 @ 1A，5V
  • 30 @ 1A，10V
  • 30 @ 1mA，1V
  • 30 @ 2.5A，4V
  • 30 @ 2.5A，5V
  • 30 @ 2A，2V
  • 30 @ 2A，4V
  • 30 @ 2A，5V
  • 30 @ 2A，15V
  • 30 @ 2mA，10V
  • 30 @ 3A，2V
  • 30 @ 3A，4V
  • 30 @ 5A，2V
  • 30 @ 5mA，10V
  • 30 @ 7A，80V
  • 30 @ 8A，4V
  • 30 @ 8V，4V
  • 30 @ 8mA，10V
  • 30 @ 10A，2V
  • 30 @ 10mA，1V
  • 30 @ 10mA，3V
  • 30 @ 10mA，5V
  • 30 @ 10mA，10V
  • 30 @ 10mA，300mV
  • 30 @ 20A，4V
  • 30 @ 20mA，10V
  • 30 @ 25mA，1V
  • 30 @ 25mA，10V
  • 30 @ 30mA，5V
  • 30 @ 30mA，10V
  • 30 @ 30mA，400mV
  • 30 @ 50mA，1V
  • 30 @ 50mA，5V
  • 30 @ 50mA，10V
  • 30 @ 100mA，1V
  • 30 @ 100mA，5V
  • 30 @ 100mA，10V
  • 30 @ 100mA，10mV
  • 30 @ 250mA，1V
  • 30 @ 300mA，2V
  • 30 @ 300mA，4V
  • 30 @ 300mA，5V
  • 30 @ 300mA，10V
  • 30 @ 400mA，3V
  • 30 @ 500mA，1V
  • 30 @ 500mA，4V
  • 30 @ 600mA，5V
  • 35 @ 1mA，5V
  • 35 @ 5mA，5V
  • 35 @ 7A，5V
  • 35 @ 10mA，1V
  • 35 @ 30mA，25V
  • 35 @ 100mA，5V
  • 35 @ 100mA，10V
  • 35 @ 200mA，4V
  • 35 @ 200mA，10V
  • 35 @ 500mA，10V
  • 35 @ 750mA，4V
  • 38 @ 7mA，10V
  • 40 @ 1.5A，2V
  • 40 @ 1.5A，5V
  • 40 @ 1A，1V
  • 40 @ 1A，2V
  • 40 @ 1A，4V
  • 40 @ 1A，5V
  • 40 @ 1mA，6V
  • 40 @ 1mA，10V
  • 40 @ 2A，1V
  • 40 @ 2A，2V
  • 40 @ 2V，150MA
  • 40 @ 2mA，1V
  • 40 @ 3A，1V
  • 40 @ 3A，5V
  • 40 @ 4A，1V
  • 40 @ 5A，4V
  • 40 @ 5A，5V
  • 40 @ 5mA，10V
  • 40 @ 5µA，10V
  • 40 @ 7mA，10V
  • 40 @ 10mA，1V
  • 40 @ 10mA，3V
  • 40 @ 10mA，5V
  • 40 @ 10mA，10V
  • 40 @ 10mA，350mV
  • 40 @ 10µA，5V
  • 40 @ 12.5mA，12.5V
  • 40 @ 12A，4V
  • 40 @ 20mA，10V
  • 40 @ 30mA，1V
  • 40 @ 30mA，10V
  • 40 @ 40mA，20V
  • 40 @ 50mA，1V
  • 40 @ 50mA，2V
  • 40 @ 50mA，5V
  • 40 @ 50mA，10V
  • 40 @ 100mA，1V
  • 40 @ 100mA，5V
  • 40 @ 100µA，1V
  • 40 @ 150mA，1V
  • 40 @ 150mA，2V
  • 40 @ 150mA，10V
  • 40 @ 200mA，1V
  • 40 @ 200mA，3V
  • 40 @ 200mA，4V
  • 40 @ 200mA，5V
  • 40 @ 200mA，10V
  • 40 @ 250mA，2V
  • 40 @ 500mA，1V
  • 40 @ 500mA，4V
  • 40 @ 500mA，5V
  • 40 @ 500mA，10V
  • 45 @ 1mA，5V
  • 45 @ 2A，1V
  • 45 @ 30mA，10V
  • 45 @ 50mA，10V
  • 48 @ 100mA，5V
  • 50 @ 1A，1V
  • 50 @ 1A，2V
  • 50 @ 1mA，1V
  • 50 @ 1mA，10V
  • 50 @ 1mA，500mV
  • 50 @ 2A，1V
  • 50 @ 2A，4V
  • 50 @ 2A，5V
  • 50 @ 2mA，1V
  • 50 @ 2mA，5V
  • 50 @ 2mA，10V
  • 50 @ 3A，4V
  • 50 @ 3V，4V
  • 50 @ 5A，1V
  • 50 @ 5A，4V
  • 50 @ 5mA，50V
  • 50 @ 6A，1V
  • 50 @ 7A，5V
  • 50 @ 8A，4V
  • 50 @ 10A，10V
  • 50 @ 10mA，1V
  • 50 @ 10mA，5V
  • 50 @ 10mA，10V
  • 50 @ 10mA，300mV
  • 50 @ 20mA，5V
  • 50 @ 20mA，8V
  • 50 @ 25mA，20V
  • 50 @ 30mA，10V
  • 50 @ 50mA，10V
  • 50 @ 100mA，1V
  • 50 @ 100mA，5V
  • 50 @ 150mA，1V
  • 50 @ 150mA，2V
  • 50 @ 150mA，10V
  • 50 @ 250mA，1V
  • 50 @ 300mA，10V
  • 50 @ 350mA，1V
  • 50 @ 500mA，1V
  • 50 @ 500mA，5V
  • 50 @ 500mA，10V
  • 54 @ 1mA，5V
  • 55 @ 1A，5V
  • 56 @ 1mA，6V
  • 56 @ 5mA，10V
  • 56 @ 10mA，10V
  • 60 @ 1.5A，2V
  • 60 @ 1A，2V
  • 60 @ 1A，4V
  • 60 @ 1A，5V
  • 60 @ 1mA，1V
  • 60 @ 1mA，5V
  • 60 @ 1mA，6V
  • 60 @ 2A，1V
  • 60 @ 2A，2V
  • 60 @ 2mA，5V
  • 60 @ 3A，1V
  • 60 @ 3A，5V
  • 60 @ 5A，1V
  • 60 @ 5A，5V
  • 60 @ 5mA，10V
  • 60 @ 10mA，1V
  • 60 @ 10mA，5V
  • 60 @ 10mA，10V
  • 60 @ 50mA，4V
  • 60 @ 50mA，5V
  • 60 @ 50mA，10V
  • 60 @ 50µA，5V
  • 60 @ 85mA，100mV
  • 60 @ 100mA，1V
  • 60 @ 100mA，2V
  • 60 @ 100mA，5V
  • 60 @ 150mA，5V
  • 60 @ 150mA，10V
  • 60 @ 200mA，5V
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  • 400 @ 300mA，2V
  • 400 @ 500mA，2V
  • 400 @ 500mA，4V
  • 420 @ 2mA，5V
  • 420 @ 500mA，1V
  • 430 @ 1mA，6V
  • 430 @ 100µA，5V
  • 450 @ 1mA，5V
  • 450 @ 2mA，5V
  • 450 @ 500mA，2V
  • 500 @ 1A，4V
  • 500 @ 2A，2V
  • 500 @ 2A，4V
  • 500 @ 4mA，2V
  • 500 @ 5A，4.6V
  • 500 @ 10A，3V
  • 500 @ 10mA，2V
  • 500 @ 10mA，5V
  • 500 @ 100mA，2V
  • 500 @ 100µA，5V
  • 500 @ 400mA，1V
  • 500 @ 500mA，1V
  • 500 @ 500mA，4V
  • 560 @ 500mA，2V
  • 560 @ 500mA，4V
  • 600 @ 1mA，6V
  • 600 @ 2mA，5V
  • 600 @ 2mA，10V
  • 600 @ 10mA，5V
  • 600 @ 150mA，10V
  • 630 @ 10mA，1V
  • 650 @ 500mA，1V
  • 700 @ 500mA，2V
  • 750 @ 1.5A，3V
  • 750 @ 2A，3V
  • 750 @ 3A，3V
  • 750 @ 4A，3V
  • 750 @ 5A，3V
  • 750 @ 6A，3V
  • 750 @ 10A，3V
  • 800 @ 1A，4V
  • 800 @ 4mA，2V
  • 800 @ 200mA，4V
  • 800 @ 500mA，1V
  • 800 @ 500mA，4V
  • 820 @ 1mA，5V
  • 820 @ 4ma，2V
  • 820 @ 10mA，3V
  • 820 @ 500mA，5V
  • 820 @ 500mA，6V
  • 1000 @ 1A，2V
  • 1000 @ 1A，4V
  • 1000 @ 1A，5V
  • 1000 @ 1mA，5V
  • 1000 @ 2A，3V
  • 1000 @ 2mA，10V
  • 1000 @ 3A，2V
  • 1000 @ 3A，3V
  • 1000 @ 3A，4V
  • 1000 @ 3A，5V
  • 1000 @ 4A，3V
  • 1000 @ 4A，4V
  • 1000 @ 5A，3V
  • 1000 @ 5A，4V
  • 1000 @ 5A，5V
  • 1000 @ 6A，3V
  • 1000 @ 10A，3V
  • 1000 @ 20A，5V
  • 1000 @ 25A，5V
  • 1000 @ 150mA，10V
  • 1000 @ 500mA，2V
  • 1000 @ 500mA，3V
  • 1000 @ 500mA，4V
  • 1000 @ 500mA，5V
  • 1200 @ 1mA，5V
  • 1200 @ 10mA，3V
  • 1200 @ 10mA，5V
  • 1200 @ 100A，5V
  • 1200 @ 500mA，4V
  • 1250 @ 10A，3V
  • 1400 @ 1mA，5V
  • 1500 @ 2A，2V
  • 1500 @ 3A，2V
  • 1500 @ 120mA，10V
  • 1800 @ 2A，2V
  • 2000 @ 1.5A，2V
  • 2000 @ 1.5A，3V
  • 2000 @ 1A，2V
  • 2000 @ 1A，5V
  • 2000 @ 2A，2V
  • 2000 @ 2A，4V
  • 2000 @ 2mA，5V
  • 2000 @ 3A，2V
  • 2000 @ 3A，3V
  • 2000 @ 3A，4V
  • 2000 @ 4A，3V
  • 2000 @ 5A，4V
  • 2000 @ 5A，5V
  • 2000 @ 8A，4V
  • 2000 @ 10A，4V
  • 2000 @ 12A，4V
  • 2000 @ 500mA，3V
  • 2000 @ 500mA，10V
  • 3000 @ 1A，5V
  • 3000 @ 3A，2V
  • 3000 @ 3A，4V
  • 4000 @ 1.5A，2V
  • 4000 @ 1A，2V
  • 4000 @ 1A，5V
  • 4000 @ 1A，10V
  • 4000 @ 2A，4V
  • 4000 @ 3A，3V
  • 4000 @ 4A，3V
  • 4000 @ 500mA，10V
  • 5000 @ 3A，2V
  • 5000 @ 3A，3V
  • 5000 @ 4A，5V
  • 5000 @ 5A，4V
  • 5000 @ 6A，4V
  • 5000 @ 7A，4V
  • 5000 @ 10A，4V
  • 5000 @ 100mA，5V
  • 5000 @ 500mA，5V
  • 6500 @ 1A，10V
  • 7000 @ 1A，5V
  • 7000 @ 2mA，5V
  • 8000 @ 1A，2V
  • 8000 @ 1A，10V
  • 8000 @ 500mA，10V
  • 10000 @ 10mA，5V
  • 10000 @ 100mA，3V
  • 10000 @ 100mA，5V
  • 10000 @ 150mA，1V
  • 10000 @ 200mA，5V
  • 10000 @ 500mA，5V
  • 10000 @ 500mA，10V
  • 14000 @ 500mA，5V
  • 15000 @ 100mA，5V
  • 16000 @ 1A，10V
  • 20000 @ 10mA，5V
  • 20000 @ 100mA，5V
  • 20000 @ 150mA，1V
  • 20000 @ 500mA，5V
  • 25000 @ 200mA，5V
  • 30000 @ 20mA，2V
  • 30000 @ 100mA，5V
清除

*功率 - 最大值

  • -
  • 1.05W
  • 1.1W
  • 1.2W
  • 1.3W
  • 1.4W
  • 1.5W
  • 1.6W
  • 1.8W
  • 1.15W
  • 1.25W
  • 1.34W
  • 1.35W
  • 1.44W
  • 1.45W
  • 1.56W
  • 1.58W
  • 1.67W
  • 1.68W
  • 1.72W
  • 1.75W
  • 1W
  • 1mA
  • 1mW
  • 2.1W
  • 2.2W
  • 2.4W
  • 2.5W
  • 2.6W
  • 2.8W
  • 2.25W
  • 2.75W
  • 2W
  • 3.2W
  • 3.5W
  • 3.8W
  • 3.9W
  • 3W
  • 4.2W
  • 4W
  • 5.5W
  • 5.84W
  • 5W
  • 6W
  • 7W
  • 10W
