首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 预偏置单晶体管-双极(BJT)
元器件型号：3480 件
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电阻器 - 基底（r1）（欧姆）

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电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： DTC123EKAT146
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：2.2 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：2.2 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：200mW
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SMT3
料号：JTG2-18543
包装： 3000个/
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： DTC123YUAT106
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：2.2 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：10 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：200mW
外壳：SC-70，SOT-323
封装：UMT3
料号：JTG2-18544
包装：
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型号： DTC143XUBTL
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：10 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：200mW
外壳：SC-85
封装：UMT3F
料号：JTG2-18545
包装： 3000个/
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： DTA143ZU3T106
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：PNP - 预偏压 + 二极管
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：100mA
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：47 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：200mW
外壳：SC-70，SOT-323
封装：UMT3
料号：JTG2-18546
包装： 3000个/
￥0.35 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： DTC123JU3T106
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：NPN - 预偏压 + 二极管
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：100mA
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：2.2 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：47 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：200mW
外壳：SC-70，SOT-323
封装：UMT3
料号：JTG2-18547
包装： 3000个/
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品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：NPN - 预偏压 + 二极管
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：100mA
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：47 kOhms
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最大功率值：200mW
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封装：UMT3
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DTC144EU3T106
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):-
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海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： DTA123EU3T106
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： DTA123EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：2.2 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：2.2 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：200mW
外壳：SC-70，SOT-323
封装：UMT3
料号：JTG2-18550
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合作现货:0
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型号： DTA123YU3T106
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： DTA123YU3 IS AN DIGITAL TRANSIST
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):-
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型号： DTC113ZU3T106
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： DTC113ZU3 IS AN DIGITAL TRANSIST
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):-
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品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
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1晶体管类型：NPN - 预偏压
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTC115GU3T106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTC115GU3T106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： DTC143EU3T106
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： DTC143EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):50V *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：4.7 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：200mW
外壳：SC-70，SOT-323
封装：UMT3
料号：JTG2-18554
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DTC143EU3T106' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTC143EU3T106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTC143EU3T106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTC143EU3T106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： RN1413,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):50V *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO）
1晶体管类型：NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：47 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：47 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：200mW
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：S-Mini
料号：JTG2-18555
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN1413,LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1413,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1413,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1413,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： RN1411,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):50V *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO）
1晶体管类型：NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：10 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：10 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：200mW
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：S-Mini
料号：JTG2-18556
包装：
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合作现货:0
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型号： RN2410,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):50V *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO）
1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：4.7 kOhms
6频率-跃迁：200MHz
最大功率值：200mW
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：S-Mini
料号：JTG2-18557
包装：
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状态： 在售
型号： RN2407,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):50V *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：PNP - 预偏压
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状态： 在售
型号： RN1410,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 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状态： 在售
型号： RN1104,LF(CT
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):50V *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 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预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：NPN - 预偏压
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4电阻器-基底(r1)(欧姆)：47 kOhms
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6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：100mW
外壳：SC-75，SOT-416
封装：SSM
料号：JTG2-18560
包装： 3000个/
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型号： RN2103,LF(CT
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):50V *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：22 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：22 kOhms
6频率-跃迁：200MHz
最大功率值：100mW
外壳：SC-75，SOT-416
封装：SSM
料号：JTG2-18561
包装： 3000个/
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状态： 在售
型号： RN1116,LF(CT
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):50V *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 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1晶体管类型：NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
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5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：10 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：100mW
外壳：SC-75，SOT-416
封装：SSM
料号：JTG2-18562
包装： 3000个/
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海外现货:0
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