首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 预偏置单晶体管-双极(BJT)
元器件型号：3480 件
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电阻器 - 基底（r1）（欧姆）

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电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）

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*不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： RN2101MFV,L3F(CT
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：4.7 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：150mW
外壳：SOT-723
封装：VESM
料号：JTG2-18503
包装： 8000个/
￥0.24 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN2101MFV,L3F(CT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN2101MFV,L3F(CT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN2101MFV,L3F(CT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN2101MFV,L3F(CT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： RN2112MFV,L3F
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO）
1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：22 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：22 kOhms
6频率-跃迁：100nA（ICBO）
最大功率值：150mW
外壳：SOT-723
封装：VESM
料号：JTG2-18504
包装： 8000个/
￥0.24 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN2112MFV,L3F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN2112MFV,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN2112MFV,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN2112MFV,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： RN2131MFV,L3F
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO）
1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：100 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：100 kOhms
6频率-跃迁：100nA（ICBO）
最大功率值：150mW
外壳：SOT-723
封装：VESM
料号：JTG2-18505
包装： 8000个/
￥0.24 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN2131MFV,L3F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN2131MFV,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN2131MFV,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN2131MFV,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： RN1107MFV,L3F(CT
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：10 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：47 kOhms
6频率-跃迁：500nA
最大功率值：150mW
外壳：SOT-723
封装：VESM
料号：JTG2-18506
包装： 8000个/
￥0.24 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN1107MFV,L3F(CT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1107MFV,L3F(CT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1107MFV,L3F(CT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1107MFV,L3F(CT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： RN2116MFV,L3F
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：10 kOhms
6频率-跃迁：500nA
最大功率值：150mW
外壳：SOT-723
封装：VESM
料号：JTG2-18507
包装： 8000个/
￥0.24 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN2116MFV,L3F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN2116MFV,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN2116MFV,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN2116MFV,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： RN1131MFV,L3F
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO）
1晶体管类型：NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：100 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：100 kOhms
6频率-跃迁：100nA（ICBO）
最大功率值：150mW
外壳：SOT-723
封装：VESM
料号：JTG2-18508
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN1131MFV,L3F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1131MFV,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1131MFV,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1131MFV,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： RN2119MFV,L3F
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO）
1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：1 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：1 kOhms
6频率-跃迁：100nA（ICBO）
最大功率值：150mW
外壳：SOT-723
封装：VESM
料号：JTG2-18509
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN2119MFV,L3F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN2119MFV,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN2119MFV,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN2119MFV,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： RN1105MFV,L3F(CT
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
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参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：2.2 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：47 kOhms
6频率-跃迁：500nA
最大功率值：150mW
外壳：SOT-723
封装：VESM
料号：JTG2-18510
包装： 8000个/
￥0.24 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN1105MFV,L3F(CT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1105MFV,L3F(CT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1105MFV,L3F(CT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1105MFV,L3F(CT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
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型号： RN2113MFV,L3F
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO）
1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：47 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：47 kOhms
6频率-跃迁：100nA（ICBO）
最大功率值：150mW
外壳：SOT-723
封装：VESM
料号：JTG2-18511
包装： 8000个/
￥0.24 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN2113MFV,L3F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN2113MFV,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN2113MFV,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN2113MFV,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DTA114ECAHZGT116
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：100mA
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：10 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：10 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：350mW
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SST3
料号：JTG2-18512
包装： 3000个/
￥0.31 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DTA114ECAHZGT116' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA114ECAHZGT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA114ECAHZGT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA114ECAHZGT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DTC114ECAHZGT116
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：NPN - 预偏压 + 二极管
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：100mA
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：10 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：10 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：350mW
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SST3
料号：JTG2-18513
包装： 3000个/
￥0.31 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DTC114ECAHZGT116' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTC114ECAHZGT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTC114ECAHZGT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTC114ECAHZGT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DTC143ECAHZGT116
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：NPN - 预偏压 + 二极管
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：100mA
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：4.7 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：350mW
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SST3
料号：JTG2-18514
包装： 3000个/
￥0.31 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DTC143ECAHZGT116' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTC143ECAHZGT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTC143ECAHZGT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTC143ECAHZGT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：NPN - 预偏压 + 二极管
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：100mA
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：47 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：47 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：350mW
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SST3
料号：JTG2-18515
包装： 3000个/
￥0.31 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DTC144ECAHZGT116' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTC144ECAHZGT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTC144ECAHZGT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：NPN - 预偏压 + 二极管
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：100mA
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：10 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：350mW
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SST3
料号：JTG2-18516
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DTC143XCAHZGT116' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTC143XCAHZGT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTC143XCAHZGT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTC143XCAHZGT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： RN1303,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：22 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：22 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：100mW
外壳：SC-70，SOT-323
封装：USM
料号：JTG2-18517
包装： 3000个/
￥0.29 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN1303,LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1303,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1303,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1303,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： RN1415,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：2.2 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：10 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：200mW
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：S-Mini
料号：JTG2-18518
包装： 3000个/
￥0.29 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN1415,LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1415,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1415,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1415,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： RN1418,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：47 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：10 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：200mW
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：S-Mini
料号：JTG2-18519
包装： 3000个/
￥0.29 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN1418,LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1418,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1418,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1418,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： RN2303,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：22 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：22 kOhms
6频率-跃迁：200MHz
最大功率值：100mW
外壳：SC-70，SOT-323
封装：USM
料号：JTG2-18520
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN2303,LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN2303,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN2303,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN2303,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： RN2411,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO）
1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：10 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：10 kOhms
6频率-跃迁：200MHz
最大功率值：200mW
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：S-Mini
料号：JTG2-18521
包装： 3000个/
￥0.29 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN2411,LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN2411,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN2411,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN2411,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： RN2416,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：10 kOhms
6频率-跃迁：200MHz
最大功率值：200mW
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：S-Mini
料号：JTG2-18522
包装： 3000个/
￥0.29 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN2416,LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN2416,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN2416,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN2416,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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