  • 12.5W
  • 14W
  • 15W
  • 20 @ 10mA，1V
  • 20 @ 150mA，10V
  • 20.8W
  • 20W
  • 23W
  • 24 @ 425mA，2V
  • 24W
  • 25 @ 30mA，10V
  • 25 @ 500mA，1V
  • 25W
  • 26W
  • 28W
  • 29W
  • 30 @ 1mA，1V
  • 30 @ 2.5A，5V
  • 30 @ 10mA，1V
  • 30 @ 50mA，10V
  • 30 @ 100mA，1V
  • 30W
  • 30mW
  • 31W
  • 32W
  • 33W
  • 34W
  • 35W
  • 36W
  • 37W
  • 38W
  • 40 @ 1A，2V
  • 40 @ 2A，2V
  • 40 @ 10mA，1V
  • 40 @ 10mA，10V
  • 40 @ 20mA，10V
  • 40 @ 30mA，10V
  • 40 @ 100mA，5V
  • 40 @ 150mA，10V
  • 40 @ 200mA，1V
  • 40W
  • 45 @ 1mA，5V
  • 45W
  • 50 @ 10A，10V
  • 50 @ 10mA，1V
  • 50 @ 10mA，10V
  • 50W
  • 50mW
  • 52W
  • 55W
  • 57W
  • 58W
  • 60 @ 10mA，5V
  • 60 @ 50µA，5V
  • 60 @ 100mA，1V
  • 60W
  • 62W
  • 63 @ 150mA，2V
  • 63W
  • 64W
  • 65W
  • 70 @ 2.5A，5V
  • 70 @ 50mA，10V
  • 70W
  • 75 @ 2mA，4.5V
  • 75W
  • 80 @ 10mA，5V
  • 80 @ 250mA，10V
  • 80W
  • 83W
  • 85W
  • 90 @ 2mA，4.5V
  • 90W
  • 100 @ 1mA，5V
  • 100 @ 10mA，1V
  • 100 @ 50mA，2V
  • 100 @ 50mA，10V
  • 100 @ 100mA，1V
  • 100 @ 150mA，2V
  • 100 @ 150mA，10V
  • 100W
  • 100mW
  • 110 @ 2mA，5V
  • 110W
  • 115W
  • 117W
  • 120 @ 2mA，1V
  • 120 @ 2mA，6V
  • 120W
  • 120mW
  • 125W
  • 125mW
  • 130W
  • 130mW
  • 135W
  • 140W
  • 150 @ 2mA，4.5V
  • 150 @ 250mA，1V
  • 150W
  • 150mW
  • 155W
  • 160 @ 100mA，1V
  • 160W
  • 175W
  • 180 @ 1mA，5V
  • 180 @ 2mA，4.5V
  • 180W
  • 200 @ 1A，2V
  • 200 @ 1mA，5V
  • 200 @ 2mA，5V
  • 200 @ 500mA，2V
  • 200W
  • 200mW
  • 210 @ 2mA，5V
  • 220 @ 1A，2V
  • 220 @ 2mA，5V
  • 220W
  • 225W
  • 225mW
  • 227mW
  • 230W
  • 230mW
  • 235mW
  • 240mW
  • 250 @ 2mA，4.5V
  • 250 @ 2mA，5V
  • 250 @ 100µA，5V
  • 250W
  • 250mW
  • 255mW
  • 260 @ 2mA，5V
  • 260mW
  • 265mW
  • 270W
  • 270mW
  • 275W
  • 275mW
  • 280mW
  • 290mW
  • 300 @ 1A，2V
  • 300 @ 100mA，2V
  • 300 @ 500mA，2V
  • 300W
  • 300mW
  • 310mW
  • 320mW
  • 325mW
  • 330mW
  • 340mW
  • 342mW
  • 350W
  • 350mW
  • 360mW
  • 380 @ 2mA，5V
  • 380mW
  • 385mW
  • 390mW
  • 400W
  • 400mW
  • 410mW
  • 415mW
  • 420 @ 2mA，5V
  • 420mW
  • 425mW
  • 430mW
  • 435mW
  • 440mW
  • 450mW
  • 460mW
  • 480mW
  • 490mW
  • 500mW
  • 520mW
  • 535mW
  • 540mW
  • 545mW
  • 550mW
  • 555mW
  • 590mW
  • 600mW
  • 625mW
  • 630mW
  • 635mW
  • 640mW
  • 650mW
  • 680mW
  • 690mW
  • 700mW
  • 710mW
  • 725mW
  • 730mW
  • 740mW
  • 750 @ 4A，3V
  • 750mW
  • 800mW
  • 806mW
  • 830mW
  • 870mW
  • 875mW
  • 885mW
  • 900mW
  • 950mW
  • 960mW
  • 1000 @ 1A，4V
  • 1000 @ 3A，3V
  • 1000 @ 500mA，5V
  • 10000 @ 10mA，5V
  • 20000 @ 100mA，5V
清除

*频率 - 跃迁

  • -
  • 1
  • 1.5GHz
  • 1.5MHz
  • 1.6GHz
  • 1.25MHz
  • 1GHz
  • 1MHz
  • 2
  • 2.5
  • 2.5GHz
  • 2.5MHz
  • 2.7GHz
  • 2GHz
  • 2MHz
  • 3
  • 3.2GHz
  • 3MHz
  • 4GHz
  • 4MHz
  • 5MHz
  • 6GHz
  • 6MHz
  • 7MHz
  • 8
  • 8.5GHz
  • 8MHz
  • 9
  • 9MHz
  • 10
  • 10GHz
  • 10MHz
  • 10W
  • 11MHz
  • 12MHz
  • 13MHz
  • 14MHz
  • 15.4MHz
  • 15MHz
  • 16MHz
  • 18MHz
  • 19
  • 20
  • 20MHz
  • 23MHz
  • 24MHz
  • 25
  • 25MHz
  • 28MHz
  • 30
  • 30MHz
  • 32MHz
  • 33MHz
  • 35MHz
  • 38MHz
  • 40
  • 40MHz
  • 40W
  • 45MHz
  • 50
  • 50MHz
  • 55MHz
  • 60
  • 60MHz
  • 65MHz
  • 70
  • 70MHz
  • 72MHz
  • 75
  • 75MHz
  • 80
  • 80MHz
  • 80kHz
  • 85
  • 85MHz
  • 90
  • 90MHz
  • 95MHz
  • 96MHz
  • 97MHz
  • 100
  • 100MHz
  • 104MHz
  • 105MHz
  • 110
  • 110MHz
  • 115
  • 115MHz
  • 116MHz
  • 120
  • 120MHz
  • 125
  • 125MHz
  • 128MHz
  • 130
  • 130MHz
  • 135
  • 135MHz
  • 140
  • 140MHz
  • 142
  • 142MHz
  • 145
  • 145MHz
  • 150
  • 150MHz
  • 152MHz
  • 153MHz
  • 155
  • 155MHz
  • 160
  • 160MHz
  • 160W
  • 165
  • 165MHz
  • 170
  • 170MHz
  • 175MHz
  • 176MHz
  • 180
  • 180MHz
  • 185MHz
  • 190
  • 190MHz
  • 195MHz
  • 200
  • 200MHz
  • 200kHz
  • 200mW
  • 205
  • 205MHz
  • 210
  • 210MHz
  • 215MHz
  • 220
  • 220MHz
  • 230
  • 230MHz
  • 235MHz
  • 240
  • 240MHz
  • 250
  • 250MHz
  • 260
  • 260MHz
  • 265MHz
  • 270
  • 270MHz
  • 280MHz
  • 285MHz
  • 290
  • 290MHz
  • 295MHz
  • 300
  • 300MHz
  • 300mW
  • 310MHz
  • 320
  • 320MHz
  • 325
  • 325MHz
  • 330MHz
  • 340MHz
  • 350
  • 350MHz
  • 360
  • 360MHz
  • 365
  • 380
  • 380MHz
  • 390MHz
  • 400
  • 400MHz
  • 400kHz
  • 400mW
  • 420MHz
  • 430MHz
  • 440MHz
  • 450
  • 450MHz
  • 470MHz
  • 490MHz
  • 500
  • 500MHz
  • 510
  • 520MHz
  • 540MHz
  • 550
  • 550MHz
  • 560
  • 600
  • 600MHz
  • 600mW
  • 620MHz
  • 625mW
  • 650
  • 650MHz
  • 675MHz
  • 690MHz
  • 700
  • 700MHz
  • 750
  • 850MHz
  • 5500
  • 8000
  • 9000
清除

安装类型

  • -
  • -65°C ~ 150°C（TJ）
  • 160W
  • 底座安装
  • 底座，接线柱安装
  • 接线柱安装
  • 表面贴装
  • 表面贴装型
  • 表面贴装，可润湿侧翼
  • 通孔
清除

工作温度

  • -
  • -40 to 125
  • -40°C ~ 150°C（TJ）
  • -50°C ~ 150°C（TJ）
  • -55°C ~ 125°C（TJ）
  • -55°C ~ 150°C
  • -55°C ~ 150°C（TA）
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • -55°C ~ 175°C（TA）
  • -55°C ~ 175°C（TJ）
  • -55°C ~ 200°C（TJ）
  • -60°C ~ 150°C（TJ）
  • -65°C ~ 125°C（TJ）
  • -65°C ~ 150°C
  • -65°C ~ 150°C（TJ）
  • -65°C ~ 175°C（TJ）
  • -65°C ~ 200°C（TJ）
  • 0 to 125
  • 0°C ~ 125°C（TA）
  • 125°C（TJ）
  • 135°C（TJ）
  • 150°C
  • 150°C（TJ）
  • 160W
  • 175°C（TJ）
  • 200°C（TJ）
  • —
清除

每包数量

  • 1
  • 116
  • 500
  • 700
  • 800
  • 1000
  • 1500
  • 1800
  • 2000
  • 2500
  • 3000
  • 4000
  • 5000
  • 8000
  • 10000
清除

清除
清除筛选 应用筛选 筛选结果： 15814
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： JANTX2N5661
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TRANS NPN 300V 2A TO-66
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 400mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 500mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:-
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：2A
2电压-集射极击穿(最大值)：300V
6电流-集电极截止(最大值)：200nA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：25 @ 500mA，5V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：-
外壳：TO-213AA，TO-66-2
封装：TO-66
料号：JTG1-14539
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTX2N5661' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： JANTXV2N6287
品牌： MACOM/镁可微波 M/A-Com Technology Solutions 镁可微波技术
描述： DIODE
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 400mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 500mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/505 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 40mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 6A，3V *5功率-最大值:175W *4频率-跃迁:-
