首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 预偏置单晶体管-双极(BJT)
元器件型号：3480 件
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电阻器 - 基底（r1）（欧姆）

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电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）

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*不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

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不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： UNR9110G0L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：47 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：47 kOhms
6频率-跃迁：80MHz
最大功率值：125mW
外壳：SC-89，SOT-490
封装：SS迷你型3-F3
料号：JTG2-18181
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： UNR9113G0L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：47 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：47 kOhms
6频率-跃迁：150MHz
最大功率值：125mW
外壳：SC-89，SOT-490
封装：SS迷你型3-F3
料号：JTG2-18182
包装：
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状态： 在售
型号： UNR9212G0L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：22 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：22 kOhms
6频率-跃迁：150MHz
最大功率值：125mW
外壳：SC-89，SOT-490
封装：SS迷你型3-F3
料号：JTG2-18183
包装：
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型号： DDTC123YE-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：-
2集电极-最大电流(ic)：-
3集射极-击穿最大电流：-
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：-
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：-
6频率-跃迁：-
最大功率值：-
外壳：SOT-523
封装：SOT-523
料号：JTG2-18184
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTC123YE-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： UNR221900L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：1 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：10 kOhms
6频率-跃迁：150MHz
最大功率值：200mW
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：迷你型3-G1
料号：JTG2-18185
包装： 6000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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总额：
当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： UNR221700L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
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品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3
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1晶体管类型：PNP - 预偏压
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6频率-跃迁：80MHz
最大功率值：100mW
外壳：SOT-723
封装：SSS迷你型3-F1
料号：JTG2-18187
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UNR31A9G0L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS PREBIAS NPN 100MW SSSMINI3
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):80mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):80mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
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3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：22 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：22 kOhms
6频率-跃迁：150MHz
最大功率值：100mW
外壳：SOT-723
封装：SSS迷你型3-F1
料号：JTG2-18188
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UNR32A700L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： RN1441ATE85LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS PREBIAS NPN 20V 0.3A SMINI
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):80mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):80mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿最大电流:20V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):5.6 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):5.6 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 3mA，30mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:100mV @ 3mA，30mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO）
1晶体管类型：NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：300mA
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4电阻器-基底(r1)(欧姆)：5.6 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：5.6 kOhms
6频率-跃迁：30MHz
最大功率值：200mW
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：S-MINI
料号：JTG2-18189
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN1441ATE85LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1441ATE85LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1441ATE85LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1441ATE85LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DDTB113EU-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):80mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):80mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿最大电流:20V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):5.6 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):5.6 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 3mA，30mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:100mV @ 3mA，30mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：1 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：1 kOhms
6频率-跃迁：200MHz
最大功率值：200mW
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG2-18190
包装：
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型号： DDTB143TU-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):80mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):80mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿最大电流:20V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):5.6 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):5.6 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 3mA，30mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:100mV @ 3mA，30mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO）
1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：4.7 kOhms
6频率-跃迁：200MHz
最大功率值：200mW
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG2-18191
包装：
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海外现货:0
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型号： DDTD114TU-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):80mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):80mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿最大电流:20V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):5.6 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):5.6 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 3mA，30mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:100mV @ 3mA，30mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO）
1晶体管类型：NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：10 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：10 kOhms
6频率-跃迁：200MHz
最大功率值：200mW
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG2-18192
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DDTD114TU-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTD114TU-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTD114TU-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： DDTA143ZE-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):80mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):80mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿最大电流:20V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):5.6 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):5.6 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 3mA，30mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:100mV @ 3mA，30mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：-
2集电极-最大电流(ic)：-
3集射极-击穿最大电流：-
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：-
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：-
6频率-跃迁：-
最大功率值：-
外壳：SOT-523
封装：SOT-523
料号：JTG2-18193
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DDTA143ZE-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTA143ZE-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTA143ZE-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDTA143ZE-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DDTC114GE-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):80mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):80mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿最大电流:20V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):5.6 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):5.6 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 3mA，30mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:100mV @ 3mA，30mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：-
2集电极-最大电流(ic)：-
3集射极-击穿最大电流：-
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：-
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：-
6频率-跃迁：-
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外壳：SOT-523
封装：SOT-523
料号：JTG2-18194
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状态： 在售
型号： DDTA142JE-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):80mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):80mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿最大电流:20V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):5.6 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):5.6 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 3mA，30mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:100mV @ 3mA，30mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：-
2集电极-最大电流(ic)：-
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5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：-
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外壳：SOT-523
封装：SOT-523
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型号： DDTA144GE-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):80mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):80mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿最大电流:20V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):5.6 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):5.6 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 3mA，30mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:100mV @ 3mA，30mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：-
2集电极-最大电流(ic)：-
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4电阻器-基底(r1)(欧姆)：-
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：-
6频率-跃迁：-
最大功率值：-
外壳：SOT-523
封装：SOT-523
料号：JTG2-18196
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型号： DDTA144VE-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):80mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):80mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿最大电流:20V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):5.6 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):5.6 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 3mA，30mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:100mV @ 3mA，30mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：-
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外壳：SOT-523
封装：SOT-523
料号：JTG2-18197
包装：
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型号： DDTB122LU-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):80mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):80mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿最大电流:20V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):5.6 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):5.6 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 3mA，30mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:100mV @ 3mA，30mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：-
2集电极-最大电流(ic)：-
3集射极-击穿最大电流：-
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：-
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：-
6频率-跃迁：-
最大功率值：-
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG2-18198
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： DDTC113ZE-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):80mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):80mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿最大电流:20V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):5.6 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):5.6 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 3mA，30mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:100mV @ 3mA，30mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：-
2集电极-最大电流(ic)：-
3集射极-击穿最大电流：-
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：-
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：-
6频率-跃迁：-
最大功率值：-
外壳：SOT-523
封装：SOT-523
料号：JTG2-18199
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DDTC113ZE-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： DDTC114EE-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):80mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):80mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿最大电流:20V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):5.6 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):5.6 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 3mA，30mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:100mV @ 3mA，30mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：10 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：10 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：150mW
外壳：SOT-523
封装：SOT-523
料号：JTG2-18200
包装： 3000个/
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合作现货:0
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