晶体管单路晶体管-双极(BJT)商品目录【辰科芯查】

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状态：在售型号： CP188-2N5088-CT 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANSISTOR LNA NPN 参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：- 3电流-集电极(ic)(最大值)：50mA 2电压-集射极击穿(最大值)：30V 6电流-集电极截止(最大值)：50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：350 @ 1mA，5V 5功率-最大值：625mW 4频率-跃迁：625mW	外壳：模具封装：模具料号：JTG1-14821 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
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状态：在售型号： CP188-BC107A-CT 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANSISTOR LNA NPN 参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：- 3电流-集电极(ic)(最大值)：200mA 2电压-集射极击穿(最大值)：45V 6电流-集电极截止(最大值)：15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：110 @ 2mA，5V 5功率-最大值：600mW 4频率-跃迁：600mW	外壳：模具封装：模具料号：JTG1-14824 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
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状态：在售型号： CP588-2N2605-CT 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANSISTOR LNA PNP 参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：- 3电流-集电极(ic)(最大值)：30mA 2电压-集射极击穿(最大值)：45V 6电流-集电极截止(最大值)：- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 10µA，5V 5功率-最大值：400mW 4频率-跃迁：400mW	外壳：模具封装：模具料号：JTG1-14826 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： CP388X-2N5088-CT 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANSISTOR LNA NPN 参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：- 3电流-集电极(ic)(最大值)：50mA 2电压-集射极击穿(最大值)：30V 6电流-集电极截止(最大值)：50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：350 @ 1mA，5V 5功率-最大值：625mW 4频率-跃迁：625mW	外壳：模具封装：模具料号：JTG1-14827 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： CP188-2N2919-CT 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANSISTOR LNA NPN 参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 100µA，1mA 6电流-集电极截止(最大值):2nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 1mA，5V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:300mW 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：- 3电流-集电极(ic)(最大值)：30mA 2电压-集射极击穿(最大值)：60V 6电流-集电极截止(最大值)：2nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：150 @ 1mA，5V 5功率-最大值：300mW 4频率-跃迁：300mW	外壳：模具封装：模具料号：JTG1-14828 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BC857BW/SNX 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANSISTOR NPN SC-70 参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 100µA，1mA 6电流-集电极截止(最大值):2nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 1mA，5V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:300mW 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA 2电压-集射极击穿(最大值)：45V 6电流-集电极截止(最大值)：15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：220 @ 2mA，5V 5功率-最大值：200mW 4频率-跃迁：100MHz	外壳：SC-70，SOT-323 封装：SOT-323 料号：JTG1-14829 包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BC857BW/SNF 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANSISTOR NPN SC-70 参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 100µA，1mA 6电流-集电极截止(最大值):2nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 1mA，5V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:300mW 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA 2电压-集射极击穿(最大值)：45V 6电流-集电极截止(最大值)：15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：220 @ 2mA，5V 5功率-最大值：200mW 4频率-跃迁：100MHz	外壳：SC-70，SOT-323 封装：SOT-323 料号：JTG1-14830 包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BC847CW/SNX 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANSISTOR NPN SC-70 参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 100µA，1mA 6电流-集电极截止(最大值):2nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 1mA，5V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:300mW 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA 2电压-集射极击穿(最大值)：45V 6电流-集电极截止(最大值)：15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：420 @ 2mA，5V 5功率-最大值：200mW 4频率-跃迁：100MHz	外壳：SC-70，SOT-323 封装：SOT-323 料号：JTG1-14831 包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BC847BW/SNF 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANSISTOR NPN SC-70 参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 100µA，1mA 6电流-集电极截止(最大值):2nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 1mA，5V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:300mW 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA 2电压-集射极击穿(最大值)：45V 6电流-集电极截止(最大值)：15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：200 @ 2mA，5V 5功率-最大值：200mW 4频率-跃迁：100MHz	外壳：SC-70，SOT-323 封装：SOT-323 料号：JTG1-14832 包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BC847CW/SNF 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANSISTOR NPN SC-70 参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 100µA，1mA 6电流-集电极截止(最大值):2nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 1mA，5V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:300mW 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA 2电压-集射极击穿(最大值)：45V 6电流-集电极截止(最大值)：15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：420 @ 2mA，5V 5功率-最大值：200mW 4频率-跃迁：100MHz	外壳：SC-70，SOT-323 封装：SOT-323 料号：JTG1-14833 