1晶体管类型：PNP - 达林顿
3电流-集电极(ic)(最大值)：20A
2电压-集射极击穿(最大值)：100V
6电流-集电极截止(最大值)：1mA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：1000 @ 6A，3V
5功率-最大值：175W
4频率-跃迁：-
外壳：TO-204AA，TO-3
封装：TO-3（TO-204AA）
料号：JTG1-14541
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N6287' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： JANTXV2N6678
品牌： MACOM/镁可微波 M/A-Com Technology Solutions 镁可微波技术
描述： DIODE
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 400mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 500mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/505 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 40mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 6A，3V *5功率-最大值:175W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/538 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 3A，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 1A，3V *5功率-最大值:6W *4频率-跃迁:-
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：15A
2电压-集射极击穿(最大值)：400V
6电流-集电极截止(最大值)：1mA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：15 @ 1A，3V
5功率-最大值：6W
4频率-跃迁：-
外壳：TO-204AA，TO-3
封装：TO-3（TO-204AA）
料号：JTG1-14542
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTXV2N6678' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MACOM/镁可微波' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N6678' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N6678' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： JANTXV2N5684
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TRANS NPN 80V 50A TO-204AA
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 400mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 500mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/505 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 40mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 6A，3V *5功率-最大值:175W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/538 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 3A，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 1A，3V *5功率-最大值:6W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/466 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 10A，50A *6电流-集电极截止(最大值):5µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 5A，2V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:-
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：50A
2电压-集射极击穿(最大值)：80V
6电流-集电极截止(最大值)：5µA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：30 @ 5A，2V
5功率-最大值：300W
4频率-跃迁：-
外壳：TO-204AA，TO-3
封装：TO-204AA（TO-3）
料号：JTG1-14543
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTXV2N5684' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N5684' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N5684' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N5684' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 2N6234
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TRANS PNP 275V 5A TO-66
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 400mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 500mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/505 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 40mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 6A，3V *5功率-最大值:175W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/538 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 3A，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 1A，3V *5功率-最大值:6W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/466 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 10A，50A *6电流-集电极截止(最大值):5µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 5A，2V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):275V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 5A，275V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:-
1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：5A
2电压-集射极击穿(最大值)：275V
6电流-集电极截止(最大值)：-
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：25 @ 5A，275V
5功率-最大值：50W
4频率-跃迁：-
外壳：TO-213AA，TO-66-2
封装：TO-66
料号：JTG1-14544
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N6234' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6234' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6234' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6234' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 2N6671
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TRANS PNP 300V 8A TO-3
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 400mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 500mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/505 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 40mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 6A，3V *5功率-最大值:175W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/538 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 3A，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 1A，3V *5功率-最大值:6W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/466 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 10A，50A *6电流-集电极截止(最大值):5µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 5A，2V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):275V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 5A，275V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 8A，300V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:-
1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：8A
2电压-集射极击穿(最大值)：300V
6电流-集电极截止(最大值)：-
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：10 @ 8A，300V
5功率-最大值：150W
4频率-跃迁：-
外壳：TO-204AA，TO-3
封装：TO-3
料号：JTG1-14545
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N6671' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6671' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6671' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6671' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： KSE182PWD
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANSISTOR NPN 80V DIP
