元器件型号:3480
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型号: PDTD143EQAZ
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 3DFN
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms
6频率-跃迁:210MHz
最大功率值:325mW
外壳:3-XDFN 裸露焊盘
封装:DFN1010D-3
料号:JTG2-16229
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDTD143EQAZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号: PDTD143XQAZ
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 3DFN
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms
6频率-跃迁:210MHz
最大功率值:325mW
外壳:3-XDFN 裸露焊盘
封装:DFN1010D-3
料号:JTG2-16230
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDTD143XQAZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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状态: 在售
型号: PDTB113EUF
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS PNP 0.425W
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms
6频率-跃迁:140MHz
最大功率值:300mW
外壳:SC-70,SOT-323
封装:SC-70
料号:JTG2-16231
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDTB113EUF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTB113EUF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTB113EUF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: PDTB113ZUF
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS PNP 0.425W
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms
6频率-跃迁:140MHz
最大功率值:300mW
外壳:SC-70,SOT-323
封装:SC-70
料号:JTG2-16232
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDTB113ZUF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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状态: 在售
型号: PDTB114EUF
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms
6频率-跃迁:140MHz
最大功率值:300mW
外壳:SC-70,SOT-323
封装:SC-70
料号:JTG2-16233
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDTB114EUF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTB114EUF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTB114EUF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号: PDTB123EUF
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS PNP 0.425W
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms
6频率-跃迁:140MHz
最大功率值:300mW
外壳:SC-70,SOT-323
封装:SC-70
料号:JTG2-16234
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDTB123EUF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号: PDTB123YUF
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS PNP 0.425W
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms
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6频率-跃迁:140MHz
最大功率值:300mW
外壳:SC-70,SOT-323
封装:SC-70
料号:JTG2-16235
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTB123YUF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTB123YUF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号: PDTB143EUF
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms
6频率-跃迁:140MHz
最大功率值:300mW
外壳:SC-70,SOT-323
封装:SC-70
料号:JTG2-16236
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDTB143EUF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTB143EUF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTB143EUF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS PNP 0.425W
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms
6频率-跃迁:140MHz
最大功率值:300mW
外壳:SC-70,SOT-323
封装:SC-70
料号:JTG2-16237
包装:
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型号: PDTD113EUF
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms
6频率-跃迁:225MHz
最大功率值:300mW
外壳:SC-70,SOT-323
封装:SC-70
料号:JTG2-16238
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDTD113EUF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号: PDTD113ZUF
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 0.425W
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms
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料号:JTG2-16239
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型号: PDTD114EUF
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 0.425W
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms
6频率-跃迁:225MHz
最大功率值:300mW
外壳:SC-70,SOT-323
封装:SC-70
料号:JTG2-16240
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参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):500mA
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4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms
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品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 0.425W
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms
6频率-跃迁:225MHz
最大功率值:300mW
外壳:SC-70,SOT-323
封装:SC-70
料号:JTG2-16242
包装:
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型号: PDTD143EUF
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 0.425W
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms
6频率-跃迁:225MHz
最大功率值:300mW
外壳:SC-70,SOT-323
封装:SC-70
料号:JTG2-16243
包装:
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品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 0.425W
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms
6频率-跃迁:225MHz
最大功率值:300mW
外壳:SC-70,SOT-323
封装:SC-70
料号:JTG2-16244
包装:
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: NSVMMUN2132LT1G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms
6频率-跃迁:-
最大功率值:246mW
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3(TO-236)
料号:JTG2-16245
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSVMMUN2132LT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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状态: 在售
型号: NSVMMUN2232LT1G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms
6频率-跃迁:-
最大功率值:246mW
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3(TO-236)
料号:JTG2-16246
包装:
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVMMUN2232LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: SMMUN2111LT3G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms
6频率-跃迁:-
最大功率值:246mW
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3(TO-236)
料号:JTG2-16247
包装:
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: SMMUN2113LT1G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms
6频率-跃迁:-
最大功率值:246mW
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3(TO-236)
料号:JTG2-16248
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMMUN2113LT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMMUN2113LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMMUN2113LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMMUN2113LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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