包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： MMBTA44 品牌： BlueRocket/蓝箭 BLUEROCKE 蓝箭描述：参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 100µA，1mA 6电流-集电极截止(最大值):2nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 1mA，5V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:300mW 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型： 3电流-集电极(ic)(最大值)： 2电压-集射极击穿(最大值)： 6电流-集电极截止(最大值)： 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7： 5功率-最大值： 4频率-跃迁：	外壳：封装：SOT-23 料号：JTG1-14834 资料：规格书/封装库包装： 3000个/	￥0.43	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个总额：	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N6517M 品牌： BlueRocket/蓝箭 BLUEROCKE 蓝箭描述：参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 100µA，1mA 6电流-集电极截止(最大值):2nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 1mA，5V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:300mW 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型： 3电流-集电极(ic)(最大值)： 2电压-集射极击穿(最大值)： 6电流-集电极截止(最大值)： 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7： 5功率-最大值： 4频率-跃迁：	外壳：封装：SOT-23 料号：JTG1-14835 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BF820 品牌： BlueRocket/蓝箭 BLUEROCKE 蓝箭描述：参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 100µA，1mA 6电流-集电极截止(最大值):2nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 1mA，5V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:300mW 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型： 3电流-集电极(ic)(最大值)： 2电压-集射极击穿(最大值)： 6电流-集电极截止(最大值)： 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7： 5功率-最大值： 4频率-跃迁：	外壳：封装：SOT-23 料号：JTG1-14836 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BF822 品牌： BlueRocket/蓝箭 BLUEROCKE 蓝箭描述：参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 100µA，1mA 6电流-集电极截止(最大值):2nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 1mA，5V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:300mW 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型： 3电流-集电极(ic)(最大值)： 2电压-集射极击穿(最大值)： 6电流-集电极截止(最大值)： 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7： 5功率-最大值： 4频率-跃迁：	外壳：封装：SOT-23 料号：JTG1-14837 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： CMPT3019 品牌： BlueRocket/蓝箭 BLUEROCKE 蓝箭描述：参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 100µA，1mA 6电流-集电极截止(最大值):2nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 1mA，5V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:300mW 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型： 3电流-集电极(ic)(最大值)： 2电压-集射极击穿(最大值)： 6电流-集电极截止(最大值)： 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7： 5功率-最大值： 4频率-跃迁：	外壳：封装：SOT-23 料号：JTG1-14838 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BC846G 品牌： BlueRocket/蓝箭 BLUEROCKE 蓝箭描述：参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 100µA，1mA 6电流-集电极截止(最大值):2nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 1mA，5V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:300mW 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型： 3电流-集电极(ic)(最大值)： 2电压-集射极击穿(最大值)： 6电流-集电极截止(最大值)： 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7： 5功率-最大值： 4频率-跃迁：	外壳：封装：SOT-23 料号：JTG1-14839 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：热销型号： PBSS4160T 品牌： BlueRocket/蓝箭 BLUEROCKE 蓝箭描述：参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 100µA，1mA 6电流-集电极截止(最大值):2nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 1mA，5V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:300mW 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型： 3电流-集电极(ic)(最大值)： 2电压-集射极击穿(最大值)： 6电流-集电极截止(最大值)： 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7： 5功率-最大值： 4频率-跃迁：	外壳：封装：SOT-23 料号：JTG1-14840 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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状态：在售型号： CP188-2N5088-CT 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANSISTOR LNA NPN 参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：- 3电流-集电极(ic)(最大值)：50mA 2电压-集射极击穿(最大值)：30V 6电流-集电极截止(最大值)：50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：350 @ 1mA，5V 5功率-最大值：625mW 4频率-跃迁：625mW	外壳：模具封装：模具料号：JTG1-14821 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： CP788X-2N2605-WN 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANSISTOR LNA PNP 参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：- 3电流-集电极(ic)(最大值)：30mA 2电压-集射极击穿(最大值)：45V 6电流-集电极截止(最大值)：10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：150 @ 500µA，5V 5功率-最大值：400mW 4频率-跃迁：400mW	外壳：模具封装：模具料号：JTG1-14822 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： CP588-2N2605-WN 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANSISTOR LNA PNP 参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：- 3电流-集电极(ic)(最大值)：30mA 2电压-集射极击穿(最大值)：45V 6电流-集电极截止(最大值)：- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 10µA，5V 5功率-最大值：400mW 4频率-跃迁：400mW	外壳：模具封装：模具料号：JTG1-14823 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： CP188-BC107A-CT 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANSISTOR LNA NPN 参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：- 3电流-集电极(ic)(最大值)：200mA 2电压-集射极击穿(最大值)：45V 6电流-集电极截止(最大值)：15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：110 @ 2mA，5V 5功率-最大值：600mW 4频率-跃迁：600mW	外壳：模具封装：模具料号：JTG1-14824 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： CP788X-2N2605-CT 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANSISTOR LNA PNP 参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：- 3电流-集电极(ic)(最大值)：30mA 2电压-集射极击穿(最大值)：45V 6电流-集电极截止(最大值)：10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：150 @ 500µA，5V 5功率-最大值：400mW 4频率-跃迁：400mW	外壳：模具封装：模具料号：JTG1-14825 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： CP588-2N2605-CT 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANSISTOR LNA PNP 参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：- 3电流-集电极(ic)(最大值)：30mA 2电压-集射极击穿(最大值)：45V 6电流-集电极截止(最大值)：- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：100 @ 10µA，5V 5功率-最大值：400mW 4频率-跃迁：400mW	外壳：模具封装：模具料号：JTG1-14826 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： CP388X-2N5088-CT 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANSISTOR LNA NPN 参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：- 3电流-集电极(ic)(最大值)：50mA 2电压-集射极击穿(最大值)：30V 6电流-集电极截止(最大值)：50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：350 @ 1mA，5V 5功率-最大值：625mW 4频率-跃迁：625mW	外壳：模具封装：模具料号：JTG1-14827 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： CP188-2N2919-CT 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： TRANSISTOR LNA NPN 参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 100µA，1mA 6电流-集电极截止(最大值):2nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 1mA，5V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:300mW 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：- 3电流-集电极(ic)(最大值)：30mA 2电压-集射极击穿(最大值)：60V 6电流-集电极截止(最大值)：2nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：150 @ 1mA，5V 5功率-最大值：300mW 4频率-跃迁：300mW	外壳：模具封装：模具料号：JTG1-14828 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BC857BW/SNX 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANSISTOR NPN SC-70 参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 100µA，1mA 6电流-集电极截止(最大值):2nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 1mA，5V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:300mW 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA 2电压-集射极击穿(最大值)：45V 6电流-集电极截止(最大值)：15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：220 @ 2mA，5V 5功率-最大值：200mW 4频率-跃迁：100MHz	外壳：SC-70，SOT-323 封装：SOT-323 料号：JTG1-14829 包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BC857BW/SNF 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANSISTOR NPN SC-70 参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 100µA，1mA 6电流-集电极截止(最大值):2nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 1mA，5V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:300mW 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：PNP 3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA 2电压-集射极击穿(最大值)：45V 6电流-集电极截止(最大值)：15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：220 @ 2mA，5V 5功率-最大值：200mW 4频率-跃迁：100MHz	外壳：SC-70，SOT-323 封装：SOT-323 料号：JTG1-14830 包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BC847CW/SNX 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANSISTOR NPN SC-70 参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 100µA，1mA 6电流-集电极截止(最大值):2nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 1mA，5V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:300mW 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA 2电压-集射极击穿(最大值)：45V 6电流-集电极截止(最大值)：15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：420 @ 2mA，5V 5功率-最大值：200mW 4频率-跃迁：100MHz	外壳：SC-70，SOT-323 封装：SOT-323 料号：JTG1-14831 包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BC847BW/SNF 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANSISTOR NPN SC-70 参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 100µA，1mA 6电流-集电极截止(最大值):2nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 1mA，5V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:300mW 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA 2电压-集射极击穿(最大值)：45V 6电流-集电极截止(最大值)：15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：200 @ 2mA，5V 5功率-最大值：200mW 4频率-跃迁：100MHz	外壳：SC-70，SOT-323 封装：SOT-323 料号：JTG1-14832 包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BC847CW/SNF 品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体描述： TRANSISTOR NPN SC-70 参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 100µA，1mA 6电流-集电极截止(最大值):2nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 1mA，5V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:300mW 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型：NPN 3电流-集电极(ic)(最大值)：100mA 2电压-集射极击穿(最大值)：45V 6电流-集电极截止(最大值)：15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7：420 @ 2mA，5V 5功率-最大值：200mW 4频率-跃迁：100MHz	外壳：SC-70，SOT-323 封装：SOT-323 料号：JTG1-14833 包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： MMBTA44 品牌： BlueRocket/蓝箭 BLUEROCKE 蓝箭描述：参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 100µA，1mA 6电流-集电极截止(最大值):2nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 1mA，5V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:300mW 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型： 