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 400mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 500mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/505 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 40mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 6A，3V *5功率-最大值:175W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/538 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 3A，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 1A，3V *5功率-最大值:6W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/466 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 10A，50A *6电流-集电极截止(最大值):5µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 5A，2V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):275V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 5A，275V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 8A，300V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.7V @ 600mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 100mA，1V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:500MHz
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：3A
2电压-集射极击穿(最大值)：80V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：50 @ 100mA，1V
5功率-最大值：1.5W
4频率-跃迁：500MHz
外壳：-
封装：-
料号：JTG1-14546
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KSE182PWD' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSE182PWD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 2N4235
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TRANS PNP 60V 1A TO205AD
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 400mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 500mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/505 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 40mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 6A，3V *5功率-最大值:175W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/538 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 3A，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 1A，3V *5功率-最大值:6W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/466 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 10A，50A *6电流-集电极截止(最大值):5µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 5A，2V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):275V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 5A，275V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 8A，300V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.7V @ 600mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 100mA，1V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:500MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 100mA，1V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:-
1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
2电压-集射极击穿(最大值)：60V
6电流-集电极截止(最大值)：1mA
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 100mA，1V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：-
外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐
封装：TO-205AD
料号：JTG1-14547
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： S1JVNJD2873T4G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANSISTOR PNP BIPO
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 400mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 500mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/505 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 40mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 6A，3V *5功率-最大值:175W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/538 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 3A，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 1A，3V *5功率-最大值:6W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/466 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 10A，50A *6电流-集电极截止(最大值):5µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 5A，2V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):275V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 5A，275V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 8A，300V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.7V @ 600mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 100mA，1V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:500MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 100mA，1V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1.68W *4频率-跃迁:65MHz
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：2A
2电压-集射极击穿(最大值)：50V
6电流-集电极截止(最大值)：100nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：120 @ 500mA，2V
5功率-最大值：1.68W
4频率-跃迁：65MHz
外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
封装：DPAK
料号：JTG1-14548
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'S1JVNJD2873T4G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S1JVNJD2873T4G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S1JVNJD2873T4G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S1JVNJD2873T4G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FJP13007H2TU-F080
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TO220 HV FAST-SWITCHING NPN PWR
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 400mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 500mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/505 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 40mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 6A，3V *5功率-最大值:175W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/538 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 3A，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 1A，3V *5功率-最大值:6W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/466 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 10A，50A *6电流-集电极截止(最大值):5µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 5A，2V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):275V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 5A，275V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 8A，300V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.7V @ 600mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 100mA，1V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:500MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 100mA，1V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1.68W *4频率-跃迁:65MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 2A，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:8 @ 2A，5V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:4MHz
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外壳：TO-220-3
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包装：
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合作现货:0
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型号： 6385_2N2907A
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS PNP GENERAL PURPOSE
