首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 预偏置单晶体管-双极(BJT)
元器件型号：3480 件
当前类别共3480 件相关商品

系列

清除

制造商统称

清除

制造商统称

清除

类目

清除

*晶体管类型

清除

*电流 - 集电极（ic）（最大值）

清除

*电压 - 集射极击穿（最大值）

清除

电阻器 - 基底（r1）（欧姆）

清除

电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）

清除

*不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

清除

不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）

清除

电流 - 集电极截止（最大值）

清除

*频率 - 跃迁

清除

*功率 - 最大值

清除

安装类型

清除
清除筛选 应用筛选 筛选结果： 3480
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态：
型号： DDTC125TCA-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
参数： 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：-
2集电极-最大电流(ic)：-
3集射极-击穿最大电流：-
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：-
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：-
6频率-跃迁：-
最大功率值：-
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG2-18102
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DDTC125TCA-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTC125TCA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTC125TCA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTC125TCA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DDTA114YCA-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
参数： 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：-
2集电极-最大电流(ic)：-
3集射极-击穿最大电流：-
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：-
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：-
6频率-跃迁：-
最大功率值：-
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG2-18103
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DDTA114YCA-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTA114YCA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTA114YCA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTA114YCA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： RN1409,LF(B
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI
参数： 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22k 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，5V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：47k
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：22k
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：200mW
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：S-MINI
料号：JTG2-18104
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN1409,LF(B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1409,LF(B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1409,LF(B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1409,LF(B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DDTA113TUA-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
参数： 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22k 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，5V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：-
2集电极-最大电流(ic)：-
3集射极-击穿最大电流：-
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：-
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：-
6频率-跃迁：-
最大功率值：-
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG2-18105
包装： 1个/
￥1.44 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DDTA113TUA-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTA113TUA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTA113TUA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTA113TUA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DDTA143TUA-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
参数： 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22k 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，5V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：-
2集电极-最大电流(ic)：-
3集射极-击穿最大电流：-
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：-
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：-
6频率-跃迁：-
最大功率值：-
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG2-18106
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DDTA143TUA-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTA143TUA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTA143TUA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTA143TUA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DTC114TE-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
参数： 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22k 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，5V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO）
1晶体管类型：NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：10 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：10 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：150mW
外壳：SOT-523
封装：SOT-523
料号：JTG2-18107
包装： 3000个/
￥0.30 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DTC114TE-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTC114TE-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTC114TE-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTC114TE-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DDTC114GUA-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
参数： 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22k 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，5V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：-
2集电极-最大电流(ic)：-
3集射极-击穿最大电流：-
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：-
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：-
6频率-跃迁：-
最大功率值：-
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG2-18108
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DDTC114GUA-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTC114GUA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTC114GUA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTC114GUA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DDTA123EUA-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
参数： 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22k 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，5V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：2.2 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：2.2 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：200mW
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG2-18878
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DDTA123EUA-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTA123EUA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTA123EUA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTA123EUA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DDTA114WUA-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
参数： 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22k 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，5V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：-
2集电极-最大电流(ic)：-
3集射极-击穿最大电流：-
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：-
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：-
6频率-跃迁：-
最大功率值：-
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG2-18109
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DDTA114WUA-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTA114WUA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTA114WUA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTA114WUA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DDTA142TU-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
参数： 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22k 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，5V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：-
2集电极-最大电流(ic)：-
3集射极-击穿最大电流：-
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：-
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：-
6频率-跃迁：-
最大功率值：-
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG2-18110
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DDTA142TU-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTA142TU-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTA142TU-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTA142TU-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DDTA144GUA-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
参数： 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22k 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，5V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：-
2集电极-最大电流(ic)：-
3集射极-击穿最大电流：-
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：-
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：-
6频率-跃迁：-
最大功率值：-
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG2-18111
包装： 3000个/
￥0.37 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DDTA144GUA-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTA144GUA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTA144GUA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTA144GUA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DDTC115EUA-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
参数： 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22k 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，5V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：100 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：100 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：200mW
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG2-18112
包装： 3000个/
￥0.42 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DDTC115EUA-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTC115EUA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTC115EUA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTC115EUA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DDTC144GUA-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
参数： 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22k 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，5V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：-
2集电极-最大电流(ic)：-
3集射极-击穿最大电流：-
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：-
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：-
6频率-跃迁：-
最大功率值：-
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG2-18113
包装： 3000个/
￥0.37 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DDTC144GUA-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTC144GUA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTC144GUA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTC144GUA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DDTC144WUA-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
参数： 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22k 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，5V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：47 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：22 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：200mW
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG2-18114
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DDTC144WUA-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTC144WUA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTC144WUA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTC144WUA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DTA123JE-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
参数： 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22k 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，5V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：2.2 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：47 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：150mW
外壳：SOT-523
封装：SOT-523
料号：JTG2-18115
包装： 3000个/
￥0.40 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DTA123JE-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA123JE-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA123JE-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA123JE-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DDTC124GUA-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
参数： 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22k 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，5V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):50V *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO）
1晶体管类型：NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：50V
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：22 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：200mW
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG2-18116
包装： 3000个/
￥0.37 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DDTC124GUA-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTC124GUA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTC124GUA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTC124GUA-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DTA114EUA-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
参数： 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22k 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，5V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):50V *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：10 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：10 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：200mW
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG2-18117
包装： 3000个/
￥0.25 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DTA114EUA-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA114EUA-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA114EUA-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA114EUA-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DTA114TUA-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
参数： 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22k 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，5V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):50V *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO）
1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：10 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：10 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：200mW
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG2-18118
包装： 3000个/
￥0.37 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DTA114TUA-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA114TUA-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA114TUA-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA114TUA-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DTA124EE-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
参数： 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22k 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，5V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):50V *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：22 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：22 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：150mW
外壳：SOT-523
封装：SOT-523
料号：JTG2-18119
包装： 3000个/
￥0.46 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DTA124EE-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA124EE-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA124EE-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA124EE-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DTA143EUA-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
参数： 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22k 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，5V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):50V *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：4.7 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：200mW
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG2-18120
包装： 3000个/
￥0.25 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DTA143EUA-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA143EUA-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA143EUA-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA143EUA-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
  共有3480个记录    每页显示20条，本页2461-2480条    124/174页    首 页    上一页   120  121  122  123  124  125  126  127  128   下一页    尾 页      
复制成功

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科芯查介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科芯查有限公司 版权所有

销售在线 销售在线 工程师在线 工程师在线 电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询

0755-28435922