3电流-集电极(ic)(最大值)： 2电压-集射极击穿(最大值)： 6电流-集电极截止(最大值)： 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7： 5功率-最大值： 4频率-跃迁：	外壳：封装：SOT-23 料号：JTG1-14834 资料：规格书/封装库包装： 3000个/	￥0.43	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个总额：	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： 2N6517M 品牌： BlueRocket/蓝箭 BLUEROCKE 蓝箭描述：参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 100µA，1mA 6电流-集电极截止(最大值):2nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 1mA，5V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:300mW 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型： 3电流-集电极(ic)(最大值)： 2电压-集射极击穿(最大值)： 6电流-集电极截止(最大值)： 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7： 5功率-最大值： 4频率-跃迁：	外壳：封装：SOT-23 料号：JTG1-14835 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BF820 品牌： BlueRocket/蓝箭 BLUEROCKE 蓝箭描述：参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 100µA，1mA 6电流-集电极截止(最大值):2nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 1mA，5V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:300mW 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型： 3电流-集电极(ic)(最大值)： 2电压-集射极击穿(最大值)： 6电流-集电极截止(最大值)： 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7： 5功率-最大值： 4频率-跃迁：	外壳：封装：SOT-23 料号：JTG1-14836 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BF822 品牌： BlueRocket/蓝箭 BLUEROCKE 蓝箭描述：参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 100µA，1mA 6电流-集电极截止(最大值):2nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 1mA，5V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:300mW 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型： 3电流-集电极(ic)(最大值)： 2电压-集射极击穿(最大值)： 6电流-集电极截止(最大值)： 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7： 5功率-最大值： 4频率-跃迁：	外壳：封装：SOT-23 料号：JTG1-14837 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： CMPT3019 品牌： BlueRocket/蓝箭 BLUEROCKE 蓝箭描述：参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 100µA，1mA 6电流-集电极截止(最大值):2nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 1mA，5V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:300mW 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型： 3电流-集电极(ic)(最大值)： 2电压-集射极击穿(最大值)： 6电流-集电极截止(最大值)： 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7： 5功率-最大值： 4频率-跃迁：	外壳：封装：SOT-23 料号：JTG1-14838 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：在售型号： BC846G 品牌： BlueRocket/蓝箭 BLUEROCKE 蓝箭描述：参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:110 @ 2mA，5V 5功率-最大值:600mW 4频率-跃迁:600mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 100µA，1mA 6电流-集电极截止(最大值):2nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 1mA，5V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:300mW 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型： 3电流-集电极(ic)(最大值)： 2电压-集射极击穿(最大值)： 6电流-集电极截止(最大值)： 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7： 5功率-最大值： 4频率-跃迁：	外壳：封装：SOT-23 料号：JTG1-14839 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
状态：热销型号： PBSS4160T 品牌： BlueRocket/蓝箭 BLUEROCKE 蓝箭描述：参数：系列:CP188 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):50mA 2电压-集射极击穿(最大值):30V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):50nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:350 @ 1mA，5V 5功率-最大值:625mW 4频率-跃迁:625mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):10nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 500µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):30mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500µA，10mA 6电流-集电极截止(最大值):- 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:100 @ 10µA，5V 5功率-最大值:400mW 4频率-跃迁:400mW 系列:- 制造商:Central/中环制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:- 3电流-集电极(ic)(最大值):200mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 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2电压-集射极击穿(最大值):60V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:350mV @ 100µA，1mA 6电流-集电极截止(最大值):2nA 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:150 @ 1mA，5V 5功率-最大值:300mW 4频率-跃迁:300mW 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:PNP 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:220 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:200 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia/安世制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型:NPN 3电流-集电极(ic)(最大值):100mA 2电压-集射极击穿(最大值):45V 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 6电流-集电极截止(最大值):15nA（ICBO） 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7:420 @ 2mA，5V 5功率-最大值:200mW 4频率-跃迁:100MHz 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 系列:双极晶体管制造商:BlueRocket/蓝箭制造商统称:未设定制造商统称:BLUEROCKE蓝箭类目:未设替代选料:未设定 1晶体管类型: 3电流-集电极(ic)(最大值): 2电压-集射极击穿(最大值): 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）: 6电流-集电极截止(最大值): 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7: 5功率-最大值: 4频率-跃迁: 类别：单路晶体管-双极(BJT)	1晶体管类型： 3电流-集电极(ic)(最大值)： 2电压-集射极击穿(最大值)： 6电流-集电极截止(最大值)： 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7： 5功率-最大值： 4频率-跃迁：	外壳：封装：SOT-23 料号：JTG1-14840 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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