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 400mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 500mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/505 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 40mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 6A，3V *5功率-最大值:175W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/538 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 3A，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 1A，3V *5功率-最大值:6W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/466 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 10A，50A *6电流-集电极截止(最大值):5µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 5A，2V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):275V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 5A，275V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 8A，300V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.7V @ 600mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 100mA，1V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:500MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 100mA，1V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1.68W *4频率-跃迁:65MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 2A，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:8 @ 2A，5V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):600mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:-
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5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：-
外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐
封装：TO-18
料号：JTG1-14550
包装：
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型号： 6585_2N4209
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS PNP GENERAL PURPOSE
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 400mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 500mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/505 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 40mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 6A，3V *5功率-最大值:175W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/538 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 3A，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 1A，3V *5功率-最大值:6W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/466 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 10A，50A *6电流-集电极截止(最大值):5µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 5A，2V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):275V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 5A，275V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 8A，300V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.7V @ 600mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 100mA，1V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:500MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 100mA，1V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1.68W *4频率-跃迁:65MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 2A，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:8 @ 2A，5V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):600mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):50mA *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100µA，1mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:35 @ 1mA，5V *5功率-最大值:300mW *4频率-跃迁:850MHz
1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：50mA
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5功率-最大值：300mW
4频率-跃迁：850MHz
外壳：模具
封装：模具
料号：JTG1-14551
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6585_2N4209' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 6685_2N3906
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS PNP GENERAL PURPOSE
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 400mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 500mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/505 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 40mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 6A，3V *5功率-最大值:175W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/538 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 3A，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 1A，3V *5功率-最大值:6W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/466 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 10A，50A *6电流-集电极截止(最大值):5µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 5A，2V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):275V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 5A，275V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 8A，300V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.7V @ 600mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 100mA，1V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:500MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 100mA，1V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1.68W *4频率-跃迁:65MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 2A，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:8 @ 2A，5V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):600mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):50mA *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100µA，1mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:35 @ 1mA，5V *5功率-最大值:300mW *4频率-跃迁:850MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，10V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:250MHz
1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：200mA
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5功率-最大值：625mW
4频率-跃迁：250MHz
外壳：模具
封装：模具
料号：JTG1-14552
包装：
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型号： 6785_2N4033
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS PNP GENERAL PURPOSE
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 400mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 500mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/505 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 40mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 6A，3V *5功率-最大值:175W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/538 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 3A，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 1A，3V *5功率-最大值:6W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/466 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 10A，50A *6电流-集电极截止(最大值):5µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 5A，2V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):275V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 5A，275V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 8A，300V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.7V @ 600mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 100mA，1V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:500MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 100mA，1V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1.68W *4频率-跃迁:65MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 2A，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:8 @ 2A，5V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):600mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):50mA *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100µA，1mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:35 @ 1mA，5V *5功率-最大值:300mW *4频率-跃迁:850MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，10V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:75 @ 100µA，5V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:-
1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：1A
2电压-集射极击穿(最大值)：80V
6电流-集电极截止(最大值)：50nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：75 @ 100µA，5V
5功率-最大值：800mW
4频率-跃迁：-
外壳：模具
封装：模具
料号：JTG1-14553
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '6785_2N4033' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6785_2N4033' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FJV92MTF
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： PNP 350V/0.5A TRANSISTOR
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 400mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 500mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/505 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 40mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 6A，3V *5功率-最大值:175W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/538 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 3A，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 1A，3V *5功率-最大值:6W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/466 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 10A，50A *6电流-集电极截止(最大值):5µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 5A，2V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):275V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 5A，275V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 8A，300V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.7V @ 600mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 100mA，1V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:500MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 100mA，1V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1.68W *4频率-跃迁:65MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 2A，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:8 @ 2A，5V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):600mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):50mA *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100µA，1mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:35 @ 1mA，5V *5功率-最大值:300mW *4频率-跃迁:850MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，10V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:75 @ 100µA，5V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，10V *5功率-最大值:40 @ 10mA，10V *4频率-跃迁:50MHz
1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：500mA
2电压-集射极击穿(最大值)：350V
6电流-集电极截止(最大值)：250nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：40 @ 10mA，10V
5功率-最大值：40 @ 10mA，10V
4频率-跃迁：50MHz
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG1-14554
包装：
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型号： 2N5012
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： NPN SILICON TRANSISTOR
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 400mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 500mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/505 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 40mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 6A，3V *5功率-最大值:175W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/538 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 3A，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 1A，3V *5功率-最大值:6W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/466 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 10A，50A *6电流-集电极截止(最大值):5µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 5A，2V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):275V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 5A，275V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 8A，300V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.7V @ 600mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 100mA，1V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:500MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 100mA，1V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1.68W *4频率-跃迁:65MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 2A，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:8 @ 2A，5V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):600mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):50mA *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100µA，1mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:35 @ 1mA，5V *5功率-最大值:300mW *4频率-跃迁:850MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，10V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:75 @ 100µA，5V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，10V *5功率-最大值:40 @ 10mA，10V *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):700V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700V *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 25mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:-
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：200mA
2电压-集射极击穿(最大值)：700V
6电流-集电极截止(最大值)：10nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：30 @ 25mA，10V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：-
外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐
封装：TO-5
料号：JTG1-14555
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5012' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2N5013
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： NPN SILICON TRANSISTOR
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 400mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 500mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/505 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 40mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 6A，3V *5功率-最大值:175W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/538 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 3A，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 1A，3V *5功率-最大值:6W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/466 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 10A，50A *6电流-集电极截止(最大值):5µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 5A，2V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):275V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 5A，275V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 8A，300V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.7V @ 600mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 100mA，1V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:500MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 100mA，1V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1.68W *4频率-跃迁:65MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 2A，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:8 @ 2A，5V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):600mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):50mA *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100µA，1mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:35 @ 1mA，5V *5功率-最大值:300mW *4频率-跃迁:850MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，10V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:75 @ 100µA，5V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，10V *5功率-最大值:40 @ 10mA，10V *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):700V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700V *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 25mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):800V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800V *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 20mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:-
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：200mA
2电压-集射极击穿(最大值)：800V
6电流-集电极截止(最大值)：10nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：30 @ 20mA，10V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：-
外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐
封装：TO-5
料号：JTG1-14556
包装：
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合作现货:0
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型号： 2N5014
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： NPN SILICON TRANSISTOR
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 400mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 500mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/505 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 40mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 6A，3V *5功率-最大值:175W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/538 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 3A，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 1A，3V *5功率-最大值:6W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/466 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 10A，50A *6电流-集电极截止(最大值):5µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 5A，2V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):275V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 5A，275V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 8A，300V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.7V @ 600mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 100mA，1V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:500MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 100mA，1V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1.68W *4频率-跃迁:65MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 2A，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:8 @ 2A，5V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):600mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):50mA *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100µA，1mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:35 @ 1mA，5V *5功率-最大值:300mW *4频率-跃迁:850MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，10V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:75 @ 100µA，5V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，10V *5功率-最大值:40 @ 10mA，10V *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):700V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700V *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 25mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):800V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800V *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 20mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):900V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:900V *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 20mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:-
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：200mA
2电压-集射极击穿(最大值)：900V
6电流-集电极截止(最大值)：10nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：30 @ 20mA，10V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：-
外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐
封装：TO-5
料号：JTG1-14557
包装：
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海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2N5015
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： NPN SILICON TRANSISTOR
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 400mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 500mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/505 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 40mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 6A，3V *5功率-最大值:175W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/538 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 3A，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 1A，3V *5功率-最大值:6W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/466 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 10A，50A *6电流-集电极截止(最大值):5µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 5A，2V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):275V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 5A，275V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 8A，300V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.7V @ 600mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 100mA，1V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:500MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 100mA，1V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):50V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:120 @ 500mA，2V *5功率-最大值:1.68W *4频率-跃迁:65MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:3V @ 2A，8A *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:8 @ 2A，5V *5功率-最大值:80W *4频率-跃迁:4MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):600mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA *6电流-集电极截止(最大值):50nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 1mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):50mA *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100µA，1mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:35 @ 1mA，5V *5功率-最大值:300mW *4频率-跃迁:850MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，10V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:75 @ 100µA，5V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，10V *5功率-最大值:40 @ 10mA，10V *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):700V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700V *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 25mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):800V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800V *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 20mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):900V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:900V *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 20mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):1000V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1000V *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 20mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:-
1晶体管类型：NPN
3电流-集电极(ic)(最大值)：200mA
2电压-集射极击穿(最大值)：1000V
6电流-集电极截止(最大值)：10nA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：30 @ 20mA，10V
5功率-最大值：1W
4频率-跃迁：-
外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐
封装：TO-5
料号：JTG1-14558
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： JANTXV2N3251A
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PNP TRANSISTOR
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):2A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 400mA，2A *6电流-集电极截止(最大值):200nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 500mA，5V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/505 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 达林顿 *3电流-集电极(ic)(最大值):20A *2电压-集射极击穿(最大值):100V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:2V @ 40mA，10A *6电流-集电极截止(最大值):1mA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:1000 @ 6A，3V *5功率-最大值:175W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/538 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):15A *2电压-集射极击穿(最大值):400V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 3A，15A *6电流-集电极截止(最大值):1mA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:15 @ 1A，3V *5功率-最大值:6W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/466 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):50A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:5V @ 10A，50A *6电流-集电极截止(最大值):5µA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 5A，2V *5功率-最大值:300W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):5A *2电压-集射极击穿(最大值):275V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:25 @ 5A，275V *5功率-最大值:50W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):8A *2电压-集射极击穿(最大值):300V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:- *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:10 @ 8A，300V *5功率-最大值:150W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):3A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.7V @ 600mA，3A *6电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:50 @ 100mA，1V *5功率-最大值:1.5W *4频率-跃迁:500MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A 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*3电流-集电极(ic)(最大值):50mA *2电压-集射极击穿(最大值):15V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100µA，1mA *6电流-集电极截止(最大值):10nA *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:35 @ 1mA，5V *5功率-最大值:300mW *4频率-跃迁:850MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):- *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，10V *5功率-最大值:625mW *4频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):1A *2电压-集射极击穿(最大值):80V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A *6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:75 @ 100µA，5V *5功率-最大值:800mW *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):500mA *2电压-集射极击穿(最大值):350V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA *6电流-集电极截止(最大值):250nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:40 @ 10mA，10V *5功率-最大值:40 @ 10mA，10V *4频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):700V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:700V *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 25mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):800V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:800V *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 20mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):900V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:900V *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 20mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):1000V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1000V *6电流-集电极截止(最大值):10nA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:30 @ 20mA，10V *5功率-最大值:1W *4频率-跃迁:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/323 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *3电流-集电极(ic)(最大值):200mA *2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA *6电流-集电极截止(最大值):10µA（ICBO） *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7:100 @ 10mA，1V *5功率-最大值:360mW *4频率-跃迁:-
1晶体管类型：PNP
3电流-集电极(ic)(最大值)：200mA
2电压-集射极击穿(最大值)：60V
6电流-集电极截止(最大值)：10µA（ICBO）
7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 10mA，1V
5功率-最大值：360mW
4频率-跃迁：-
外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐
封装：TO-39
料号：JTG1-14559
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N3251A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N3251A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N3251A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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